技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于纵向结构的发光二极管(10)，包括：Si衬底(11)；Si、Ge叠层材料形成的PiN台阶结构(13)，设置于所述Si衬底(11)表面的中心位置处；正电极(15)，设置于所述PiN台阶结构(13)的上表面；负电极(17)，设置于所述Si衬底(11)的上表面并位于PiN台阶结构(13)两侧的位置处，以形成纵向结构的所述发光二极管(10)。本发明纵向结构的发光二极管，利用Si衬底与Ge外延层界面特性好的优势，利用N型Si/张应变Ge/P型Ge纵向结构，极大地提高发光二极管的发光效率。
技术研发人员：刘晶晶
受保护的技术使用者：厦门科锐捷半导体科技有限公司
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2017.08.18