转接板的RDL封装成形方法与流程

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种转接板的rdl成形方法。

背景技术：

高性能极大规模集成电路发展亟需先进封装技术推动，三维系统级封装技术(threedimensionalsysteminpackage，3dsip)因具有高集成度、低功耗、低信号损耗和噪声、小型化、轻型化等特点，成为新一代的三维高密度集成技术。硅通孔转接板技术(though-silicon-viainterposer，tsvinterposer)作为3dsip技术的主流分支，也已成为国内外学术界和工业界最热门的研究方向，对于推动集成电路行业发展具有重要现实意义和战略意义。

在基于tsv转接板的3d封装结构上，微组装技术及转接板的可靠性上存在着一些挑战，如采用新的封装结构和材料，采用大尺寸大功率裸片和小尺寸细间距芯片。在此基础上，转接板还需铺设再分布层(redistributionlayer，rdl)，以此，来增加转接板上的输入/输出接口(input/output，io)数量。rdl是材料顶层或者底层上面的一层金属，例如铝(al)，亦即，rdl通常铺设在转接板正面和/或背面。现有技术中，由于通常将rdl设置在转接板正面和/或背面，为了满足io数量的需求，通常需要铺设多层rdl，由此导致转接板厚度增加，造成了封装电路的结构复杂，集成度低。

因此，如何提高转接板上的rdl集成程度成为亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

因此，本发明要解决的技术问题在于如何提高转接板上的rdl集成程度，从而提供一种转接板的rdl成形方法。

根据第一方面，本发明实施例提供了一种转接板的rdl成形方法，包括：

对转接板的正面进行不完全刻穿的刻蚀得到第一刻蚀纹路；对转接板的背面进行不完全刻穿的刻蚀得到第二刻蚀纹路；导通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路；在第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间形成第三刻蚀纹路；分别对第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路进行rdl处理。

可选地，导通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路包括：联通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路；对第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路的联通处进行填铜导通。

可选地，在第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间形成第三刻蚀纹路包括：将第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间的填铜至少部分刻蚀形成第三刻蚀纹路。

可选地，在在第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间形成第三刻蚀纹路之后，在分别对第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路进行rdl处理之前，还包括：在第三刻蚀纹路上填充绝缘材料。

可选地，转接板为硅基转接板。

可选地，绝缘材料为环氧树脂注塑化合物。

根据本发明实施例提供的转接板的rdl成形方法，对转接板的正面以及背面进行不完全刻穿的刻蚀得到第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路，而后，由于导通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路，在第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间形成第三刻蚀纹路，由此，在转接板内部可以形成rdl线路，相对于现有技术中，在转接板的正面和/或背面形成rdl线路的方式，本实施例提供的方案在转接板内部形成rdl线路，提高了单一转接板的rdl线路数量，从而能够提高单一转接板上单位面积上所能承载的io数量，提高了转接板的集成度。

作为可选的技术方案，由于在第三刻蚀纹路的一侧填充绝缘材料，使得转接板内部rdl线路有稳定的构造。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

图1为本发明实施例中一种转接板的rdl成形方法的流程图。

图2为本发明实施例中一种转接板的正视结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了提高转接板上的rdl集成程度，本实施例提供一种转接板的rdl成形方法，请参考图1，为该转接板的rdl成形方法流程图，本实施例中，所称转接板优选为硅基转接板，该转接板的rdl成形方法包括：

步骤s1，对转接板的正面进行不完全刻穿的刻蚀得到第一刻蚀纹路。请参考图2，为本实施例的一种转接板的正视结构示意图，本实施例中，以转接板为硅基转接板为例进行说明。在具体实施例中，可以采用例如光刻的方式对转接板的正面进行刻蚀得到第一刻蚀纹路101。

步骤s2，对转接板的背面进行不完全刻穿的刻蚀得到第二刻蚀纹路。请参考图2，在具体实施例中，可以采用例如光刻的方式对转接板的背面进行刻蚀得到第二刻蚀纹路102。本实施例中，第一刻蚀纹路101和第二刻蚀纹路102分别位于转接板相对的两侧。

需要说明的是，本实施例中，并不限制步骤s1和步骤s2之间的执行先后顺序。

步骤s3，导通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路。在具体实施例中，可以通过填金属例如填铜的方式来导通第一刻蚀纹路101和第二刻蚀纹路102。

步骤s4，在第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间形成第三刻蚀纹路。本实施例中，在导通第一刻蚀纹路101和第二刻蚀纹路102之后，可以在第一刻蚀纹路101和第二刻蚀纹路102之间进行刻蚀等方式来形成第三刻蚀纹路103。

步骤s5，对第一刻蚀纹路、第二刻蚀纹路和第三刻蚀纹路进行封装处理。

在可选的实施例中，在执行步骤s3的操作时，导通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路包括：联通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路，对第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路的联通处进行填铜导通。本实施例中，所称联通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路是指使得第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间具有通路。具体地，可以对转接板进行例如光刻，使第一刻蚀纹路与第二刻蚀纹路形成通孔，而后对通孔进行电镀填铜，从而使得第一刻蚀纹路与第二刻蚀纹路导通。本实施例中，联通第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路时，可以是第一纹路至少有一处向第二纹路联通，也可以至少是第二纹路至少有一处向第一纹路联通。

在可选的实施例中，在执行步骤s4的操作时，在第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间形成第三刻蚀纹路包括：将第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间的填铜至少部分刻蚀形成第三刻蚀纹路。

为了使得转接板内部rdl线路有稳定的构造，在可选的实施例中，在将第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间的填铜至少部分刻蚀后，可以在刻蚀的部分填充绝缘材料。在具体实施例中，在第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间形成第三刻蚀纹路之后，在对第一刻蚀纹路、第二刻蚀纹路和第三刻蚀纹路进行封装处理之前，还包括：在第三刻蚀纹路的一侧填充绝缘材料，第三刻蚀纹路的一侧为第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间的被至少部分刻蚀铜的一侧。本实施例中，对第三刻蚀纹路可以使用例如环氧树脂注塑化合物(epoxymoldingcompond.，emc)填充，在转接板内部形成一个稳定的构造，从而使得转接板能够实现内部rdl线路。

上述实施例公开的转接板的rdl成形方法，在硅基转接板内部通孔中填铜导通，刻蚀部分填铜后再使用绝缘材料填充，形成稳定的rdl线路，本发明提供的实施例，相比于现有技术中的硅基转接板，通过硅基转接板单位面积的io数量的增加以提高转接板的集成度。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。