用于背面金属化的晶片切片的方法与流程

本公开大体上涉及半导体装置制造，并且更具体地，涉及将其中晶片也接收背面金属化的半导体晶片切片的方法。

背景技术：

半导体装置制造包括将半导体晶片切单成多个半导体管芯。该多个半导体管芯被布置在半导体晶片上，该半导体晶片具有在多个半导体管芯之间在半导体晶片上的在水平方向和垂直方向中延伸的切单线路或划道。

技术实现要素：

在本公开的一个实施例中，提供了一种用于背面金属化的晶片切片的方法，该方法包括：向半导体晶片的正面施加切片带，其中，半导体晶片的正面包括有源电路；切割该半导体晶片的背面，该背面与该正面相对，其中，该切割在该半导体晶片的划道中形成逆行空腔，该逆行空腔具有在该半导体晶片的背面的间隙宽度，并且该逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在该半导体晶片的背面上沉积金属层，其中，该间隙宽度大到足以防止在该逆行空腔上形成金属层；以及在沉积该金属层之后，穿过该半导体晶片的划道进行切割。

上述实施例的一个方面提供负倾斜防止在逆行空腔的侧壁上形成金属层。

上述实施例的另一方面提供从半导体晶片的背面执行穿过划道的切割。

上述实施例的另一方面提供该方法另外包括：在穿过划道的切割之前，在金属层上向半导体晶片的背面施加切片带并翻转该半导体晶片，其中，穿过该划道的切割从该半导体晶片的正面执行。

上述实施例的另一方面提供逆行空腔从半导体晶片的背面向该半导体晶片的正面延伸，并且在该半导体晶片的正面的逆行空腔的宽度大于在该半导体晶片的背面的逆行空腔的间隙宽度。

上述实施例的另一方面提供逆行空腔从半导体晶片的背面延伸至一定深度，使得在该逆行空腔下面的半导体晶片的一部分形成该逆行空腔的底部，并且在逆行空腔的底部的该空腔的宽度大于在该半导体晶片的背面的逆行空腔的间隙宽度。

上述实施例的另一方面提供穿过划道的切割包括穿过在逆行空腔下面的半导体晶片部分的切割。

上述实施例的另一方面提供逆行空腔的侧壁具有至少20度的负倾斜。

上述实施例的另一方面提供切割背面利用一组消蚀技术中的一者执行，该消蚀技术包括：扩散激光消蚀、反射激光消蚀和双激光消蚀。

上述实施例的另一方面提供切片带具有反射表面，一种消蚀技术利用该反射表面以形成具有负倾斜的侧壁。

在本公开的另一实施例中，提供了一种用于背面金属化的晶片切片的方法，该方法包括：向半导体晶片的正面施加玻璃贴，其中，该半导体晶片的正面包括有源电路；切割该半导体晶片的背面，该背面与该正面相对，其中，该切割在该半导体晶片的划道中形成逆行空腔，该逆行空腔具有在该半导体晶片的背面的间隙宽度，该逆行空腔具有在该半导体晶片中的深度，该半导体晶片的一部分保持在该空腔下面并形成该空腔的底部，并且该逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在该半导体晶片的背面上沉积金属层，其中，该间隙宽度大到足以防止在该逆行空腔上形成金属层；以及在沉积该金属层之后，穿过在该逆行空腔下面的该半导体晶片的部分进行切割。

上述实施例的一个方面提供负倾斜防止在逆行空腔的侧壁上形成金属层。

上述实施例的另一方面提供从半导体晶片的背面执行穿过该半导体晶片的部分的切割。

上述实施例的另一方面提供该方法另外包括：在穿过半导体晶片的部分的切割之前，在金属层上向该半导体晶片的背面施加切片带并翻转该半导体晶片，其中，穿过该半导体晶片的部分的切割从该半导体晶片的正面执行。

上述实施例的另一方面提供在逆行空腔的底部的该空腔的宽度大于在半导体晶片的背面的该逆行空腔的间隙宽度。

在本公开的另一实施例中，提供了一种用于背面金属化的晶片切片的方法，该方法包括：向半导体晶片的背面施加第一切片带，其中，该背面与包括有源电路的该半导体晶片的正面相对；利用斜边锯切割该半导体晶片的正面，其中，该切割在该半导体晶片的划道中形成逆行空腔，该逆行空腔具有在该半导体晶片的背面的间隙宽度，并且该逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；向该半导体晶片的正面施加第二切片带并翻转该半导体晶片；在该半导体晶片的背面上沉积金属层，其中，该间隙宽度大到足以防止在该逆行空腔上形成金属层；以及在沉积该金属层之后，穿过该半导体晶片的划道进行切割。

上述实施例的一个方面提供负倾斜防止在逆行空腔的侧壁上形成金属层。

上述实施例的另一方面提供从半导体晶片的背面执行穿过划道的切割。

上述实施例的另一方面提供该方法另外包括：在穿过划道的切割之前，在金属层上向半导体晶片的背面施加第三切片带并翻转该半导体晶片，其中，穿过该划道的切割从该半导体晶片的正面执行。

上述实施例的另一方面提供斜边锯到达在半导体晶片中的预定深度以形成逆行空腔，该斜边锯在该半导体晶片的背面具有第一宽度以形成该逆行空腔的间隙宽度，并且在该半导体晶片的正面具有第二宽度以形成在该正面的该逆行空腔的宽度，并且该第二宽度比该第一宽度更宽。

附图说明

通过参看附图，可以更好地理解本发明，并且使得本领域的技术人员清楚本发明的许多目标、特征和优点。

图1a至图1d示出根据一些实施例的描绘在实现本公开的例子晶片切片工艺的各种步骤之后的半导体晶片的框图。

图2示出根据一些实施例的描绘在实现本公开的另一例子晶片切片工艺的步骤之后的半导体晶片的框图。

图3至图5示出根据一些实施例的描绘用于实现本公开的晶片切片的例子激光源的框图。

图6a至图6b示出根据一些实施例的描绘在实现本公开的另一例子晶片切片工艺的各种步骤之后的半导体晶片的框图。

图7a至图7e示出根据一些实施例的描绘在实现本公开的另一例子晶片切片工艺的各种步骤之后的半导体晶片的框图。

本发明借助于例子来进行说明且不受附图限制，在附图中，除非另外指出，否则类似的附图标记指示类似的元件。附图中的元件为简单和明晰起见被图示并且不必按比例绘制。

具体实施方式

以下内容阐述旨在说明本发明的各种实施例的详细描述，且不应视为限制性的。

概要

超薄基板目前用于较高功率装置，例如ldmos(横向扩散的金属氧化物半导体)晶体管。厚金属层被应用于半导体晶片的背面而不是更大封装以便降低封装成本。然而，与半导体晶片切片工艺兼容的典型激光切片与添加厚金属层不兼容。能够切割厚金属层的激光器与半导体晶片切片工艺不兼容。代替地，锯用于切单具有厚金属层的晶片。然而，在薄半导体晶片上的厚金属层的组合往往由于在切片工艺期间的废金属飞出而对半导体管芯产生切削管芯、金属纵条和其它可能损坏。类似问题已经在切单具有厚金属层的更厚基板时发现。

本公开提供用于背面金属化的晶片切片工艺，该晶片切片工艺包括在晶片的背面上沉积厚金属层之前在该晶片的管芯之间的划道中形成逆行空腔。逆行空腔可以使用激光切片或旋转锯片或类似分离技术形成。逆行空腔在管芯之间形成间隙宽度以防止在该管芯之间形成厚金属层，这由于在该管芯之间的完整厚金属层并不需要切割，从而产生更小电阻最终分离工艺。逆行空腔的侧壁也具有足够负倾斜以防止在该侧壁上形成金属。根据管芯大小、基板或晶片厚度以及金属层厚度，逆行空腔可以部分通过晶片或完全通过晶片延伸。最终分离工艺也可以使用激光切片或旋转锯片或类似分离技术完成。

例子实施例

图1a至图1d示出描绘在本公开的晶片切片工艺100的各种步骤之后的半导体晶片104的框图。半导体晶片104具有正面106和与该正面106相对的背面108。半导体晶片104包括布置成行和列的多个管芯，例如管芯110(1)和110(2)。管芯在行方向和列方向两者中通过划道宽度116彼此隔开。半导体晶片104也包括位于正面106上的用于多个管芯中的每者的有源电路，其中，该有源电路包括集成电路部件，当管芯被供电时，该集成电路部件起作用。半导体晶片104具有在正面106和背面108之间测量的宽度，该晶片宽度的量值处于15微米至360微米的范围内。在一些实施例中，晶片宽度处于75微米至125微米的典型范围内。在一些实施例中，半导体晶片104在晶片切片工艺100之前进行加工并变薄。

本文所述的半导体晶片104(也简单地称作晶片104)可以为任何半导体材料或材料的组合，例如砷化镓、锗化硅、绝缘体上硅(soi)、硅、单晶硅等以及以上材料的组合。用于半导体晶片104上多个管芯的有源电路使用应用于半导体晶片104的一系列众多工艺步骤而形成，该工艺步骤包括但不限于沉积包括电介质材料和金属的半导体材料(例如，生长、氧化、溅镀和共形沉积)、蚀刻半导体材料(例如，使用湿性蚀刻剂或干性蚀刻剂)、平面化半导体材料(例如，执行化学机械抛光或平面化)、执行用于图案化的光刻(包括沉积和移除光刻掩模或其它光致抗蚀剂材料)、离子注入、退火等等。集成电路部件的例子包括但不限于处理器、存储器、逻辑、模拟电路、传感器、mems(微机电系统)装置、独立分立装置(例如电阻器、电感器、电容器、二极管、功率晶体管)等等。在一些实施例中，有源电路可为上文所列的集成电路部件的组合，或可为另一类型的微电子装置。在一些实施例中，有源电路包括ldmos(横向扩散的金属氧化物半导体)晶体管。

如图1a所示，切片带102应用于在有源电路上的晶片104的正面106。在一些实施例中，切片带102包括粘附至晶片104的正面106的粘合表面。在一些实施例中，切片带102由聚合物膜例如pvc(聚氯乙烯)、聚烯烃、聚乙烯或类似材料形成，其中，管芯粘合剂被布置在该聚合物膜的表面上。在一些实施例中，切片带102响应于uv(紫外光)暴露或温度漂移而可去除(例如，管芯粘合剂响应于uv暴露或温度漂移而减弱)。在一些实施例中，切片带102包括从切片带102释放晶片或所得管芯的释放层。在一些实施例中，切片带102包括反射表面，如下文结合图3至图6另外论述。

图1a示出使用切割装置112从晶片104的背面108进行的晶片切片工艺100的切割步骤，其中，晶片104以面向下取向(即，正面106以向下方向取向)。切割装置112在划道宽度116内形成逆行空腔114，例如通过在晶片104的背面108中形成开口并在该划道宽度116内去除晶片104的一部分以形成逆行空腔114的侧壁118。如图1b中示出，此背面开口具有间隙宽度122，并在管芯110(1)和110(2)之间形成间隙。侧壁118从间隙宽度122向下朝向晶片104的正面106倾斜并以某一逆行角度倾斜远离划道宽度116的中心，这被称作负倾斜。换句话说，在划道116的任一侧上，管芯110(1)的侧壁通过远离该划道的中心的负倾斜而凹进到管芯110(1)中，并且管芯110(2)的相对侧壁以类似方式通过远离该划道的中心的负倾斜而凹进到管芯110(2)中。切割装置112的例子在下文中结合图3至图5另外论述。晶片切片工艺的另一实施例将斜边锯用作切割装置112并且在下文中结合图7a至图7e论述。

图1b示出完成的金属层沉积步骤，其中，金属层120被沉积在晶片104的背面108上。金属层沉积的例子包含但不限于溅镀、旋涂、化学气相沉积(cvd)、物理气相沉积(pvd)和共形沉积。金属层120可包括具有合适的导电特性的一种或多种导电材料，例如金、铜、铝、钨等。在一些实施例中，金属层120具有处于10微米至30微米的范围内的厚度，例如20微米的厚度。金属层120可被称作厚金属层120。

逆行空腔114具有在相对的侧壁118之间测量的宽度，其随着从晶片104的背面108测量的深度增加而总体上变宽(例如，具有大体上三角形的横截面构型)。在图1a至图1d中示出的实施例中，逆行空腔114整个穿过晶片104延伸并具有在晶片104的正面106中形成底部宽度126的另一开口。底部宽度126比间隙宽度122大确保侧壁118具有足以防止在侧壁118上金属沉积或至少将该金属沉积最小化的负倾斜所必需的量。在一些实施例中，间隙宽度122和底部宽度126的量值经选择以确保逆行空腔的侧壁至少20度的负倾斜。在一些实施例中，宽度122和126的量值经选择以确保具有处于20度至45度的范围内的逆行角度的负倾斜。应指出，在金属层沉积期间所使用的不同金属中的每者可能需要不同的负倾斜以防止在逆行空腔的侧壁上的金属沉积。底部宽度126也具有等于划道宽度116的最大限度。在一些实施例中，划道宽度116的量值处于60微米至300微米的范围内，尽管在其它实施例中，该划道宽度可更大或更小。在一些实施例中，底部宽度126的量值优选处于20微米至100微米的范围内。逆行空腔的另一实施例在图6a至图6b中示出，其中，逆行空腔并不整个穿过晶片104的一部分延伸，而是晶片104的一部分保持在该逆行空腔下面。

在一些实施例中，间隙宽度122应大到足以防止在逆行空腔114上形成金属层120或至少将该金属层120最小化(例如，金属层120在间隙宽度622上是非连续的)。沉积在晶片104的背面108上的金属中的一些可通过间隙宽度122落下并接近晶片104的正面106形成金属沉积124。根据在图1a中示出的切割期间可能发生的任何异常或缺陷，在侧壁118优选具有从背面108连续至正面106的负倾斜时，侧壁118可具有接近逆行空腔114的底部的微小正倾斜和背面朝向划道的中心的倾斜(例如，具有大体上瓶状或钻石状的横截面构型)。因此，在此类情形中，金属沉积124可连接至接近晶片104的正面106的侧壁118的端部。

图1c示出在金属层120上向晶片的背面108施加切片带102并从晶片104的正面106去除切片带102的晶片切片工艺100的完成的包带步骤。晶片104被翻转并面向上取向(即，正面106在朝上方向中取向)。在一些实施例中，在图1c中示出的切片带102与用在图1a中的切片带类型相同。在其它实施例中，切片带102为不同类型的切片带(例如，用在图1a中的切片带具有反射表面，而用在图1c中的切片带并不具有反射表面)。

图1d示出使用最终切割装置128的从晶片104的正面106进行的晶片切片工艺100的最终切割步骤。最终切割装置128被配置成穿过划道的中心进行切割以完成晶片切片工艺100并将多个管芯彼此切单，包括去除可保持连接至侧壁118的任何金属沉积124。最终切割装置128的例子包括不限于激光器、旋转锯、斜边锯等等。

在间隙宽度122应大到足以确保金属层120在间隙宽度122上为非连续时，根据在图1b中示出的金属层沉积期间可能发生的任何异常或缺陷，金属层120的薄部分可在间隙宽度122上形成。然而，在此类情形中，所得的金属层120的薄部分应比金属层120薄得多(例如，小于5微米)并与金属层120的全厚度相比，仍然使最终切割装置128更容易切割穿过。在间隙宽度122完全防止在间隙宽度122上形成金属层120并且逆行空腔114从背面108至正面106完全延伸的情形中，可能不需要另外的切割步骤(即，在图1d中示出的最终切割步骤可被跳过)。

图2示出描绘在晶片切片工艺的另一实施例中实现的可替换最终切割步骤的框图。晶片切片工艺的该可替换实施例包括图1a的切割步骤、图1b的金属层沉积步骤以及在图2中示出的最终切割步骤。如图2中示出，晶片104在与图1b中利用的切片带相同的切片带上保持面向下取向。最终切割步骤从晶片104的背面108(而不是从正面106)执行，这并不需要翻转晶片104。

图3至图5示出描绘根据本公开的用于晶片切片的作为切割装置112的例子激光源的框图。在本文中论述的激光源可利用脉冲式激光束或连续激光束。在图3至图5中示出的激光切割步骤中的每者从晶片104的背面108执行(即，晶片104的正面106在向下方向中取向)。在图3至图5中示出的激光切割步骤中的每者被示为通过整个晶片104形成逆行空腔，例如通过在晶片104的背面108中形成第一开口(具有间隙宽度)以及在晶片104的正面106中形成第二开口(具有底部宽度)。在正面106中的开口比在背面108中的开口更宽，以及该逆行空腔的侧壁从在背面108中的开口向在正面106中的开口负倾斜。在其它实施例中，在图3至图5中示出的激光切割步骤在晶片104中形成逆行空腔，其中，晶片104的一部分保持在该空腔下面，如下面结合图6a至图6b另外论述。

在一些实施例中，当利用在图3至图5中示出的激光切割步骤中的一者以形成通过整个晶片104的逆行空腔时，使用具有并不吸收激光波长的反射表面306的切片带102是有利的。反射表面306反射返回和到晶片104中的激光源的一个或多个激光束，以有效去除在划道内的晶片104的一部分并且更有效地形成逆行空腔的负倾斜侧壁。具有反射表面306的切片带102可使用嵌入有充当反射体的金属化箔膜的聚合物膜(如上文所论述)形成。

图3示出提供扩散激光烧蚀的激光源300。激光源300提供具有在划道宽度的中心上向下引导的路径302的激光束，其中，随着激光束更远地离开激光源300并且更深入到晶片104中行进，激光束路径302变宽或扩散，从而形成具有负倾斜的侧壁。在一些实施例中，负倾斜以至少20度的逆行角度308形成，如从该光束的中心出射到侧壁所测量。在一段时间内，激光束路径302在晶片104的背面108中形成开口并去除在划道内的晶片104的一部分。在另一段时间内，激光束路径302继续去除晶片104的一部分并到达晶片104的正面，从而在晶片104的正面106中形成更宽开口。

图4示出提供反射激光烧蚀的激光源400。激光源400提供具有在划道宽度的中心上向下引导的路径402的激光束。激光束路径402也从在激光源400下面的晶片104的半导体材料朝上反射并反射到晶片104的周围部分中，从而形成具有负倾斜的侧壁。在一段时间内，激光束路径402在晶片104的背面108中形成开口并去除在划道内的晶片104的一部分。在另一段时间内，激光束路径402继续去除晶片104的一部分并到达晶片104的正面，从而在正面106中形成更宽开口。

图5示出提供双激光烧蚀的激光源500。激光源500提供具有在划道宽度的中心上向下引导的路径502(1)和502(2)的一对激光束，其中，激光束路径502在该划道宽度的中心上彼此交叉。该对激光束中的每者对准在晶片104的正面106中的逆行空腔的对准开口的相对外缘。激光束路径502中的每者也可从在激光源500下面的晶片104的半导体材料朝上反射并反射到晶片104的周围部分中，从而形成具有负倾斜的侧壁。在一段时间内，激光束路径502在晶片104的背面108中形成开口并去除在划道内的晶片104的一部分。在另一段时间内，激光束路径502继续去除晶片104的一部分并到达晶片104的正面，从而在正面106中形成更宽开口。应指出，激光束502(1)-(2)的角度可被调节(例如，升高或降低在划道宽度的中心上的激光束路径的交叉点)，这控制在背面108中的开口的间隙宽度，以及逆行空腔的侧壁504的负倾斜的量。

图6a至图6b示出描绘在另一例子晶片切片工艺600的各种步骤之后的半导体晶片104的框图。切片载体602被应用于在有源电路上的晶片104的正面106。在一些实施例中，切片载体602为切片带，如上文类似地论述。在其它实施例中，切片载体602为玻璃贴，其可在晶片104比200微米更薄或金属层沉积步骤需要高温(例如，大于50℃)时使用。图6a示出在使用切割装置112从背面108进行的晶片切片工艺600的切割步骤之后在划道宽度内形成的所得逆行空腔614。切割装置112在晶片104的背面108中形成开口或间隙宽度622并去除在划道宽度内的晶片104的一部分以形成逆行空腔的侧壁。逆行空腔614并不穿过整个晶片104延伸，而是代替地延伸为到晶片104中的深度630，如从背面108所测量。晶片104的一部分632保持在逆行空腔614下面以形成该逆行空腔614的底部，如在图6b中示出。逆行空腔的宽度626在逆行空腔614的底部处为最大。底部宽度626大于间隙宽度622，并具有等于划道宽度的最大限度。逆行空腔614的侧壁从在背面108的间隙宽度622向逆行空腔614的底部宽度626负倾斜。

图6b示出完成的金属层沉积步骤，其中，金属层120被沉积在晶片104的背面108上，如上文类似地论述。在一些实施例中，间隙宽度622应大到足以防止在逆行空腔614上形成金属层120(例如，金属层120在间隙宽度622上为非连续的)。沉积于晶片104的背面108上的金属中的一些可能通过间隙宽度122落下并在晶片104的其余部分632上的逆行空腔614的底部上形成金属沉积624。金属沉积624和晶片104的其余部分632随后在工艺600的最终切割步骤期间去除。而且，可能在间隙宽度622上无意中形成的金属层120的任何其余薄部分在工艺600的最终切割步骤期间被去除。

在一些实施例中，晶片切片工艺600继续至如在图2中示出的最终切割步骤，其中，该最终切割步骤从晶片104的背面108执行，其中，晶片104面向下取向。在其它实施例中，晶片切片工艺600继续至如在图1c中示出的翻转晶片104以面向上取向的包带步骤，并且接着至如在图1c中示出的从晶片104的正面106执行的最终切割步骤。

图7a至图7e示出描绘在实现作为切割装置112的斜边锯712的另一例子晶片切片工艺700的各种步骤之后半导体晶片104的框图。如图7a中示出，切片带102(如上文所论述)被应用于晶片104的背面108。晶片104面向上取向。斜边锯712具有在(环形)锯片的中心为最宽和在锯片的外缘为最薄的锯片。在一些实施例中，锯片的宽度处于20微米至60微米的范围内。。在一些实施例中，斜边锯712的锯片具有在接近锯片的中心为30微米的宽度736和在接近锯片的边缘为25微米的宽度734。锯片宽度的量值经选择以确保逆行空腔的侧壁至少20度的负倾斜。在一些实施例中，锯片宽度的量值经选择以确保负倾斜处于20度至45度的范围内。

图7a示出使用斜边锯712的晶片切片工艺700的切割步骤，该斜边锯712被插入到在划道宽度的中心上的正面106中以去除在该划道宽度内的晶片104的一部分并形成逆行空腔714。斜边锯712被插入到在晶片104下面的深度，这确保该斜边锯片横跨晶片104。在此深度，该斜边锯片具有在晶片104的背面108的宽度734，其对应于逆行空腔714的间隙宽度722，如图7b中示出。类似地，斜边锯片具有在晶片104的正面106的宽度736，其对应于逆行空腔714的底部宽度726，也如图7b中示出。底部宽度726大于间隙宽度722，其中，逆行空腔714的侧壁718从间隙宽度722向底部宽度726负倾斜。

图7b示出向在有源电路上的晶片的正面106施加切片带102并从晶片104的背面108去除该切片带102的晶片切片工艺700的完成的包带步骤。施加到正面106的切片带102可与施加到晶片104的背面108的切片带102为相同类型或不同类型。晶片104被翻转并且面向下取向。

图7c示出完成的金属层沉积步骤，其中，金属层120被沉积在晶片104的背面108上，如上文结合图1b类似论述。金属沉积724可接近晶片104的正面106形成。应指出，在金属层沉积期间所使用的不同金属可各自需要不同的负倾斜以防止在逆行空腔的侧壁上的金属沉积。

图7d示出在金属层120上向晶片104的背面108施加切片带102并从晶片104的正面106去除切片带102的晶片切片工艺700的完成的后续包带步骤。施加到图7d中的背面108的切片带102可与施加到图7a中的背面108的切片带102和施加到图7b的正面106的切片带102为相同类型或不同类型。晶片104被翻转并面向上取向。

图7e示出使用最终切割装置128从晶片104的正面106进行的晶片切片工艺700的最终切割步骤。最终切割装置128被配置成穿过划道的中心进行切割以完成晶片切片工艺700并且将多个管芯彼此切单，包括去除可保持连接至侧壁718的任何金属沉积724。

晶片切片工艺的可替换实施例包括图7a的切割步骤、图7b的包带步骤、图7c的金属层沉积步骤和图2中示出的最终切割步骤。如图2中示出，晶片104保持面向下取向，并且在不需要翻转晶片104的情况下，最终切割步骤从晶片104的背面108(而不是正面106)执行。

截至目前，应了解已提供了用于背面金属化的晶片切片工艺，其包括在晶片的背面上沉积厚金属层之前，在晶片的管芯之间的划道中形成逆行空腔。逆行空腔在管芯之间形成间隙宽度以防止在该管芯之间形成厚金属层，这由于在该管芯之间的完整厚金属层并不需要切割，从而产生更小电阻最终分离工艺。逆行空腔的侧壁也具有足够负倾斜以防止在该侧壁上形成金属。

在本公开的一个实施例中，提供了一种用于背面金属化的晶片切片的方法，该方法包括：向半导体晶片的正面施加切片带，其中，半导体晶片的正面包括有源电路；切割该半导体晶片的背面，该背面与该正面相对，其中，该切割在该半导体晶片的划道中形成逆行空腔，该逆行空腔具有在该半导体晶片的背面的间隙宽度，并且该逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在该半导体晶片的背面上沉积金属层，其中，该间隙宽度大到足以防止在该逆行空腔上形成金属层；以及在沉积该金属层之后，穿过该半导体晶片的划道进行切割。

上述实施例的一个方面提供负倾斜防止在逆行空腔的侧壁上形成金属层。

上述实施例的另一方面提供从半导体晶片的背面执行穿过划道的切割。

上述实施例的另一方面提供该方法另外包括：在穿过划道的切割之前，在金属层上向半导体晶片的背面施加切片带并翻转该半导体晶片，其中，穿过该划道的切割从该半导体晶片的正面执行。

上述实施例的另一方面提供逆行空腔从半导体晶片的背面向该半导体晶片的正面延伸，并且在该半导体晶片的正面的逆行空腔的宽度大于在该半导体晶片的背面的逆行空腔的间隙宽度。

上述实施例的另一方面提供逆行空腔从半导体晶片的背面延伸至一定深度，使得在该逆行空腔下面的半导体晶片的一部分形成该逆行空腔的底部，并且在逆行空腔的底部的该空腔的宽度大于在该半导体晶片的背面的逆行空腔的间隙宽度。

上述实施例的另一方面提供穿过划道的切割包括穿过在逆行空腔下面的半导体晶片部分的切割。

上述实施例的另一方面提供逆行空腔的侧壁具有至少20度的负倾斜。

上述实施例的另一方面提供切割背面利用一组消蚀技术中的一者执行，该消蚀技术包括：扩散激光消蚀、反射激光消蚀和双激光消蚀。

上述实施例的另一方面提供切片带具有反射表面，一种消蚀技术利用该反射表面以形成具有负倾斜的侧壁。

在本公开的另一实施例中，提供了一种用于背面金属化的晶片切片的方法，该方法包括：向半导体晶片的正面施加玻璃贴，其中，该半导体晶片的正面包括有源电路；切割该半导体晶片的背面，该背面与该正面相对，其中，该切割在该半导体晶片的划道中形成逆行空腔，该逆行空腔具有在该半导体晶片的背面的间隙宽度，该逆行空腔具有在该半导体晶片中的深度，该半导体晶片的一部分保持在该空腔下面并形成该空腔的底部，并且该逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；在该半导体晶片的背面上沉积金属层，其中，该间隙宽度大到足以防止在该逆行空腔上形成金属层；以及在沉积该金属层之后，穿过在该逆行空腔下面的该半导体晶片的部分进行切割。

上述实施例的一个方面提供负倾斜防止在逆行空腔的侧壁上形成金属层。

上述实施例的另一方面提供从半导体晶片的背面执行穿过该半导体晶片的部分的切割。

上述实施例的另一方面提供该方法另外包括：在穿过半导体晶片的部分的切割之前，在金属层上向该半导体晶片的背面施加切片带并翻转该半导体晶片，其中，穿过该半导体晶片的部分的切割从该半导体晶片的正面执行。

上述实施例的另一方面提供在逆行空腔的底部的该空腔的宽度大于在半导体晶片的背面的该逆行空腔的间隙宽度。

在本公开的另一实施例中，提供了一种用于背面金属化的晶片切片的方法，该方法包括：向半导体晶片的背面施加第一切片带，其中，该背面与包括有源电路的该半导体晶片的正面相对；利用斜边锯切割该半导体晶片的正面，其中，该切割在该半导体晶片的划道中形成逆行空腔，该逆行空腔具有在该半导体晶片的背面的间隙宽度，并且该逆行空腔具有带有负倾斜的侧壁；向该半导体晶片的正面施加第二切片带并翻转该半导体晶片；在该半导体晶片的背面上沉积金属层，其中，该间隙宽度大到足以防止在该逆行空腔上形成金属层；以及在沉积该金属层之后，穿过该半导体晶片的划道进行切割。

上述实施例的一个方面提供负倾斜防止在逆行空腔的侧壁上形成金属层。

上述实施例的另一方面提供从半导体晶片的背面执行穿过划道的切割。

上述实施例的另一方面提供该方法另外包括：在穿过划道的切割之前，在金属层上向半导体晶片的背面施加第三切片带并翻转该半导体晶片，其中，穿过该划道的切割从该半导体晶片的正面执行。

上述实施例的另一方面提供斜边锯到达在半导体晶片中的预定深度以形成逆行空腔，该斜边锯在该半导体晶片的背面具有第一宽度以形成该逆行空腔的间隙宽度，并且在该半导体晶片的正面具有第二宽度以形成在该正面的该逆行空腔的宽度，并且该第二宽度比该第一宽度更宽。

由于实现本发明的设备大部分由本领域的技术人员已知的电子部件和电路构成，因此为了理解和了解本发明的基本概念并且为了不混淆或偏离本发明的教示，将不会以比上文所示出的认为必要的任何更大程度解释电路细节。

此外，在说明书和权利要求书中的术语“正面”、“背面”、“顶部”、“底部”、“上”、“下”等(如果存在的话)用于描述性目的，且未必用于描述永久性相对位置。应理解，如此使用的术语在适当情况下可互换，使得本文中所描述的本发明的实施例例如能够以不是本文中所示出或以其它方式描述的那些取向的其它取向进行操作。

如本文所使用，术语“基本”和“基本上”意味着足以采用实际方式实现陈述的目的，且轻微缺陷(如果存在的话)对于陈述目的并不显著。也如本文所使用，术语“大致”和“约”意味着接近所指示值、量或质量的可接受范围或在该可接受范围内的值，该值也包括准确指示的值本身。

虽然本文中参考具体实施例描述了本发明，但是在不脱离如所附权利要求书阐述的本发明的范围的情况下可以进行各种修改和改变。例如，应考虑到，在附图中示出的逆行空腔的各种尺寸是可调节的。因此，说明书和附图应视为例示性而不是限制性意义，并且意图将所有此类修改都包括在本发明的范围内。并不意图将本文中相对于具体实施例描述的任何优势、优点或针对问题的解决方案理解为任何或所有权利要求的关键、必需或必不可少的特征或要素。

此外，如本文中所使用，术语“一”被定义为一个或多于一个。而且，权利要求书中介绍性短语例如“至少一个”和“一个或多个”的使用不应解释为暗示由不定冠词“一”对另一权利要求要素的介绍将包含此介绍的权利要求要素的任何特定权利要求限于仅含有一个此要素的发明，即使是在同一权利要求包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”和不定冠词例如“一”时。对于定冠词的使用也是如此。

除非以其它方式陈述，否则术语例如“第一”和“第二”用于任意地区别此类术语所描述的要素。因此，这些术语未必意图指示此类要素的时间上的优先级或其它优先级。