技术特征：
技术总结
本发明涉及一种晶硅电池片的制造方法，其中，所述的制造方法包括管式PECVD镀膜步骤，所述的管式PECVD镀膜步骤包括在管式PECVD中进行N2O处理和至少两次的氮化硅层镀膜，在第一次氮化硅层镀膜之后进行所述的N2O处理，所述的晶硅电池片在烧结后无发白现象且具有抗PID性能。采用了该发明中的晶硅电池片的制造方法，在保持膜厚折射率不变的情况下，将原来的单层SiNx膜变更为双层或多层SiNx膜(内层高折射率SiN1，外层低折射率SiN2)，同时在SiN1之后加入N2O对表面进行氧化吹扫清洁，不仅可以解决烧结后发白问题，同时由于N2O本身也具有氧化能力，也带来抗PID功能提升的附加效益。
技术研发人员：王斌;何悦;周东;王在发;任勇
受保护的技术使用者：尚德太阳能电力有限公司
技术研发日：2017.06.28
技术公布日：2017.11.03