技术特征：
技术总结
本申请提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板和显示面板，以简化薄膜晶体管的制作工序，改善有源层沟道区的膜层质量，降低薄膜晶体管的漏电流。薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板之上形成非晶硅层的同时，向该所述非晶硅层掺入预设元素；将含有所述预设元素的所述非晶硅层转换为多晶硅层，其中，所述多晶硅层包括用于作为薄膜晶体管沟道的沟道区、位于所述沟道区一侧用于与源电极对应的第一区、以及位于所述沟道区另一侧用于与漏电极对应的第二区；通过离子注入工艺对所述第一区注入所述预设元素，形成掺杂源区，以及对所述第二区注入所述预设元素，形成掺杂漏区。
技术研发人员：杨昕
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2017.10.20