技术特征：
技术总结
本发明提出了一种多层电容器的制造方法，通过形成多层电容器的第一电极、第二电极和介电层，形成多个电容器层，减小了电容器的体积，再形成介质层以包裹住多层电容器，采用刻蚀的方法刻蚀层叠体一侧的第一电极，使层叠体这一侧的第一电极较第二电极短，采用刻蚀的方法刻蚀层叠体另一侧的第二电极，使层叠体这一侧的第二极较第一电极短，避免了刻蚀大量的沟槽和使用更多的掩模层，精简了工艺、提升了多层电容器的器件的性能。
技术研发人员：刘玮荪
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2017.09.26