技术特征：
技术总结
本发明提供一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，在形成金属氧化物层之后直接对金属氧化物层进行导体化及图案化，得到有源层及位于有源层的两侧并与有源层连接的导体图案，再形成栅极绝缘层，以及栅极、源极和漏极。这样，在制作薄膜晶体管时，可以避免对栅极绝缘层进行大面积蚀刻的工序，从而大大降低刻蚀栅极绝缘层时出现过度蚀刻或者轻度蚀刻的问题，可以较好的满足刻蚀均一性的要求。
技术研发人员：蔡振飞;李永谦;袁粲;袁志东
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
技术研发日：2017.07.20
技术公布日：2017.11.24