技术特征：
技术总结
一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法。现有电沉积方法制备的In薄膜表面呈“岛状”形貌，影响薄膜成分和厚度均匀性，对制备高质量半导体薄膜产生不利影响。本发明提供的脉冲电沉积方法在室温下InCl3或In2(SO4)3水溶液中，在阴极金属衬底上施加脉冲电流信号，通过控制脉冲电流密度、脉冲频率和占空比控制金属形核和生长过程，降低晶核尺寸，形成平整致密薄膜。
技术研发人员：毕金莲;敖建平;高青;张照景;孙国忠;周志强;何青;张毅;孙云
受保护的技术使用者：南开大学
技术研发日：2017.08.07
技术公布日：2017.12.22