半导体装置及半导体封装的制作方法

本发明实施例涉及一种半导体装置及半导体封装。

背景技术：

半导体装置被用于例如个人计算机、手机、数码相机、及其他电子设备等各种电子应用中。半导体装置通常是通过以下方式来制作：在半导体衬底上依序沉积多个绝缘层或介电层、导电层、以及半导体材料层；以及利用光刻法(lithography)对所述各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件及元件。许多集成电路通常是在单个半导体晶片上制成。晶片的管芯可在晶片级上进行处理及封装，且已开发出各种技术用于晶片级封装。

技术实现要素：

本发明实施例是针对一种半导体装置及半导体封装，其可提升半导体装置的散热效率。

根据本发明的实施例，半导体装置包括管芯、保护层、多个第一导电性通孔、多个第二导电性通孔、多个导热性通孔以及连接图案。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上。所述多个第一导电性通孔及所述多个第二导电性通孔延伸穿过所述保护层并分别接触所述第一接垫及所述第二接垫。所述多个导热性通孔设置在所述保护层之上，其中所述导热性通孔中的每一个与所述第一导电性通孔及所述第二导电性通孔间隔开。所述连接图案设置在所述保护层上且连接所述第一导电性通孔及所述导热性通孔。所述导热性通孔通过所述连接图案及所述第一导电性通孔连接到所述第一接垫。

根据本发明的实施例，半导体装置包括管芯、保护层、导电框架以及多个第三通孔。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上并暴露出所述第一接垫及所述第二接垫。所述导电框架设置在所述保护层上且包括多个第一通孔及多个第二通孔，所述第一通孔贯穿所述保护层以分别接触所述第一接垫，所述第二通孔完全设置在所述保护层的上方且通过所述导电框架连接到所述第一接垫。所述第三通孔贯穿所述保护层以分别接触所述第二接垫。

根据本发明的实施例，半导体封装包括模塑半导体装置以及重布线结构。所述模塑半导体装置包括半导体装置及包封所述半导体装置的模塑料。所述半导体装置包括管芯、保护层、导电框架以及多个第三通孔。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上且暴露出所述第一接垫及所述第二接垫。所述导电框架设置在所述保护层上且包括多个第一通孔及多个第二通孔，所述第一通孔贯穿所述保护层以分别接触所述第一接垫，所述第二通孔设置在所述保护层的上方且通过所述导电框架连接到所述第一接垫。所述多个第三通孔贯穿所述保护层以接触所述第二接垫。所述重布线结构设置在所述模塑半导体装置上且包括多个第一重布线通孔，其中所述第一重布线通孔中的第一组第一重布线通孔连接所述第一通孔且所述第一重布线通孔中的第二组第一重布线通孔连接所述第二通孔。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明实施例的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1说明根据本发明一些示例性实施例的半导体装置的示意性剖视图。

图2a到图2f说明根据本发明一些示例性实施例的半导体装置的示意性平面图。

图3a到图3c说明根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造工艺的示意性剖视图。

图4说明根据本发明一些示例性实施例的不同半导体封装的热阻模拟(thermalresistancesimulation)结果。

图5说明根据本发明一些示例性实施例的不同半导体封装的热阻模拟结果。

图6说明根据本发明一些示例性实施例的不同半导体封装的热阻模拟结果。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及构造的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。

另外，为易于说明，本文中可能使用例如“第一(first)”、“第二(second)”、“第三(third)”、“第四(fourth)”等用语来阐述与图中所示者相似或不同的一个或多个元件或特征，且可根据呈现次序或本说明的上下文来可互换地使用所述用语。

图1是根据本发明一些示例性实施例的半导体装置的示意性剖视图。图2a到图2f说明根据本发明一些示例性实施例的半导体装置的示意性平面图。应注意，图1说明图2a中的半导体装置100沿截面线a-a’截取的的剖视图。参照图1及图2，在示例性实施例中，半导体装置100可包括管芯110、保护层120、导电框架130以及多个第三通孔160。管芯110可包括多个第一接垫112及多个第二接垫113。在一些实施例中，第一接垫112可以是管芯110的电源接垫，所述电源接垫可连接到管芯110的vdd电源供应线，且第二接垫113可以是管芯110的信号接垫。保护层120设置在管芯110上，且包括多个开口op用于暴露出第一接垫112及第二接垫113。如图2a到图2f所示，导电框架130设置在保护层120上。导电框架130包括多个第一通孔132及多个第二通孔134。在一些实施例中，半导体装置100可进一步包括设置在保护层120上的另一保护层140，且可暴露出或可不暴露出第一通孔132及第二通孔134。应注意，为了更好地说明导电框架130在保护层120上的布局，在图2a到图2f中省略绘示了设置在保护层120上的保护层140。

在一些实施例中，第一通孔132及第三通孔160设置在开口op处。第一通孔132通过开口op分别接触第一接垫112，且第三通孔160通过开口op分别接触第二接垫113。换句话说，第一通孔132及第三通孔160通过开口op贯穿保护层120，以接触第一接垫112及第二接垫113。在一些实施例中，第二通孔134设置在保护层120的上方而不贯穿保护层120。第二通孔134中的每一个均与开口op中与其距离最近的一个开口op保持距离。也就是说，第二通孔134并不填充在开口op中也不通过开口op直接接触第一接垫112。第二通孔134与开口op之间的距离可相同。在其他实施例中，第二通孔134与开口op之间的距离可不相同。在一些实施例中，第一通孔132与第二通孔134通过连接图案136而相互连接。因此，如图2a到图2f所示，第一通孔132、第二通孔134以及连接图案136可形成导电框架130。在一个实施例中，第一通孔132可以是用于直接连接管芯110的第一接垫112的多个第一导电性通孔。第三通孔160可以是用于直接连接管芯110的第二接垫113的多个第二导电性通孔。第二通孔134可以是用于通过导电框架130的连接图案136及第一通孔132而连接到第一接垫112的导热性通孔，以帮助排散来自管芯110的热量。在一个实施例中，第一通孔132分别设置在第一接垫112正上方。也就是说，保护层120上的第二通孔134不与第一接垫112重叠，而是仅通过连接图案136及第一通孔132而间接连接到第一接垫112。

在示例性实施例中，半导体装置100可进一步包括多个第四通孔150，所述第四通孔150与导电框架130隔离，如图2a到图2f所示。应注意，在图2a到图2f中，由细线绘示的圆圈表示第一通孔132(及图2a中的第三通孔160)，由粗线绘示的圆圈表示第二通孔134，且由虚线绘示的圆圈表示第四通孔150。在一些实施例中，第四通孔150可以是用以接触管芯110的多个接地接垫(例如，图3a到图3c中所示的接地接垫114)的接地通孔。在一个实施例中，第四通孔150可被第一通孔132环绕。应注意，图2a到图2f中所示的第四通孔150的布局仅用于说明目的。第四通孔150的设置并不仅限于此。

参照图2a，在所述实施例中，第一通孔132及第二通孔134中的第一组第二通孔134环绕保护层120的区r1，且第二通孔134中的第二组第二通孔134设置在区r1内且被第一通孔132及第一组第二通孔134环绕。因此，导电框架130环绕保护层120的区r1以连接第一通孔132与第一组第二通孔134，并朝区r1的中心延伸以如图2a所示连接第二组第二通孔134。在一些实施例中，连接图案136可进一步包括第一连接图案136a及第二连接图案136b。第一连接图案136a环绕保护层120的区r1以连接第一通孔132与第一组第二通孔134。第二连接图案136b连接第一通孔132与设置在区r1内的第二组第二通孔134。通过此种配置，分布在保护层120上的金属密度可增大，以提高半导体装置的散热效率。应注意，图2a所示的导电框架130的布局仅用于说明目的。第一通孔132、第二通孔134以及连接图案136的布局并不仅限于此。

应注意，图2b到图2f中的所示的半导体装置100中的每一个均含有许多与之前参照图2a所公开的半导体装置100相同或类似的特征。出于清晰及简洁目的，对相同或类似的特征可不再予以赘述，且相同或类似的参考编号指示相同或相似的组件。此外，为图式简洁起见，在图2b到图2f中省略了第三通孔160的设置，且第三通孔160的设置并不仅限于本发明实施例。图2a所示的半导体装置100与图2b到图2f所示的半导体装置100中的每一个之间的主要差异阐述如下。

参照图2b，在所述实施例中，第一通孔132与第二通孔134一起环绕保护层120的区r1。因此，导电框架130的连接图案136环绕保护层120的区r1，以连接第一通孔132与第二通孔134。

参照图2c，在所述实施例中，第一通孔132环绕保护层120的区r1，而第二通孔134中的至少一些第二通孔134设置在区r1内并被第一通孔132环绕。因此，第一连接图案136a环绕保护层120的区r1以连接第一通孔132，且第二连接图案136b朝区r1的中心延伸以连接第一通孔132与设置在区r1内的第二通孔134。

参照图2d，在所述实施例中，第一通孔132及第二通孔134中的第一组第二通孔134环绕保护层120的区r1，而第二通孔134中的第二组第二通孔134设置在区r1内并被第一通孔132及第一组第二通孔134环绕。因此，第一连接图案136a环绕保护层120的区r1，以连接第一通孔132与第一组第二通孔134。第二连接图案136b朝区r1的中心延伸，用于在第一连接图案136a与第二组第二通孔134之间进行连接。

参照图2e，在所述实施例中，第一通孔132及第二通孔134中的第一组第二通孔134环绕保护层120的区r1，而第二通孔134中的第二组第二通孔134设置在区r1内并被第一通孔132及第一组第二通孔134环绕。因此，第一连接图案136a环绕保护层120的区r1，以连接第一通孔132与第一组第二通孔134。第二连接图案136b朝区r1的中心延伸，用于以格栅形式在第一连接图案136a与第二组第二通孔134之间进行连接。

参照图2f，在所述实施例中，第一通孔132及第二通孔134中的第一组第二通孔134环绕保护层120的区r1，而第二通孔134中的第二组第二通孔134设置在区r1内并被第一通孔132及第一组第二通孔134环绕。因此，第一连接图案136a环绕保护层120的区r1，以连接第一通孔132与第一组第二通孔134。第二连接图案136b朝区r1的中心延伸，用于以格栅形式在第一连接图案136a与第二组第二通孔134之间进行连接，且用于以格栅形式在第二连接图案136b与第二组第二通孔134之间进行连接。应注意，本发明实施例并不限制区r1的大小及形状。图2a到图2f所示的区r1的大小及形状可彼此相同或可彼此不同。

图3a到图3c说明根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造工艺的示意性剖视图。在图1及图2中所述的相同或类似的元件将使用相同的参考编号，且本文中将不再对相同的元件予以赘述。在一些实施例中，示出一个管芯来代表晶片的多个管芯，且示出单个封装来代表多个半导体封装。参照图3a到图3c，在一些实施例中，在图1中所述的半导体装置100可应用到集成扇出型(integratedfan-out，info)封装以形成图3c所示的半导体封装10，且制造工艺阐述如下。应注意，为图式简洁起见，在图3a到图3c中省略了第三通孔160及第二接垫113。

参照图3a，在示例性实施例中，可在载体20上形成多个层间通孔(throughinterlayervias)310，且图1所示的半导体装置100可设置在载体20上。应注意，在此阶段中，另一保护层140a可覆盖管芯110的有源表面。在一些实施例中，保护层140a可覆盖导电框架130。然后，模塑料200a包封层间通孔310及半导体装置100，以形成图3a所示的模塑半导体装置300a。

参照图3b，可对模塑半导体装置300a执行薄化工艺以暴露出层间贯孔310的顶表面、第一通孔132的顶表面、第二通孔134的顶表面以及第四通孔150的顶表面，从而形成图3b所示的模塑半导体装置300。在所述实施例中，模塑料200暴露出层间贯孔310的顶表面，且保护层140暴露出第一通孔132、第二通孔134以及第四通孔150的顶表面。在一些实施例中，所述薄化工艺可包括研磨工艺或化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing，cmp)工艺。在所述薄化工艺之后，可视情况执行清洁步骤，以清洁并移除从薄化步骤产生的残余物。然而，本发明实施例并不仅限于此，且所述薄化工艺可通过任何其他适当的方法来执行。

参照图3c，可在模塑半导体装置300上形成重布线结构400。可选择性地设置焊料球及其他组件以电连接到重布线结构400及/或层间贯孔310。可移除载体20，而半导体封装10的制造工艺可被大致上完成。

据此，半导体封装10可包括模塑半导体装置300以及重布线结构400。模塑半导体装置300可包括上述的半导体装置100以及至少包封半导体装置100的侧表面的模塑料200。在一些实施例中，模塑料200可包含例如环氧树脂或任意其他适当类型的模塑材料。重布线结构400设置在模塑半导体装置300上。在一些实施例中，重布线结构400设置在模塑半导体装置300的暴露出第一通孔132及第二通孔134的第一侧s1上。重布线结构400包括多个第一重布线通孔412a及412b。在一些实施例中，第一重布线通孔中的第一组第一重布线通孔412a连接到第一通孔132，且第一重布线通孔中的第二组第一重布线通孔412b连接到第二通孔134。此外，第一重布线结构400可进一步包括连接到第三通孔160的第三组第一重布线通孔。

在一些实施例中，模塑半导体装置300可进一步包括层间贯孔310，层间贯孔310延伸贯穿模塑料200以电连接到重布线结构400。在一些实施例中，层间贯孔310的两端可如图3c所示从模塑料200暴露出，用于电连接位于模塑半导体装置300的第一侧s1上的导电组件(例如，重布线路)与位于模塑半导体装置300的第二侧s2(与第一侧s1相对)上的导电组件(例如，焊料球)。因此，半导体封装10可通过层间贯孔310电连接到位在模塑半导体装置300的第一侧s1/第二侧s2的其他电子组件。在一些实施例中，半导体封装10可通过多个焊料球电连接到印刷电路板500。

在一些实施例中，重布线结构400可进一步包括第一介电层414、第一重布线路416、第二介电层424以及多个第二重布线通孔422a及422b。第一介电层414设置在模塑半导体装置300的第一侧s1上，且第一重布线通孔412a及412b贯穿第一介电层414以连接第一通孔132及第二通孔134。在一些实施例中，重布线结构400可进一步包括用于连接第四通孔150的多个接地重布线通孔418。第一重布线路416设置在第一介电层414上并连接第一重布线通孔412a及412b。第二介电层424设置在第一介电层414上，且第二重布线通孔422a及422b贯穿第二介电层424并连接第一重布线路416。类似地，可在第二介电层424上连续地堆叠更多个介电层、重布线通孔以及重布线路以形成重布线结构400的多个层，且对应于第二通孔134的重布线通孔可依序彼此连接以进一步增强半导体封装10的散热效率。应注意，出于举例的目的，在图3c中所绘示的重布线结构400具有四层重布线路及重布线通孔，但重布线结构400中的层的数目并不仅限于此。

图4说明根据本发明一些示例性实施例的不同半导体封装的热阻模拟结果。图4中的表显示在具有不同金属密度的不同半导体封装(例示于图4所示的俯视图a到俯视图h中)中对热阻的减小的模拟结果。图4所示的俯视图a到俯视图h显示在不同半导体封装中位于保护层120(在所述表的行(b)中指示为层“pm0”)上的导电框架130及第四通孔150的不同布局。以细线绘示的通孔表示第一通孔132，以粗线绘示的通孔表示第二通孔134，且以虚线绘示的通孔表示第四通孔150。在图2a到图2f中所述的相同或类似的元件将使用相同的参考编号，且本文中将不再对相同的元件予以赘述。

因此，列(1)到列(8)分别示出图4所示俯视图a到俯视图h中的半导体封装的特性。在图4所示的俯视图c中示出的导电框架130的布局与图2c中示出的布局相同，因此对相同或类似的特征可不再予以赘述，且相同或类似的参考编号指示相同或相似的组件。因此，保护层120上的金属密度显著增大(相比于图4所示的俯视图a中作为参考指标的半导体封装的金属密度)。此外，在所述实施例中，第二通孔134的数目被例示为4。通过此种配置，参照图4所示表的列(3)，保护层120(即，表的列(b)中的“pm0”)上的金属密度是19.5％。因此，半导体封装的热阻减小12％(相比于图4所示的俯视图a中作为参考指标的半导体封装的热阻)。

在图4所示的俯视图d中示出的导电框架130的布局与图2b中示出的布局相同，因此对相同或类似的特征可不再予以赘述，且相同或类似的参考编号指示相同或相似的组件。在所述实施例中，第二通孔134的数目增加到8。通过此种配置，参照图4所示表的列(4)，保护层120(即，表的列(b)中的“pm0”)上的金属密度是17.6％，且半导体封装的热阻减小16.4％(相比于图4所示的俯视图a中作为参考指标的半导体封装的热阻)。

在图4所示的俯视图e中示出的导电框架130的布局与图2a中示出的布局相同，因此对相同或类似的特征可不再予以赘述，且相同或类似的参考编号指示相同或相似的组件。因此，参照图4所示表的列(5)，保护层120(即，表的列(b)中的“pm0”)上的金属密度是23.5％，且半导体封装的热阻减小23.2％(相比于图4所示的俯视图a中作为参考指标的半导体封装的热阻)。

在图4所示的俯视图f中示出的导电框架130的布局与图2d中示出的布局相同，因此对相同或类似的特征可不再予以赘述，且相同或类似的参考编号指示相同或相似的组件。在所述实施例中，第二通孔134的数目增加到21。通过此种配置，参照图4所示表的列(6)，保护层120(层pm0)上的金属密度是30.8％，且半导体封装的热阻减小34％(相比于图4所示的俯视图a中作为参考指标的半导体封装的热阻)。

根据类似的概念，第二通孔134的数目可继续增加，且连接图案136被配置成在第一通孔132与第二通孔134之间进行连接，以继续增加金属密度，从而继续增强半导体装置及具有所述半导体装置的半导体封装的散热效率。在图4所示的俯视图a到俯视图h中例示的实施例仅用于说明目的，且本发明实施例并不限制第二通孔134的数目以及保护层120上的导电框架130的布局。

图5说明根据本发明一些示例性实施例的不同半导体封装的热阻模拟结果。图5中的表显示在具有不同金属密度的不同半导体封装(例示于图5所示的俯视图a到俯视图d中)中对热阻的减小的模拟结果。图5所示的俯视图a到俯视图d显示在不同半导体封装中位于保护层120(在所述表中指示为层“pm0”)上的导电框架130及第四通孔150的不同布局。以细线绘示的通孔表示第一通孔132，以粗线绘示的通孔表示第二通孔134，且以虚线绘示的通孔表示第四通孔150。在图2中所述的相同或类似的元件将使用相同的参考编号，且本文中将不再对相同的元件予以赘述。

因此，在图5所示的俯视图b中，第一通孔132环绕保护层120的区r1，而第二通孔134设置在区r1内并被第一通孔132环绕。因此，导电框架130包括环绕保护层120的区r1的第一连接图案136a以连接第一通孔132，而不包括第二连接图案136b以连接第二通孔134。通过此种配置，参照图5所示表的列(2)，保护层120(层pm0)上的金属密度是17.7％，而半导体封装的热阻减小0.2％(相比于图5所示的俯视图a中的参考半导体封装的热阻)。

在图5所示俯视图c中所示的一个实施例中，导电框架130仅包括第二连接图案136b以连接第二通孔134，而不包括环绕保护层120的区以连接第一通孔132的第一连接图案136a。通过此种配置，参照图5所示表的列(3)，在图5c中保护层120(层pm0)上的金属密度是10.3％，此实际上小于图5b所示的金属密度。然而，半导体封装的热阻显著地减小3.4％。此外，在图5所示的俯视图d中，导电框架130包括第一连接图案136a及第二连接图案136b两者。通过此种配置，参照图5所示表的列(4)，保护层120(层pm0)上的金属密度是19.5％，而半导体封装的热阻减小3.5％(相比于图5所示的俯视图a中作为参考指标的半导体封装的热阻)。因此，用于在第一通孔132与第二通孔134之间进行连接的第二连接图案136b在减小热阻方面发挥重要作用。

图6说明根据本发明一些示例性实施例的不同半导体封装的热阻模拟结果。图6中的表显示在重布线结构400中的重布线通孔具有不同排列形式的不同半导体封装(例示于图6所示的剖视图a到剖视图c中)中对热阻的减小的模拟结果。在图3中所述的相同或类似的元件将使用相同的参考编号，且本文中将不再对相同的元件予以赘述。

在图6所示的剖视图a中示出的实施例中，重布线结构400包括位于重布线结构400的第一层上的第二组第一重布线通孔412b、位于重布线结构400的第二层上的第二重布线通孔422b、以及位于重布线结构400的第三层上的多个第三重布线通孔432b。连接第二通孔134的第二组第一重布线通孔412b不与第二重布线通孔422b及第三重布线通孔432b对齐，且图6所示的剖视图a中的半导体封装的热阻被视为参考热阻。

因此，在图6所示的剖视图b中示出的实施例中，第二组第一重布线通孔412b与至少一组第二重布线通孔422b对齐，并且还与至少一组第三重布线通孔432b对齐。通过此种配置，参照图6所示表的列(2)，图6所示剖视图b中的半导体封装的热阻减小37.3％(相比于图6所示的俯视图a中的半导体封装的参考热阻)。

在图6所示的剖视图c中示出的实施例中，第二组第一重布线通孔412b与至少一组第二重布线通孔422b对齐，且不与第三重布线通孔432b对齐。通过此种配置，参照图6所示表的列(3)，图6所示剖视图c中的半导体封装的热阻减小22.2％(相比于图6所示的俯视图a中的半导体封装的参考热阻)，此仍有优异的散热效果。因此，在一些实施例中，第二组第一重布线通孔412b可至少与一组第二重布线通孔422b对齐，以进一步增强半导体封装的散热效率。

根据一些实施例，一种半导体装置包括管芯、保护层、多个第一导电性通孔、多个第二导电性通孔、多个导热性通孔以及连接图案。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上。所述多个第一导电性通孔及所述多个第二导电性通孔延伸穿过所述保护层并分别接触所述第一接垫及所述第二接垫。所述多个导热性通孔设置在所述保护层之上，其中所述导热性通孔中的每一个与所述第一导电性通孔及所述第二导电性通孔间隔开。所述连接图案设置在所述保护层上且连接所述第一导电性通孔及所述导热性通孔。所述导热性通孔通过所述连接图案及所述第一导电性通孔连接到所述第一接垫。

根据一些实施例，所述第一导电性通孔分别设置在所述第一接垫正上方，且所述第二导电性通孔分别设置在所述第二接垫正上方。

根据一些实施例，所述连接图案环绕所述保护层的区以连接所述第一导电性通孔与所述导热性通孔中的至少一组导热性通孔。

根据一些实施例，所述连接图案包括第一连接图案以及第二连接图案。所述第一连接图案环绕所述保护层的区以连接所述第一导电性通孔。所述第二连接图案连接所述第一导电性通孔与所述导热性通孔，其中所述导热性通孔设置在所述区内且被所述第一导电性通孔环绕。

根据一些实施例，所述连接图案包括第一连接图案以及第二连接图案。所述第一连接图案环绕所述保护层的区以连接所述第一导电性通孔与所述导热性通孔中的第一组导热性通孔。所述第二连接图案连接所述第一导电性通孔与所述导热性通孔中的第二组导热性通孔，其中所述导热性通孔中的所述第二组导热性通孔设置在所述区内并被所述第一导电性通孔及所述导热性通孔中的所述第一组导热性通孔环绕。

根据一些实施例，所述连接图案包括第一连接图案以及第二连接图案。所述第一连接图案环绕所述保护层的区以连接所述第一导电性通孔与所述导热性通孔中的第一组导热性通孔。所述第二连接图案连接所述第一连接图案与所述导热性通孔中的第二组导热性通孔，其中所述第二组导热性通孔设置在所述区内且被所述第一导电性通孔及所述第一组导热性通孔环绕。

根据一些实施例，所述半导体装置还包括多个接地通孔，所述接地通孔与所述第一导电性通孔及所述导热性通孔隔离且接触所述管芯的多个接地接垫。所述第一接垫是所述管芯的多个电源接垫且所述第二接垫是所述管芯的多个信号接垫。

根据一些实施例，一种半导体装置包括管芯、保护层、导电框架以及多个第三通孔。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上并暴露出所述第一接垫及所述第二接垫。所述导电框架设置在所述保护层上且包括多个第一通孔及多个第二通孔，所述第一通孔贯穿所述保护层以分别接触所述第一接垫，所述第二通孔完全设置在所述保护层的上方且通过所述导电框架连接到所述第一接垫。所述第三通孔贯穿所述保护层以分别接触所述第二接垫。

根据一些实施例，所述第一通孔分别设置在所述第一接垫正上方，且所述第三通孔分别设置在所述第二接垫正上方。

根据一些实施例，所述导电框架环绕所述保护层的区。

根据一些实施例，所述导电框架环绕所述保护层的区以连接所述第一通孔，且所述导电框架朝所述区的中心延伸以连接所述第二通孔。

根据一些实施例，所述导电框架环绕所述保护层的区以连接所述第一通孔与所述第二通孔中的第一组第二通孔，且所述导电框架朝所述区的中心延伸以连接所述第二通孔中的第二组第二通孔。

根据一些实施例，所述半导体装置进一步包括多个第四通孔，所述多个第四通孔与所述导电框架隔离且接触所述管芯的多个接地接垫，且所述第二接垫是所述管芯的多个信号接垫。

根据一些实施例，一种半导体封装包括模塑半导体装置以及重布线结构。所述模塑半导体装置包括半导体装置及包封所述半导体装置的模塑料。所述半导体装置包括管芯、保护层、导电框架以及多个第三通孔。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上且暴露出所述第一接垫及所述第二接垫。所述导电框架设置在所述保护层上且包括多个第一通孔及多个第二通孔，所述第一通孔贯穿所述保护层以分别接触所述第一接垫，所述第二通孔设置在所述保护层的上方且通过所述导电框架连接到所述第一接垫。所述多个第三通孔贯穿所述保护层以接触所述第二接垫。所述重布线结构设置在所述模塑半导体装置上且包括多个第一重布线通孔，其中所述第一重布线通孔中的第一组第一重布线通孔连接所述第一通孔且所述第一重布线通孔中的第二组第一重布线通孔连接所述第二通孔。

根据一些实施例，所述第一通孔分别设置在所述第一接垫正上方，且所述第二通孔分别设置在所述第二接垫正上方。

根据一些实施例，所述导电框架环绕所述保护层的区。

根据一些实施例，所述导电框架环绕所述保护层的区以连接所述第一通孔，且所述导电框架朝所述区的中心延伸以连接所述第二通孔。

根据一些实施例，所述导电框架环绕所述保护层的区以连接所述第一通孔与所述第二通孔中的第一组第二通孔，且所述导电框架朝所述区的中心延伸以连接所述第二通孔中的第二组第二通孔。

根据一些实施例，所述半导体装置进一步包括多个第四通孔，所述多个第四通孔与所述导电框架隔离且接触所述管芯的多个接地接垫，其中所述第一接垫是所述管芯的多个电源接垫，且所述第二接垫是所述管芯的多个信号接垫。

根据一些实施例，所述重布线结构还包括第一介电层、第一重布线路、第二介电层以及多个第二重布线通孔。所述第一介电层设置在所述模塑半导体装置上，其中所述第一重布线通孔贯穿所述第一介电层。所述第一重布线路设置在所述第一介电层上且连接所述第一重布线通孔。所述第二介电层设置在所述第一介电层上。所述第二重布线通孔贯穿所述第二介电层且连接所述第一重布线路，其中所述第二组第一重布线通孔与所述第二重布线通孔中的一组第二重布线通孔对齐。

以上概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本发明实施例的各个方面。所属领域中的技术人员应理解，其可容易地使用本发明实施例作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的及/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，这些等效构造并不背离本发明实施例的精神及范围，而且他们可在不背离本发明实施例的精神及范围的条件下对其作出各种改变、代替、及变更。

[符号的说明]

10：半导体封装

20：载体

100：半导体装置

110：管芯

112：第一接垫

113：第二接垫

114：接地接垫

120：保护层

130：导电框架

132：第一通孔

134：第二通孔

136：连接图案

136a：第一连接图案

136b：第二连接图案

140、140a：保护层

150：第四通孔

160：第三通孔

200、200a：模塑料

300、300a：模塑半导体装置

310：层间贯孔

400：重布线结构

412a、412b：第一重布线通孔

414：第一介电层

416：第一重布线路

418：接地重布线通孔

422a、422b：第二重布线通孔

424：第二介电层

432b：第三重布线通孔

500：印刷电路板

op：开口

r1：区

s1：第一侧

s2：第二侧