用于高频去藕的基站天线的制作方法

本实用新型涉及一种天线，尤其涉及一种用于高频去藕的基站天线。

背景技术：

目前现有技术中的基站天线或天线系统，虽然基本解决了低频辐射页面对高频的影响，但是低频自身由于所加入的感性器件，导致电流不够平衡，对某些性能和带宽有一定的限制。

针对现有技术中所存在的问题，提供一种用于高频去藕的基站天线具有重要意义。

技术实现要素：

为解决上述问题，本实用新型提供一种用于高频去藕的基站天线。

为实现上述目的，本实用新型的用于高频去藕的基站天线，包括振子辐射面和支撑面，所述振子辐射面由上下两层铜面垂直交叉连接而成，所述铜面上均设置有辐射叶片，所述辐射叶片上设置有滤波网络，所述支撑面的一端固定在所述振子辐射面的固定点上，所述固定点为所述上下两层铜面垂直交叉组合的交叉点；

进一步地，所述铜面上分别设置有左右两片辐射叶片，所述左右两片辐射叶片的形状相同且以所述铜面的中线为轴左右相对称，所述辐射叶片的一端设置在所述铜面的中心，另一端延伸至所述铜面的端部；

进一步地，所述辐射叶片的宽度由所述铜面的中心向所述铜面的端部逐渐变宽；

进一步地，所述支撑面为交叉结构的巴伦；

进一步地，所述巴伦的上半部分开设有长槽，所述长槽用于改善低端的交叉极化指标；

进一步地，所述上下两层铜面采用耦合或过孔的方式相连接；

进一步地，所述滤波网络为对称的H型结构。

本实用新型的用于高频去藕的基站天线选用H型对称滤波网络和具有渐变形状的双层辐射叶片，在实现了低频宽带性能的同时，减小了低频对高频的影响。同时通过在支撑面巴伦的上半段开槽的方式，改善了低频低端的交叉极化，同时不影响辐射效率。

附图说明

图1为本实用新型所述用于高频去藕的基站天线的结构示意图；

图2为本实用新型所述振子辐射面的结构示意图；

图3为本实用新型所述支撑面的结构示意图。

具体实施方式

下面，结合附图，对本实用新型的结构以及工作原理等作进一步的说明。

如图1所示和图2所示，图1为本实用新型所述用于高频去藕的基站天线的结构示意图，图2为本实用新型所述振子辐射面1的结构示意图。所述用于高频去藕的基站天线的结构包括振子辐射面1和支撑面2，所述振子辐射面1由上下两层铜面垂直交叉连接而成，在本实用新型优选的实施例中，所述上下两层铜面采用耦合或过孔的方式相连接，从而改善自身带宽；

所述铜面上均设置有辐射叶片3，在本实用新型优选的实施例中，所述铜面上分别设置有左右两片辐射叶片3，所述左右两片辐射叶片3的形状相同且以所述铜面的中线为轴左右相对称，所述辐射叶片3的一端设置在所述铜面的中心，另一端延伸至所述铜面的端部；同时，所述辐射叶片3采用渐变设计，即：所述辐射叶片3的宽度由所述铜面的中心向所述铜面的端部逐渐变宽；

所述辐射叶片3上设置有一节或多节滤波网络4，所述滤波网络4的节数及位置取决于高频激励时低频叶片的电流分布，在本实用新型优选的实施例中，所述滤波网络4为一节，且所述滤波网络4采用对称的H型结构，所述对称的H型结构的滤波网络4可以在多频段基站天线环境中，实现了良好的去藕性能。

如图3所示，图3为所述支撑面2的结构示意图。所述支撑面2为交叉结构的巴伦，所述支撑面2的一端固定在所述振子辐射面1的固定点5上，所述固定点5为所述上下两层铜面垂直交叉组合的交叉点，所述巴伦的上半部分开设有一个或多个长槽，在本实用新型优选的实施例中，所述支撑面2是基于PCB设计的交叉结构的巴伦，所述支撑面2的巴伦的上半部分开设有一个长槽6，所述长槽6用于改善低端的交叉极化指标。所述支撑面2的一端固定在所述振子辐射面1的固定点5上，所述固定点5为所述上下两层铜面垂直交叉组合的交叉点。

如图所示，在本实用新型优选的实施例中，所述对称的H型结构的滤波网络4的选取的位置经过优化，从电流分布的仿真结果来看，当分别激励低频单元附件的高频单元的+45极化时，低频的辐射叶片3上有很强的耦合电流，因此，通常地将所述对称的H型结构的滤波网络4放置在所述辐射叶片3上耦合电流最强的位置，可以看到在相同的激励情况下，所述辐射叶片3上的耦合电流主要集中在滤波网络上，而所述辐射叶片3上的电流量则有所减小，从而减小了低频辐射叶片对高频的辐射性能的影响。当低频自身工作时，电流分布则十分对称，则其自身的辐射方向图性能较好。

以上，仅为本实用新型的示意性描述，本领域技术人员应该知道，在不偏离本实用新型的工作原理的基础上，可以对本实用新型作出多种改进，这均属于本实用新型的保护范围。