一种III‑V族半导体MOSHEMT器件的制作方法

技术特征：

1.一种III-V族半导体MOSHEMT器件，其特征是，包括单晶衬底(101)、变In组分In_xAl_1-xAs缓冲层(102)、In_0.52Al_0.48As缓冲层(103)、第一层In_0.7Ga_0.3As沟道层(105)、第二层In_0.6Ga_0.4As沟道层(106)、第三层In_0.5Ga_0.5As沟道层(107)、In_0.52Al_0.48As势垒层(109)、窄带隙欧姆接触层(110)、源漏金属(111)、栅介质(112)和栅金属(113)；

单晶衬底(101)、变In组分In_xAl_1-xAs缓冲层(102)、In_0.52Al_0.48As缓冲层(103)、第一层In_0.7Ga_0.3As沟道层(105)、第二层In_0.6Ga_0.4As沟道层(106)、第三层In_0.5Ga_0.5As沟道层(107)、In_0.52Al_0.48As势垒层(109)和窄带隙欧姆接触层(110)自下而上依次叠放；

窄带隙欧姆接触层(110)的中间部分开设有有源区；源漏金属(111)设置在窄带隙欧姆接触层(110)，源漏金属(111)的中间部分开设有栅槽；栅介质(112)填充在有源区和栅槽中；栅金属(113)呈T形，其下部嵌入栅介质(112)中。

2.根据权利要求1所述一种III-V族半导体MOSHEMT器件，其特征是：In_0.52Al_0.48As缓冲层(103)的上部设有第一平面掺杂层(104)。

3.根据权利要求1所述一种III-V族半导体MOSHEMT器件，其特征是：第三层In_0.5Ga_0.5As沟道层(107)的上部设有第二平面掺杂层(108)。

4.根据权利要求1所述的一种III-V族半导体MOSHEMT器件，其特征是，单晶衬底(101)为GaAs族的单晶衬底(101)。