一种无网结网版边框线槽结构及利用其制得的电池片的制作方法

本实用新型属于晶硅太阳能电池生产技术领域，具体涉及一种无网结网版边框线槽结构及利用其制得的电池片。

背景技术：

晶硅太阳能电池的制造工艺中，需要在硅片表面制作栅线以收集硅片中光电转换产生的电流，现有技术采用如下工艺制作栅线：首先在掩膜版上制作栅线图形，利用该图形在网版上对涂覆的光敏胶进行曝光和显影进行光刻，制作出光敏胶中空线槽，然后通过丝网印刷将导线金属浆料(如银浆)透过网版的槽线印刷在硅片上，烧结制成栅线。如图1所示，现有的网版包括网布和光敏胶层，光敏胶层涂覆在不锈钢网布上，编织不锈钢网布的经线2和纬线3之间相互交叉。掩膜版上制备有栅线图形，将掩膜版紧贴于网版上有光敏胶层的一面，用紫外光照射，没有被掩膜版栅线图形遮挡的部分，在紫外光条件下固化，而遮挡的部分可冲洗掉，形成槽线。这些形成的槽线，与经线2和纬线3之间并没有固定的位置关系，往往是互相交叉的，因而丝网中经线2和纬线3形成的交叉点大量的出现在槽线中。

为了提高电池片的光电转换效率，需要尽可能减小硅片上栅线的宽度，以增大光照面积，但是，当槽线宽度过窄时(通常为微米级)，因为这些经线2和纬线3的交叉点的存在，会阻碍金属导线浆料顺利 的从槽线漏印在硅片上；同时印刷浆料时，在经线2和纬线3交叉点位置与经紫外光固化后显影时在槽线部位形成的光敏胶的边沿构成的三角形区域内，具有一定粘度的浆料会不断累积，导致金属浆料能够在槽线中有效渗透通过丝网的面积不断减少，因此，造成硅片上导电栅线出现低点或断点，从而导致栅线的导电性能较差，影响了制得的晶硅电池片的光电转化效率。

另外，金属丝网在编织过程中，由于编织方法的原因，经线2可以始终保持很直，但是纬线3不是很直；如图1所示，边框线为一直线，且沿纬线3放置时，由于纬线3的倾斜或者弯曲，导致边框线槽1的槽壁线与纬线3有很长一部分重叠，导致边框线宽度变窄甚至断栅，边框线成型质量差，不利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率。如果加粗边框线宽度，则使用的印刷浆料较多，同时遮挡光线的面积也大，也影响光电转换效率。

技术实现要素：

本实用新型的目的是克服现有技术存在边框线槽的槽壁线与纬线有很长一部分重叠，导致边框线宽度变窄甚至断栅，边框线成型质量差，不利于提高光电转化效率；若加粗边框线宽度，则使用的印刷浆料较多，同时遮挡光线的面积也大，也影响光电转换效率的缺陷，提供一种边框线成型质量好，导电性高，利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率的；可减少金属浆料使用量，同时能降低遮挡光线的面积，提高光电转换效率的无网结网版边框线槽结 构。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种无网结网版边框线槽结构，其包括设置于网版上的边框线槽、多个垂直连通边框线槽的栅线槽和主栅槽，以及相互垂直交叉的经线和纬线,每个栅线槽均设于两根相邻的经线之间，边框线槽包括多个第一通槽，各第一通槽相互连通且构成“一”字形，边框线槽的走向和纬线的方向平行，每个第一通槽的两侧槽壁均为朝槽外弯曲的弧面且垂直于网版的上表面。

本实用新型的各第一通槽相互连通且构成“一”字形，形成糖葫芦状通槽结构，不会出现纬线与边框线的同方向重叠部分太长导致使边框线变窄而浆料不易被印刷透过网版网布的现象，按此方法制成的边框线成型质量好，导电性高，利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率。此外，由于相邻的两个第一通槽之间具有人字型的弧形连接部，因此相比现有技术的等宽的边框线槽来说，本实用新型的一种无网结网版边框线槽结构减少了金属浆料使用量，同时降低了遮挡光线的面积，提高了光电转换效率。

另外，由于金属丝网在编织过程中，经线可以始终保持很直，并且每个栅线槽均设于两根相邻的经线之间，因此不会出现经线和纬线交叉点位于栅线槽之中，金属浆料能够在槽线中有效地均匀地渗透通过丝网，硅片上导电栅线不会出现低点或断点，从而栅线的导电性能更好，制得的晶硅电池片的光电转化效率高。

具体地，边框线槽包括多个第二通槽，相邻的两个第一通槽之间通过第二通槽连通，每个第二通槽均为直线型通槽。由于第二通槽的槽宽就是第一通槽两端最窄的部分，且第二通槽和第一通槽间隔设置并连通；因此即使纬线设置的较为倾斜，也与边框线槽的槽壁线整体重合程度较少，从而边框线成型质量更好，导电性更高，更有利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率。

进一步地，第一通槽和第二通槽的槽长分别等于相邻的两根经线间距的0.1-2倍，第一通槽和第二通槽的槽长相等或不等；将掩膜版上两个通槽连接线和经线平行，光感后即可得到上述网版结构，制得的栅线槽即可始终位于两根平行的经线之间，同时边框线槽的走向即可大致与纬线的方向平行，制造方便，实施简单，网版成型质量高，生产效率高。

优选地，如图2所示，边框线槽的最宽槽宽为相邻的两根纬线间距的0.3～0.9倍,且不小于10微米。金属浆料的透过量较少，边框线宽度窄，光电转换效率高。

另外，利用本实用新型的一种无网结网版边框线槽结构制得的电池片，电池片上设有通过栅线槽制得的栅线，以及通过第一通槽和第二通槽制得的边框线，栅线相互平行且宽度相等，边框线呈周期性膨大凸起的形状。栅线低点或断点少，导电性能好，利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率；因倾斜的纬线与边框线槽的槽壁线不会出现过度重合的现象，从而制得呈周期性膨大凸起的形状的边框线， 从而边框线成型质量更好，并且两个膨大凸起之间具有较大的空隙，利于增大光照面积，提高光电转化效率。

本实用新型的一种无网结网版边框线槽结构的有益效果是：

1.本实用新型的各第一通槽相互连通且构成“一”字形，形成糖葫芦状通槽结构，不会出现纬线与边框线的同方向重叠部分太长的现象，从而不会导致使边框线变窄而浆料不易被印刷透过网版网布，按此方法制成的边框线成型质量好，导电性高，利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率；

2.此外，由于相邻的两个第一通槽之间具有人字型的弧形连接部，因此相比现有技术的等宽的边框线槽来说，本实用新型的一种无网结网版边框线槽结构减少了金属浆料使用量，同时降低了遮挡光线的面积，提高了光电转换效率。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是现有的网版中的边框线结构的内部剖视图；

图2是本实用新型的一种无网结网版边框线槽结构的内部剖视图。

其中:1.边框线槽，101.第一通槽，102.第二通槽；2.经线；3.纬线；4.栅线槽；5.网版。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图2所示的本实用新型的一种无网结网版边框线槽结构的具体实施例，其包括设置于网版5上的边框线槽1、多个垂直连通边框线槽1的栅线槽4和主栅槽，以及相互垂直交叉的经线2和纬线3,每个栅线槽4均设于两根相邻的经线2之间，边框线槽1包括多个第一通槽101，各第一通槽101相互连通且构成“一”字形，边框线槽1的走向和纬线3的方向平行，每个第一通槽101的两侧槽壁均为朝槽外弯曲的弧面且垂直于网版5的上表面。

本实施例的各第一通槽101相互连通且构成“一”字形，形成糖葫芦状通槽结构，不会出现纬线3与边框线的同方向重叠部分太长导致使边框线变窄而浆料不易被印刷透过网版5网布的现象，按此方法制成的边框线成型质量好，导电性高，利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率。此外，由于相邻的两个第一通槽101之间具有人字型的弧形连接部，因此相比现有技术的等宽的边框线槽1来说，本实施例的一种无网结网版边框线槽结构减少了金属浆料使用量，同时降低了遮挡光线的面积，提高了光电转换效率。

另外，由于金属丝网在编织过程中，经线2可以始终保持很直，并且每个栅线槽4均设于两根相邻的经线2之间，因此不会出现经线2和纬线3交叉点位于栅线槽4之中，金属浆料能够在槽线中有效地均匀地渗透通过丝网，硅片上导电栅线不会出现低点或断点，从而栅线的导电性能更好，制得的晶硅电池片的光电转化效率高。

具体地，边框线槽1包括多个第二通槽102，相邻的两个第一通槽101之间通过第二通槽102连通，每个第二通槽102均为直线型通槽。由于第二通槽102的槽宽就是第一通槽101两端最窄的部分，且第二通槽102和第一通槽101间隔设置并连通；因此即使纬线3设置的较为倾斜，也与边框线槽1的槽壁线整体重合程度较少，从而边框线成型质量更好，导电性更高，更有利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率。

进一步地，第一通槽101和第二通槽102的槽长分别等于相邻的两根经线2间距的0.1-2倍，第一通槽101和第二通槽102的槽长相等或不等；将掩膜版上两个通槽连接线和经线2平行，光感后即可得到上述网版结构，制得的栅线槽4即可始终位于两根平行的经线2之间，同时边框线槽1的走向即可大致与纬线3的方向平行，制造方便，实施简单，网版成型质量高，生产效率高。

优选地，如图2所示，边框线槽1的最宽槽宽为相邻的两根纬线3间距的0.3～0.9倍,且不小于10微米。金属浆料的透过量较少，边框线宽度窄，光电转换效率高。

另外，利用本实施例的一种无网结网版边框线槽结构制得的电池片，电池片上设有通过栅线槽4制得的栅线，以及通过第一通槽101和第二通槽102制得的边框线，栅线相互平行且宽度相等，边框线呈周期性膨大凸起的形状。栅线低点或断点少，导电性能好，利于提高制得的晶硅电池片的光电转化效率；因倾斜的纬线3与边框线槽1的槽壁线不会出现过度重合的现象，从而制得呈周期性膨大凸起的形状的边框线，从而边框线成型质量更好，并且两个膨大凸起之间具有较大的空隙，利于增大光照面积，提高光电转化效率。

应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。由本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。