1.一种承载大电流的SOP器件封装结构，其特征在于：包括芯片（1）、金属焊盘（2）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）和环氧树脂包覆体（5），所述芯片（1）通过绝缘胶层（6）固定于金属焊盘（2）上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚（3）并排间隔地设置于芯片（1）的左侧，若干个所述右侧引脚（4）并排间隔地设置于芯片（1）的右侧，所述金属焊盘（2）下部边缘处开有第一缺口槽（7），所述左侧引脚（3）与金属焊盘（2）相向的内侧端下部开有左梯形凹槽（8），所述右侧引脚（4）与金属焊盘（2）相向的内侧端下部开有右梯形凹槽（9），所述环氧树脂包覆体（5）包覆于芯片（1）、金属焊盘（2）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）上，所述金属焊盘（2）、左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体（5）的底部；
若干根第一金线（15）两端分别与芯片（1）和左侧引脚（3）电连接，若干根第二金线（16）两端分别与芯片（1）和右侧引脚（4）电连接，所述左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的内侧端面分别开有供填充环氧树脂的左梯形凹槽（8）和右梯形凹槽（9）。
2.根据权利要求1所述的承载大电流的SOP器件封装结构，其特征在于：所述左侧引脚（3）、右侧引脚（4）的下表面镀覆有金属镀层（17）。
3.根据权利要求2所述的承载大电流的SOP器件封装结构，其特征在于：所述金属镀层（17）为锡层或者镍钯金层。
4.根据权利要求2所述的承载大电流的SOP器件封装结构，其特征在于：所述金属镀层（17）与左侧引脚（3）或者右侧引脚（4）的厚度比为1：6~12。
5.根据权利要求2所述的承载大电流的SOP器件封装结构，其特征在于：所述左侧引脚（3）和右侧引脚（4）的数目均为3~10根。