1.一种TVS二极管PN结结构，其特征在于，在所述TVS二极管的有源区内、PN结深度方向上设置有空隙，空隙的深度与PN结深度相同，空隙侧面面积大于空隙所减少的有源区底面面积。
2.根据权利要求1所述的TVS二极管PN结结构，其特征在于，所述空隙的尺寸须结合结深以及掺杂杂质的横向扩展距离保证在热推进之后空隙仍然存在。
3.根据权利要求1所述的TVS二极管PN结结构，其特征在于，所述空隙的形状和位置须在保证最外侧的掺杂区域的宽度的前提下自由排布。