本实用新型属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种用于晶片氧化的石英舟。
背景技术：
在半导体器件制造工艺中，常在晶片表面生长一层氧化层，用来保护器件表面，二极管芯片制造也如此。目前GPP二极管芯片氧化工序，大多采用单槽插片氧化方法，此方法存在以下缺点：1、每炉产量低，批量生产效率低，成本相对较高；2、操作过程中石英舟对晶片边缘损伤较大，最终导致成品率下降。
技术实现要素：
本实用新型针对上述的问题，提供了一种用于晶片氧化的石英舟。
为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为，本实用新型提供一种用于晶片氧化的石英舟，包括舟底架，所述舟底架包括支撑架以及设置在支撑架一端的三角挂钩，所述支撑架上均匀设置有分档杆组件，所述支撑架包括两个平行设置的承载杆，所述分档杆组件包括设置在两承载杆之间的连接杆、设置在承载杆上部的支撑杆以及设置在支撑杆顶部的分档杆。
作为优选，所述分档杆组件的个数为至少两个。
与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于，
本实用新型中承载杆上是没有设置在容纳晶片的容纳槽的，在加上分档杆的设置，大大提高了生产效率和产量，降低了成本，相应的提高了成品率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实施例1提供的一种用于晶片氧化的石英舟的立体结构示意图；
以上各图中，1、舟底架；11、连接杆；12、三角挂钩；13、承载杆；2、分档杆组件；21、分档杆；22、支撑杆；3、晶片。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型并不限于下面公开说明书的具体实施例的限制。
实施例1，如图1所示，本实用新型提供了一种用于晶片氧化的石英舟，包括舟底架1，其舟底架的作用，一是用来承载晶片，二是用来固定相关的部件，本实用新型中整体的材料选用都是选用石英进行的制作；其从图中可以看出，其舟底架根据功能进行分的话，可以分为两部分，一部分为支撑架部分，另一部分则是三角挂钩12部分，其三角挂钩是设置在支撑架一端的，其目的是用于推拉舟时固定推拉杆用，其支撑架则是承载晶片和部件的。下面说一下支撑架的本身构成以及上面的设置，从图中可以看出，其支撑架上均匀设置了分档杆组件，其支撑架包括两个平行设置的承载杆13，该承载杆上是没有设置用来对晶片进行卡位的晶片槽的，发明人之所以没有设置的晶片槽的目的，是为了提高了承载杆的承载数量，即如果在承载杆上设置晶片槽的话，其晶片槽与晶片槽之间是有一定距离，即降低了晶片3的承载量；虽然不设置晶片槽可以大大提高承载量，不过，也是有问题的，比如说，如果晶片放置的多的话，即晶片与晶片之间会有更大的力，对晶片造成伤害，故此发明人在承载杆上设置了多个分档杆组件，将整根承载杆平分设置。从图中可以看出，其分档杆组件2包括设置在两承载杆之间的连接杆11、设置在承载杆上部的支撑杆22以及设置在支撑杆顶部的分档杆21，其分档杆则是用支撑晶片以及将晶片分组分段，避免材料堆叠太多而受损的。
发明人经过大量的试验得出，其分档杆组件的个数为至少两个是最为合理的。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例应用于其它领域，但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。