本实用新型涉及电子电路技术领域，特别涉及一种瞬态抑制二极管的散热装置。
背景技术：
它能“吸收”功率高达数千瓦的浪涌信号，瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两级受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度将两极的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件(IC)免受各种浪涌脉冲的损坏，由于它有响应快，瞬态功率大，漏电流低，击穿电压偏差，钳位电压易控制，无损坏极限，体积小等优点，但现在针对汽车产品需要通电做7637测试，常规产品无法达到，原因是因为它的散热能力差，导致芯片承受不了热量而被烧坏，所以针对这个弱点进行研发。
技术实现要素：
本实用新型的主要目的在于提供一种瞬态抑制二极管的散热装置，可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
一种瞬态抑制二极管的散热装置，包括芯片，所述芯片的顶端设置有上铜粒，所述上铜粒的上方设置有上封板，所述上封板的一侧固定连接有第一连接线的一端，所述第一连接线的另一端固定连接有第一引脚，所述芯片的底端设置有下铜粒，所述下铜粒的底端设置有下封板，所述下封板的一侧固定连接有第二连接线的一端，所述第二连接线的另一端固定连接有第二引脚。
进一步地，所述第一引脚和第二引脚的直径均为0.25MM。
进一步地，所述上铜粒的横截面与上封板的横截面相同，所述下铜粒的横截面与下封板的横截面相同。
进一步地，所述上铜粒和下铜粒的材质均为铜。
进一步地，所述上封板、上铜粒、芯片、下铜粒和下封板呈层叠分布。
进一步地，所述第一引脚和第二引脚的材质均为紫铜。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：该种实用新型设计合理，使用方便，通过在芯片上下各设置有上铜粒和下铜粒，提高了产品的散热能力，通过将第一引脚和第二引脚的直径增大至0.25MM，提高了产品的抗浪涌能力，防止芯片因发热和浪涌烧坏，提高了产品的使用寿命，该实用新型结构紧凑，造价低廉，适合广泛推广。
【附图说明】
图1为本实用新型的整体的结构示意图。
图中：1、第一连接线；2、第一引脚；3、下封板；4、下铜粒；5、芯片；6、上封板；7、上铜粒；8、第二连接线；9、第二引脚。
【具体实施方式】
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
如图1所示，一种瞬态抑制二极管的散热装置，包括芯片5，所述芯片5的顶端设置有上铜粒7，所述上铜粒7的上方设置有上封板6，所述上封板6的一侧固定连接有第一连接线1的一端，所述第一连接线1的另一端固定连接有第一引脚2，所述芯片5的底端设置有下铜粒4，所述下铜粒4的底端设置有下封板3，所述下封板3的一侧固定连接有第二连接线8的一端，所述第二连接线8的另一端固定连接有第二引脚9。
其中，所述第一引脚2和第二引脚9的直径均为0.25MM。
其中，所述上铜粒7的横截面与上封板6的横截面相同，所述下铜粒4的横截面与下封板3的横截面相同。
其中，所述上铜粒7和下铜粒4的材质均为铜。
其中，所述上封板6、上铜粒7、芯片5、下铜粒4和下封板3呈层叠分布。
其中，所述第一引脚2和第二引脚9的材质均为紫铜。
需要说明的是，本实用新型为一种瞬态抑制二极管的散热装置，首先第一引脚2和第二引脚9为直径0.25MM，在出现浪涌的时候能更好的提高抗浪涌能力，且因直径较大，电阻较小，在出现浪涌时，升温较慢，提高了散热能力，芯片5的上下表面设置有上铜粒7和下铜粒4，上铜粒7和下铜粒4能有效吸收芯片5在工作时产生的热量，提高了芯片5在高负荷工作下的稳定性。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。