技术总结
本实用新型公开了一种GaN HEMT器件叉指栅极结构，器件单元由单栅极或者多栅叉指结构构成，栅条的栅长为非均匀栅长结构，以有效调节器件栅极中心区域的电流密度，使得中心区域的电流密度较低，从而自热效应产生的热量也较低，利于整个器件有源区域的热平衡。减轻和防止器件中心区域的热集中效应导致栅极中心区域的高温提前失效。有助于大功率器件的失效和高温可靠性的增长。
技术研发人员：袁俊;李百泉;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;孙安信
受保护的技术使用者：北京华进创威电子有限公司
文档号码：201720560762
技术研发日：2017.05.19
技术公布日：2018.01.23