上电极组件、反应腔室及半导体加工设备的制作方法

技术特征：

1.一种上电极组件，包括线圈，其特征在于，在所述线圈上设置有功率馈入点，所述功率馈入点位于所述线圈的除端点之外的位置处，且所述线圈的端点接地，以将所述线圈自所述功率馈入点形成相互并联的多个线圈分部。

2.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括介质筒，所述线圈环绕在所述介质筒周围，且所述线圈为多匝柱状螺旋立体线圈，且

所述线圈自所述功率馈入点形成位于所述功率馈入点上方的第一线圈分部，和位于所述功率馈入点下方的第二线圈分部。

3.根据权利要求2所述的上电极组件，其特征在于，所述第二线圈分部的长度与所述线圈的总长度的比值的取值范围在0.9/5.5～1.1/5.5之间。

4.根据权利要求3所述的上电极组件，其特征在于，所述第二线圈分部的长度与所述线圈的总长度的比值为1.1/5.5、1.05/5.5或者1/5.5。

5.根据权利要求1所述的上电极组件，其特征在于，所述线圈为单匝线圈。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的上电极组件，其特征在于，所述线圈的第一端和/或所述线圈的第二端通过阻抗配置装置接地，通过设定不同的所述阻抗配置装置的阻抗大小，来使两个所述线圈分部的电流方向相同或相反。

7.根据权利要求6所述的上电极组件，其特征在于，所述阻抗配置装置包括可调电容，所述可调电容的容值范围为0～1000pF。

8.根据权利要求6所述的上电极组件，其特征在于，所述上电极组件还包括匹配器和功率源，所述功率源通过所述匹配器在所述功率馈入点处与所述线圈电连接；

所述阻抗配置装置集成在所述匹配器中。

9.一种反应腔室，其特征在于，包括权利要求2-8任意一项所述的上电极组件；

所述反应腔室还包括法拉第屏蔽件，所述法拉第屏蔽件环绕设置在所述介质筒的内侧，并且所述法拉第屏蔽件包括导电环体，在所述导电环体上形成有开缝；

所述开缝包括第一子开缝，所述第一子开缝沿所述导电环体的圆周方向设置，且与所述导电环体的轴线之间形成夹角，用以通过增加电磁场在所述导电环体的圆周方向上的电场分量的耦合效率，来增加该电磁场的总耦合效率。

10.根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，所述法拉第屏蔽件的上端面高于所述介质筒的上端面；所述法拉第屏蔽件的下端面低于所述介质筒的下端面。

11.根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室为预清洗腔室。

12.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求9-11任意一项所述的反应腔室。