技术总结
本实用新型公开了一种基于CMOS的X光数字图像传感器，包括掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜和光学反射薄膜；掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜直接蒸镀于CMOS图像传感器芯片的感光面上，光学反射膜蒸镀于闪烁体晶体膜上。本实用新型通过在CMOS芯片的感光面上直接蒸镀微量掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体薄膜，可以实现碘化铯闪烁体薄膜与CMOS感光面的紧密的光学耦合，提高了X光图像传感器的光电转换效率和图像光学分辨率，并且，光学耦合效率的一致性、均匀性都超过传统方式。此外，由于对图像传感器模组整体进行了纳米级防护镀膜，从而大大提高了对碘化铯闪烁体晶体薄膜的防水或防湿气保护性能；实现在恶略环境下正常工作的目标。
技术研发人员：段明浩
受保护的技术使用者：西安瀚维光电科技有限公司
文档号码：201721303859
技术研发日：2017.10.11
技术公布日：2018.05.15