反射式太赫兹波开关的制作方法

技术特征：

1.一种反射式太赫兹波开关，其特征在于它包括基底层、介质层和谐振层，基底层位于最底层，介质层位于中间层，顶层则为谐振层，谐振层由四个同样形状大小的直角C形和四个同样形状大小的长方形以开关的中心呈中心对称结构分布并且每两个直角C形之间分布着一个长方形。

2.如权利要求1所述的一种反射式太赫兹波开关，其特征在于所述的基底层材料为金，形状为正方形，电导率为4.56×10⁷S/m，边长为P＝50μm，厚度为0.2μm。

3.如权利要求1所述的一种反射式太赫兹波开关，其特征在于所述的介质层材料为砷化镓，形状为正方形，介电常数为12.9+i0.0774，边长为P＝50μm，厚度为7μm。

4.如权利要求1所述的一种反射式太赫兹波开关，其特征在于所述的直角C形的材料为金，电导率为4.56×10⁷S/m，长臂长度a＝21.5μm，短臂长度c＝12μm，宽度w＝4μm，厚度为0.2μm。

5.如权利要求1所述的一种反射式太赫兹波开关，其特征在于所述的长方形的材料为Si，电导率为2×10⁵S/m，长度为c＝12μm，宽度为g＝2μm，厚度为0.6μm。