1.具有超疏水表面结构的硅光伏电池，包括硅片(1)、胶粘剂层(2)、TPT背板(3)、铝合金框(4)和接线盒(5)，其特征是；
所述胶粘剂层(2)的上表面粘接固定硅片(1)，胶粘剂层(2)的下表面粘接固定TPT背板(3)；所述TPT背板(3)和接线盒(5)固定安装在铝合金框(4)内，所述硅片(1)上表面为超疏水表面，所述超疏水表面由激光干涉光刻系统刻蚀获得的微米级周期排列的锥柱体，所述锥柱体的排列周期为3μm～20μm。
2.根据权利要求1所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池，其特征在于；所述锥柱体的直径0.3～0.6μm，高度1～2μm。
3.根据权利要求1所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池，其特征在于；所述胶粘剂层(2)为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层，厚度为0.5～1mm。
4.根据权利要求1所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池，其特征在于；所述TPT背板(3)厚度为0.3～0.4mm。
5.根据权利要求1所述的具有超疏水表面结构的硅光伏电池，其特征在于；所述激光干涉光刻系统为四光束激光干涉光刻系统，包括激光器(6)和透镜组(7)，激光器(6)发出的光束经透镜组中的反射镜和多个半反半透镜后对待刻蚀硅片(8)进行光刻，获得刻蚀后的硅片(1)。