各向异性导电膜的制作方法

本发明涉及各向异性导电膜。

背景技术：

例如在液晶显示元件中，对玻璃基板端部连接ic芯片和柔性印刷基板（fpc）双方等的、利用各向异性导电膜来对一个基板分别连接多种电子部件。在该情况下，使用对多种电子部件各自适合的各向异性导电膜。

相对于此，提出了利用一块各向异性导电膜来向一个基板连接两种电子部件的方案（专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许4650050号公报。

技术实现要素：

发明要解决的课题

若利用一块各向异性导电膜来向一个基板连接两种电子部件，则能够减少连接所需要的工序数或空间。

然而，一直以来，为了将两种电子部件连接到一个基板而使用的各向异性导电膜，由于在绝缘性树脂层中随机分散了导电粒子，所以不能精密地规定各向异性导电膜中的导电粒子的分散状态。因此，各向异性导电膜中的导电粒子的个数密度，需要适合于两种电子部件之中端子的大小或间距小的一方，会存在很多不参与连接的无用导电粒子。

针对这样的现有技术的问题，本发明的课题是：在利用一块各向异性导电膜来向一个基板等的电子部件连接ic芯片或fpc等的多种电子部件时，使各向异性导电膜更加适合于各个电子部件，减少不参与连接的无用导电粒子。

用于解决课题的方案

本发明人发现：在利用一块各向异性导电膜来向第3电子部件连接端子图案不同的第1电子部件及第2电子部件时，如果规则地排列各向异性导电膜中的导电粒子，则能够控制导电粒子的间距、排列方向，因此与导电粒子随机配置的情况相比，能够减少向第3电子部件适当地连接第1电子部件和第2电子部件双方所需要的导电粒子的个数密度，另外会容易提高各向异性导电连接的连接构造体的成品率，进而，通过在一块各向异性导电膜中设置导电粒子的个数密度、粒径、硬度等不同的多个区域，能够对第1电子部件及第2电子部件各自进行更加适合的连接，且能够进一步减少无用导电粒子，从而想到了本发明。

即，第1本发明为连接构造体，其中具有第1端子图案的第1电子部件、和具有端子的大小及间距与第1端子图案不同的第2端子图案的第2电子部件，通过各向异性导电膜与具有跟第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案的第3电子部件各向异性导电连接，各向异性导电膜具有如下区域中至少一种：导电粒子规则排列的区域、以及导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域。

第2本发明为各向异性导电膜，其具有绝缘性树脂层和配置在该绝缘性树脂层的导电粒子，其中，具有导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域。

第3本发明为各向异性导电膜的制造方法，包括：

第1压入工序，向绝缘性树脂层的一个表面附着导电粒子，将该导电粒子压入绝缘性树脂层；以及

第2压入工序，在俯视观察下，向成为在第1压入工序中压入了导电粒子的区域的一部分的区域、或包含在第1压入工序中压入了导电粒子的整个区域的区域、或与在第1压入工序中压入了导电粒子的区域局部重复的区域附着导电粒子，并向绝缘性树脂层压入该导电粒子，

至少形成导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域。

第4本发明为连接构造体的制造方法，将具有第1端子图案的第1电子部件、和具有端子的大小及间距与第1端子图案不同的第2端子图案的第2电子部件，通过各向异性导电膜与具有跟第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案的第3电子部件各向异性导电连接，其中，

作为各向异性导电膜，使用具有如下区域中至少一种的各向异性导电膜：导电粒子规则排列的区域、以及导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域。

发明效果

由于本发明的连接构造体通过一块各向异性导电膜来向第3电子部件各向异性导电连接第1电子部件和第2电子部件，所以与按每个与第3电子部件连接的电子部件改变各向异性导电膜的情况相比，能够简化制造工序，并能以低成本制造。而且，该连接构造体通过作为各向异性导电膜、使用导电粒子规则排列、或具有导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域的各向异性导电膜而被制造，因此尽管使用一块各向异性导电膜而被制造，该各向异性导电膜也适合于第1电子部件及第2电子部件各自，且减少无用导电粒子。

另外，本发明的各向异性导电膜，由于导电粒子规则排列、或具有导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域，所以能够使这些区域与第1电子部件及第2电子部件各自的端子图案对应。因而，如上述减少各向异性导电膜中的导电粒子的浪费。

附图说明

[图1]图1是本发明的第1连接构造体40a的示意平面图。

[图2]图2是本发明的第1连接构造体40a的示意平面图。

[图3]图3是本发明的第1连接构造体40a的示意平面图。

[图4a]图4a是本发明的第2连接构造体40b的示意平面图。

[图4b]图4b是使用于本发明的第2连接构造体40b的各向异性导电膜10b的截面图。

[图4c]图4c是使用于本发明的第2连接构造体40b的各向异性导电膜10b的截面图。

[图4d]图4d是使用于本发明的第2连接构造体40b的各向异性导电膜10b的截面图。

[图4e]图4e是使用于本发明的第2连接构造体40b的各向异性导电膜10b的截面图。

[图5a]图5a是本发明的第2连接构造体40b的示意平面图。

[图5b]图5b是使用于本发明的第2连接构造体40b的各向异性导电膜10b的截面图。

[图5c]图5c是使用于本发明的第2连接构造体40b的各向异性导电膜10b的截面图。

[图6a]图6a是本发明的第2连接构造体40b的示意平面图。

[图6b]图6b是使用于本发明的第2连接构造体40b的各向异性导电膜10b的截面图。

[图7]图7是在连接构造体的制造中所使用的各向异性导电膜10a的截面图。

[图8]图8是在连接构造体的制造中所使用的各向异性导电膜10a的截面图。

[图9]图9是在连接构造体的制造中所使用的各向异性导电膜10a的截面图。

[图10]图10是在连接构造体的制造中所使用的各向异性导电膜10a的截面图。

[图11]图11是在连接构造体的制造中所使用的各向异性导电膜10a的截面图。

[图12]图12是在连接构造体的制造中所使用的各向异性导电膜10a的截面图。

[图13]图13是在连接构造体的制造中所使用的各向异性导电膜10a的截面图。

[图14]图14是各向异性导电膜10b的截面图。

[图15a]图15a是各向异性导电膜10c的截面图。

[图15b]图15b是各向异性导电膜10c’的截面图。

[图16]图16是各向异性导电膜10d的截面图。

[图17]图17是各向异性导电膜10e的截面图。

[图18]图18是实施例的各向异性导电膜10f的截面图。

[图19]图19是实施例的各向异性导电膜10g的截面图。

[图20]图20是比较对象用的各向异性导电膜10x的截面图。

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边对本发明详细地进行说明。此外，各图中，相同标号表示相同或同等的结构要素。

[第1连接构造体]

（整体结构）

图1是本发明的连接构造体的方案之中第1连接构造体40a的示意平面图。该连接构造体40a中，具有第1端子图案的第1电子部件31、和具有端子的大小及间距与第1端子图案不同的第2端子图案的第2电子部件32，通过各向异性导电膜10a来与第3电子部件33各向异性导电连接，该第3电子部件33具有与第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案。在本实施例中，作为第1电子部件31，例如连接ic芯片、ic模块等的电子部件，作为第2电子部件32连接fpc等的电子部件。另外，作为将它们进行连接的第3电子部件33，使用玻璃基板、塑料基板、刚性基板、陶瓷基板等。此外，本发明中，第1电子部件、第2电子部件及第3电子部件的种类无特别限定。作为第1电子部件及第2电子部件，也可以连接多个ic芯片、ic模块等。

另外，图1中，在各向异性导电膜10a的短边方向的一端侧将第1电子部件31连接于第3电子部件33，在另一端侧将第2电子部件32连接于第3电子部件33，但是在用一块各向异性导电膜10a向第3电子部件33连接第1电子部件31和第2电子部件32时，这些配置无特别限定。例如如图2所示，也可以使第1电子部件31和第2电子部件32沿各向异性导电膜10a的长边方向排列。另外，如图3所示既可以将多个第1电子部件31与第3电子部件33连接，也可以将多个第2电子部件32与第3电子部件33连接。

（第1连接构造体中的各向异性导电膜）

在本发明的第1连接构造体40a的制造中所使用的各向异性导电膜10a中，在绝缘性树脂层2规则排列有导电粒子1。因此，使用该各向异性导电膜10a来各向异性导电连接第1电子部件31和第2电子部件32后的第1连接构造体40a，也具有至少在既不与第1电子部件31连接也不与第2电子部件32连接的部分规则排列有导电粒子的区域。

・导电粒子的规则排列和个数密度

关于第1连接构造体40a的制造中所使用的各向异性导电膜10a，作为导电粒子的规则排列，能够举出正方格子、六方格子、斜方格子、长方格子等。另外，在格子排列中也包含有意除去形成这样的格子排列的一部分的导电粒子的排列。该导电粒子的除去方式，只要在膜的长边方向有规则性就无特别限制。另外，作为全体导电粒子的粒子配置，也可以使导电粒子1以既定间隔直线状排列的粒子列以既定间隔并列。通过使导电粒子为规则排列，并控制导电粒子的间距或排列方向，容易使得将第1电子部件和第2电子部件双方连接于第3电子部件所需要的导电粒子的个数密度最佳化。一直以来，在将第1电子部件和第2电子部件双方连接于第3电子部件的各向异性导电膜中，导电粒子被随机配置，因此使各向异性导电膜中的导电粒子的个数密度，与适合于第1电子部件的连接的个数密度和适合于第2电子部件的连接的个数密度之中较高一方匹配，因此会有很多导电粒子被浪费使用，但是本发明的第1连接构造体40a中，如上述通过各向异性导电膜中的导电粒子的规则排列，容易谋求导电粒子的个数密度的最优化，因此能够减少导电粒子的浪费。

例如，在将第1电子部件与第3电子部件进行cog连接，且将第2电子部件与第3电子部件进行fog连接的情况下，各向异性导电膜10a中的导电粒子的个数密度可以小于35000个/mm²。

・面积占用率

在决定各向异性导电膜10a中的导电粒子的个数密度之际，根据导电粒子的个数密度、和一个导电粒子的俯视观察面积的平均，由下式算出的面积占用率，成为为了将各向异性导电膜热压接于电子部件的按压夹具所需要的推力的指标。

面积占用率（％）

＝[俯视观察下的导电粒子的个数密度（个/mm²）]×[一个导电粒子的俯视观察面积的平均（mm²/个）]×100。

从将为了向电子部件热压接各向异性导电膜而按压夹具所需要的推力抑制得较低的方面来说，面积占用率优选为35％以下、更优选为0.3～30％的范围。

・导电粒子的粒径

关于导电粒子的粒径，使得能够与布线高度的偏差对应，另外，为了抑制导通电阻的上升，且抑制短路的发生，优选为1μm以上且30μm以下，更优选为3μm以上且9μm以下。向绝缘性树脂层分散之前的导电粒子的粒径，能够通过一般的粒度分布测定装置来测定。另外，向绝缘性树脂层分散之后的导电粒子的粒径也能利用粒度分布测定装置来求出。既可为图像型，也可为激光型。作为图像型的测定装置，作为一个例子能够举出湿式流动式粒径・形状分析装置fpia－3000（malvern社）。测定导电粒子的平均粒径d的样本数（导电粒子数）优选为1000个以上。各向异性导电膜中的导电粒子的平均粒径d，能够根据sem等的电子显微镜观察求出。在该情况下，优选使测定导电粒子的平均粒径d的样本数（导电粒子数）为200个以上。

此外，作为导电粒子使用在其表面随着了绝缘性微粒子的粒子的情况下，本发明中的导电粒子的粒径是指不包含表面的绝缘性微粒子的粒径。

・导电粒子以非接触方式存在的个数比例

在第1连接构造体40a的制造中所使用的各向异性导电膜10a中，导电粒子1优选在膜的俯视观察下互相不接触地存在。因此，相对于全体导电粒子，导电粒子1彼此以互相非接触方式存在的个数比例为95％以上、优选为98％以上、更优选为99.5％以上。如后述那样，若使用转印模而规则地配置导电粒子1，则能够容易控制导电粒子1彼此以互相非接触方式存在的比例，因此是优选的。在俯视观察下导电粒子1重合的情况下，个别地计数各个导电粒子。

・导电粒子的膜厚方向的位置

在第1连接构造体40a的制造中所使用的各向异性导电膜10a中，导电粒子1互相不接触地存在的情况下，优选其膜厚方向的位置对齐。例如，如图7所示，能够使导电粒子1的膜厚方向的埋入量lb对齐。由此，无论是在第1电子部件31的端子与第3电子部件33的端子之间，还是在第2电子部件32的端子与第3电子部件33的端子之间，都容易使导电粒子的捕获性稳定。此外，在各向异性导电膜10a中，导电粒子1既可以从绝缘性树脂层2露出，也可以完全埋入。

在此，埋入量lb是指在埋入有导电粒子1的绝缘性树脂层2的表面（绝缘性树脂层2的表面和背面之中的、露出导电粒子1一侧的表面、或者在导电粒子1完全埋入绝缘性树脂层2的情况下与导电粒子1的距离较近的表面），邻接的导电粒子间的中央部的切平面2p与导电粒子1的最深部的距离。

・埋入率

在设埋入量lb相对于导电粒子1的平均粒径d的比例为埋入率（lb/d）的情况下，埋入率优选为30％以上且105％以下。若埋入率（lb/d）为30％以上且小于60％，则从保持导电粒子的比较高粘度的树脂露出导电粒子的比例变高，因此更加容易进行低压安装。若为60％以上，则容易通过绝缘性树脂层2将导电粒子1维持在既定粒子分散状态或者既定排列。另外，通过设为105％以下，能够减少在各向异性导电连接时以使端子间的导电粒子无用流动的方式作用的绝缘性树脂层的树脂量。此外，导电粒子1也可以贯通绝缘性树脂层2，该情况下的埋入率（lb/d）成为100％。

此外，埋入率（lb/d）的数值是指各向异性导电膜所包含的全部导电粒子数的80％以上、优选为90％以上、更优选为96％以上成为该埋入率（lb/d）的数值。因而，埋入率为30％以上且105％以下是指各向异性导电膜所包含的全部导电粒子数的80％以上、优选为90％以上、更优选为96％以上的埋入率达30％以上且105％以下。这样使全部导电粒子的埋入率（lb/d）一致，从而使按压的加重均匀施加到导电粒子，因此端子中的导电粒子的捕获状态变得良好，从而提高导通的稳定性。

（绝缘性树脂层）

・绝缘性树脂层的粘度

在第1连接构造体40a的制造中所使用的各向异性导电膜10a中，绝缘性树脂层2的最低熔化粘度无特别限制，可根据各向异性导电膜的使用对象、或各向异性导电膜的制造方法等而适当决定。例如，只要能形成后述的凹部2b（图8）、2c（图9），按照各向异性导电膜的制造方法也能设为1000pa・s左右。另一方面，作为各向异性导电膜的制造方法，以既定配置使导电粒子保持在绝缘性树脂层的表面，进行将该导电粒子压入绝缘性树脂层的方法时，从能够膜形成绝缘性树脂层的方面来说优选使绝缘性树脂层的最低熔化粘度为1100pa・s以上。

另外，如在后述的各向异性导电膜的制造方法中说明的那样，从如图8所示在向绝缘性树脂层2压入的导电粒子1的露出部分的周围形成凹部2b，或者如图9所示在向绝缘性树脂层2压入的导电粒子1的正上方形成凹部2c的方面来说，优选为1500pa・s以上，更优选为2000pa・s以上，进一步优选为3000～15000pa・s，进一步再优选为3000～10000pa・s。作为一个例子，该最低熔化粘度能够利用旋转式流变仪（tainstruments公司制），在测定压力5g下保持一定，并使用直径8mm的测定板而求出，更具体而言，在温度范围30～200℃中，能够通过设为升温速度10℃/分钟、测定频率10hz、相对于所述测定板的负荷变动5g来求出。

通过使绝缘性树脂层2的最低熔化粘度为1500pa・s以上的高粘度，能够抑制在各向异性导电膜对物品压接中导电粒子的无用移动，特别是，能够防止在各向异性导电连接时应该在端子间被夹持的导电粒子因树脂流动而会流动。

另外，在向绝缘性树脂层2压入导电粒子1而形成各向异性导电膜10a的导电粒子分散层3的情况下，使压入导电粒子1时的绝缘性树脂层2，成为在以使导电粒子1从绝缘性树脂层2露出的方式将导电粒子1压入绝缘性树脂层2时，绝缘性树脂层2塑性变形而在导电粒子1周围的绝缘性树脂层2形成凹部2b（图8）这样的高粘度的粘性体，或者成为在以使导电粒子1不会从绝缘性树脂层2露出而埋入绝缘性树脂层2的方式压入导电粒子1时，在导电粒子1正上方的绝缘性树脂层2的表面形成凹部2c（图9）这样的高粘度的粘性体。因此，绝缘性树脂层2的60℃中的粘度，下限优选为3000pa・s以上、更优选为4000pa・s以上、进一步优选为4500pa・s以上，上限优选为20000pa・s以下、更优选为15000pa・s以下、进一步优选为10000pa・s以下。该测定以与最低熔化粘度同样的测定方法进行，能够提取温度60℃的值而求出。

在向绝缘性树脂层2压入导电粒子1时的该绝缘性树脂层2的具体粘度，根据所形成的凹部2b、2c的形状或深度等，下限优选为3000pa・s以上、更优选为4000pa・s以上、进一步优选为4500pa・s以上，上限优选为20000pa・s以下、更优选为15000pa・s以下、进一步优选为10000pa・s以下。另外，使得这样的粘度优选在40～80℃、更优选在50～60℃得到。

如上述，通过在从绝缘性树脂层2露出的导电粒子1的周围形成凹部2b（图8），与无凹部2b的情况相比，相对于各向异性导电膜对物品压接时产生的导电粒子1的扁平化，从绝缘性树脂接受的阻力减小。因此，在各向异性导电连接时导电粒子会容易被端子夹持而提高导通性能，另外提高捕获性。

另外，通过在不从绝缘性树脂层2露出而埋入的导电粒子1正上方的绝缘性树脂层2的表面形成凹部2c（图9），与无凹部2c的情况相比，在各向异性导电膜对物品压接时的压力容易集中到导电粒子1。因此，在各向异性导电连接时导电粒子会容易被端子夹持而提高捕获性，并提高导通性能。

＜取代凹部的“倾斜”或“起伏”＞

如图8、图9所示的各向异性导电膜的“凹部”2b、2c，也可以由“倾斜”或“起伏”这一观点进行说明。以下，一边参照附图（图13～20）一边进行说明。

各向异性导电膜10a由导电粒子分散层3构成（图13）。在导电粒子分散层3中，在绝缘性树脂层2的一个面，导电粒子1以露出的状态规则分散。在膜的俯视观察下导电粒子1并不互相接触，在膜厚方向，导电粒子1也互相不重叠地规则分散，构成导电粒子1的膜厚方向的位置对齐的单层的导电粒子层。

在各个导电粒子1周围的绝缘性树脂层2的表面2a，相对于邻接的导电粒子间的中央部的绝缘性树脂层2的切平面2p形成倾斜2b。此外如后述那样，在本发明的各向异性导电膜中，也可以在埋入到绝缘性树脂层2的导电粒子1正上方的绝缘性树脂层的表面形成起伏2c（图16、图18）。

本发明中，“倾斜”是指在导电粒子1附近破坏绝缘性树脂层的表面的平坦性，相对于所述切平面2p，树脂层的一部分有缺口而树脂量减少的状态。换言之，倾斜中，导电粒子周围的绝缘性树脂层的表面相对于切平面有缺口。另一方面，“起伏”是指在导电粒子正上方的绝缘性树脂层的表面有高低起伏，通过存在如高低起伏那样有高低差的部分而树脂减少的状态。换言之，导电粒子正上方的绝缘性树脂层的树脂量，会比导电粒子正上方的绝缘性树脂层的表面处于切平面时变少。这些可对比相当于导电粒子的正上方的部位和导电粒子间的平坦的表面部分（图16、图18的2f）来进行识别。此外，也有起伏的起始点作为倾斜以存在的情况。

如上述，通过在从绝缘性树脂层2露出的导电粒子1的周围形成倾斜2b（图13），与无倾斜2b的情况相比，相对于在各向异性导电连接时导电粒子1在端子间被夹持之际产生的导电粒子1的扁平化，从绝缘性树脂接受的阻力减小，因此在端子中容易夹持导电粒子而提高导通性能，另外提高捕获性。该倾斜优选沿着导电粒子的外形。这是因为除了更加容易体现连接中的效果以外，会容易识别导电粒子，因此会容易进行各向异性导电膜的制造中的检查等。另外，该倾斜及起伏有时因为向绝缘性树脂层热压等，其一部分消失，但是本发明包含此情形。在该情况下，导电粒子有时在绝缘性树脂层的表面露出1点。此外，各向异性导电膜所连接的电子部件是多样的，在配合这些而进行调整之上，希望设计的自由度高，以满足各种要件，因此，无论使倾斜或起伏减少还是局部消失也能利用。

另外，通过在不从绝缘性树脂层2露出而埋入的导电粒子1正上方的绝缘性树脂层2的表面形成起伏2c（图16、图18），与倾斜的情况同样，各向异性导电连接时来自端子的按压力会容易施加到导电粒子。另外，因为有起伏，比树脂平坦沉积的情况更加减少导电粒子正上方的树脂量，因此连接时的导电粒子正上方的树脂容易产生排除，端子和导电粒子容易接触，因此提高端子中的导电粒子的捕获性，并提高导通可靠性。

（绝缘性树脂层的厚度方向上的导电粒子的位置）

在考虑了“倾斜”或“起伏”的观点的情况下的绝缘性树脂层2的厚度方向上的导电粒子1的位置，与前述同样，导电粒子1既可以从绝缘性树脂层2露出，也可以不露出而埋入绝缘性树脂层2内，但是优选使从邻接的导电粒子间的中央部的切平面2p起的导电粒子的最深部的距离（以下，称为埋入量）lb、与导电粒子的平均粒径d之比（lb/d）（埋入率）为30％以上且105％以下。

若使埋入率（lb/d）为30％以上且小于60％，则从保持导电粒子的比较高粘度的树脂露出粒子的比例变高，因此低压安装变得更加容易。若为60％以上，则通过绝缘性树脂层2容易使导电粒子1维持为既定粒子分散状态或者既定排列。另外，通过设为105％以下，能够减少在各向异性导电连接时以使端子间的导电粒子无用流动的方式作用的绝缘性树脂层的树脂量。

此外，埋入率（lb/d）的数值，是指各向异性导电膜所包含的全部导电粒子数的80％以上、优选为90％以上、更优选为96％以上成为该埋入率（lb/d）的数值。因而，埋入率为30％以上且105％以下，是指各向异性导电膜所包含的全部导电粒子数的80％以上、优选为90％以上、更优选为96％以上的埋入率为30％以上且105％以下。这样使全部导电粒子的埋入率（lb/d）一致，从而使按压的加重均匀地施加到导电粒子，因此端子中的导电粒子的捕获状态变得良好，且提高导通的稳定性。

埋入率（lb/d）能够通过从各向异性导电膜任意抽取10处以上的面积30mm²以上的区域，并以sem图像观察该膜截面的一部分，计测共50个以上的导电粒子而求出。也可以为了进一步提高精度，计测200个以上的导电粒子而求出。

另外，埋入率（lb/d）的计测通过在面视角图像中进行焦点调整，能够对某个程度的个数进行成批地求出。或者，在埋入率（lb/d）的计测上也可以利用激光式判别位移传感器（（株）keyence制等）。

（埋入率30％以上且小于60％的方案）

作为埋入率（lb/d）30％以上且60％以下的导电粒子1的更具体的埋入方案，首先，如图13所示的各向异性导电膜10a那样，能够举出以使导电粒子1从绝缘性树脂层2露出的方式以埋入率30％以上且小于60％进行埋入的方案。该各向异性导电膜10a具有绝缘性树脂层2的表面之中的、与从该绝缘性树脂层2露出的导电粒子1相接的部分及其附近，相对于邻接的导电粒子间的中央部的绝缘性树脂层的表面2a的切平面2p成为大体沿着导电粒子的外形的棱线的倾斜2b。

这样的倾斜2b或后述的起伏2c，在通过向绝缘性树脂层2压入导电粒子1而制造各向异性导电膜10a的情况下，能够通过在40～80℃下以3000～20000pa・s、更优选为4500～15000pa・s进行导电粒子1的压入而形成。

（埋入率60％以上且小于100％的方案）

作为埋入率（lb/d）60％以上且105％以下的导电粒子1的更具体的埋入方案，首先，如图13所示的各向异性导电膜10a那样，能够举出以使导电粒子1从绝缘性树脂层2露出的方式以埋入率60％以上且小于100％进行埋入的方案。该各向异性导电膜10a具有绝缘性树脂层2的表面之中的、与从该绝缘性树脂层2露出的导电粒子1相接的部分及其附近，相对于邻接的导电粒子间的中央部的绝缘性树脂层的表面2a的切平面2p成为大体沿着导电粒子的外形的棱线的倾斜2b。

这样的倾斜2b或后述的起伏2c，在通过向绝缘性树脂层2压入导电粒子1而制造各向异性导电膜10a的情况下，使导电粒子1压入时的粘度，下限优选为3000pa・s以上、更优选为4000pa・s以上、进一步优选为4500pa・s以上，上限优选为20000pa・s以下、更优选为15000pa・s以下、进一步优选为10000pa・s以下。另外，使得这样的粘度优选在40～80℃、更优选在50～60℃得到。此外，倾斜2b或起伏2c的一部分可以由于热压绝缘性树脂层等而消失，倾斜2b也可以变为起伏2c，另外，也可以使埋入在具有起伏2c的绝缘性树脂层的导电粒子，在绝缘性树脂层2露出其顶部的1点。

（埋入率100％的方案）

接着，作为本发明的各向异性导电膜之中的埋入率（lb/d）100％的方案，能够举出如图14所示的各向异性导电膜10b那样，在导电粒子1的周围具有与图13所示的各向异性导电膜10a同样的成为大体沿着导电粒子的外形的棱线的倾斜2b，且从绝缘性树脂层2露出的导电粒子1的露出直径lc小于导电粒子的平均粒径d的导电膜；如图15a所示的各向异性导电膜10c那样，导电粒子1的露出部分的周围的倾斜2b在导电粒子1附近表现急剧，而导电粒子1的露出直径lc和导电粒子的平均粒径d大致相等的导电膜；如图16所示的各向异性导电膜10d那样，在绝缘性树脂层2的表面有较浅的起伏2c，而导电粒子1从绝缘性树脂层2露出其顶部1a的1点的导电膜。

此外，也可以与导电粒子的露出部分的周围的绝缘性树脂层2的倾斜2b、或导电粒子正上方的绝缘性树脂层的起伏2c邻接形成微小的突出部分2q。将该一个例子示于图15b。

这些各向异性导电膜10b、10c、10c’、10d，因为埋入率100％，所以导电粒子1的顶部1a和绝缘性树脂层2的表面2a会对齐成共面。如果导电粒子1的顶部1a和绝缘性树脂层2的表面2a对齐成共面，则如图13所示与导电粒子1从绝缘性树脂层2突出的情况相比，各向异性导电连接时在各个导电粒子的周边膜厚度方向的树脂量会难以成为不均匀，具有能够减小树脂流动带来的导电粒子的移动的效果。此外，即便埋入率严格上不是100％，若使埋入绝缘性树脂层2的导电粒子1的顶部和绝缘性树脂层2的表面对齐到共面的程度，则也能得到该效果。换言之，在埋入率（lb/d）大体80～105％、特别是90～100％的情况下，可以称为埋入绝缘性树脂层2的导电粒子1的顶部和绝缘性树脂层2的表面共面，能够减小树脂流动带来的导电粒子的移动。

在这些各向异性导电膜10b、10c、10c’、10d之中，10d因为导电粒子1的周围的树脂量难以成为不均匀，所以能够消除树脂流动带来的导电粒子的移动，另外即便是顶部1a的1点也是从绝缘性树脂层2露出导电粒子1，因此能够期待端子中的导电粒子1的捕获性良好，也难以引起导电粒子稍微的移动的效果。因而，该方案特别是在微小间距或凸点间空间较窄的情况下有效。

此外，倾斜2b、起伏2c的形状或深度不同的各向异性导电膜10b（图14）、10c（图15a）、10c’（图15b）、10d（图16），如后述那样，能够通过改变压入导电粒子1时的绝缘性树脂层2的粘度等而制造。

（埋入率超过100％的方案）

在本发明的各向异性导电膜之中，埋入率超过100％的情况下，可以举出如图17所示的各向异性导电膜10e那样露出导电粒子1，在该露出部分的周围的绝缘性树脂层2相对于切平面2p具有倾斜2b或在导电粒子1正上方的绝缘性树脂层2的表面相对于切平面2p具有起伏2c（图18）的导电膜。

此外，在导电粒子1的露出部分的周围的绝缘性树脂层2具有倾斜2b的各向异性导电膜10e（图17）和在导电粒子1的正上方的绝缘性树脂层2具有起伏2c的各向异性导电膜10f（图18），能够通过改变在制造这些之际压入导电粒子1时的绝缘性树脂层2的粘度等而制造。

此外，若将图17所示的各向异性导电膜10e使用于各向异性导电连接，则由于导电粒子1被端子直接按压，所以提高端子中的导电粒子的捕获性。另外，若将图18所示的各向异性导电膜10f使用于各向异性导电连接，则导电粒子1不直接按压端子，而会经由绝缘性树脂层2进行按压，但是在按压方向上存在的树脂量会比图20的状态（即，导电粒子1超过埋入率100％而埋入，导电粒子1不会从绝缘性树脂层2露出，且绝缘性树脂层2的表面为平坦的状态）少，因此按压力容易施加到导电粒子，且阻碍各向异性导电连接时端子间的导电粒子1会因树脂流动而无用移动。

从容易取得上述的导电粒子的露出部分的周围的绝缘性树脂层2的倾斜2b（图13、图14、图15a、图15b、图17）、或导电粒子正上方的绝缘性树脂层的起伏2c（图16、图18）的效果的方面考虑，倾斜2b的最大深度le与导电粒子1的平均粒径d之比（le/d）优选为小于50％，更优选为小于30％，进一步优选为20～25％，而倾斜2b或起伏2c的最大直径ld与导电粒子1的平均粒径d之比（ld/d），优选为100％以上，更优选为100～150％，起伏2c的最大深度lf与导电粒子1的粒径d之比（lf/d）大于0，且优选为小于10％，更优选为5％以下。

此外，倾斜2b或起伏2c中的导电粒子1的露出（正上方）部分的直径lc，能够设为导电粒子1的平均粒径d以下，优选为平均粒径d的10～90％。既可以使得在导电粒子1的顶部的1点露出，也可以使导电粒子1完全埋入绝缘性树脂层2内，使得直径lc成为零。

此外，如图19所示，在埋入率（lb/d）小于60％的各向异性导电膜10g中，由于导电粒子1容易在绝缘性树脂层2上转动，所以从提高各向异性导电连接时的捕获率的方面来说，优选使埋入率（lb/d）为60％以上。

另外，在埋入率（lb/d）超过100％的方案中，如图20所示的比较例的各向异性导电膜10x那样绝缘性树脂层2的表面平坦的情况下，介于导电粒子1与端子之间的树脂量会过度变多。另外，因为导电粒子1不会直接与端子接触而按压端子，而是经由绝缘性树脂而按压端子，由此导电粒子也容易因树脂流动而流动。

本发明中，绝缘性树脂层2的表面的倾斜2b、起伏2c的存在，能够通过以扫描型电子显微镜观察各向异性导电膜的截面来确认，在面视角观察下也能确认。用光学显微镜、金属显微镜也能进行倾斜2b、起伏2c的观察。另外，倾斜2b、起伏2c的大小也能通过图像观察时的焦点调整等来确认。如上述在通过热压来减少倾斜或起伏之后，也是同样的。因为有时会残留痕迹。

（绝缘性树脂层的组成）

绝缘性树脂层2能够由固化性树脂组合物形成，例如，能够由含有热聚合性化合物和热聚合引发剂的热聚合性组合物形成。也可以根据需要，使热聚合性组合物含有光聚合引发剂。

在并用热聚合引发剂和光聚合引发剂的情况下，既可以使用既作为热聚合性化合物发挥功能又作为光聚合性化合物发挥功能的材料，也可以与热聚合性化合物区分开地含有光聚合性化合物。优选的是，与热聚合性化合物区分开地含有光聚合性化合物。例如，作为热聚合引发剂使用热阳离子类聚合引发剂，作为热聚合性化合物使用环氧化合物，作为光聚合引发剂使用光自由基聚合引发剂，作为光聚合性化合物使用丙烯酸酯化合物。

作为光聚合引发剂，也可以含有在波长不同的光下反应的多种类型。由此，能够因制造各向异性导电膜时的、构成绝缘性树脂层的树脂的光固化、和在各向异性导电连接时用于粘接电子部件彼此的树脂的光固化而区分所使用的波长。

在制造各向异性导电膜时的光固化中，能够使绝缘性树脂层所包含的光聚合性化合物的全部或一部分光固化。通过该光固化，绝缘性树脂层2中的导电粒子1的配置被保持乃至固定，有希望抑制短路和提高捕获性。另外，通过该光固化，也可以适当调整各向异性导电膜的制造工序中的绝缘性树脂层的粘度。特别是，该光固化优选在绝缘性树脂层2的层厚la与导电粒子1的平均粒径d之比（la/d）小于0.6的情况下进行。这是因为绝缘性树脂层2的层厚相对于导电粒子的平均粒径较薄的情况下，也由绝缘性树脂层2更加可靠地进行导电粒子的配置的保持乃至固定，并且进行绝缘性树脂层2的粘度调整，在利用各向异性导电膜的电子部件彼此的连接中抑制成品率的下降。

绝缘性树脂层中的光聚合性化合物的配合量优选为30质量％以下，更优选为10质量％以下，进一步优选为小于2质量％。这是因为若光聚合性化合物过多，则连接时向压入施加的推力会增加。

作为热聚合性组合物的例子，可举出：包含（甲基）丙烯酸酯化合物和热自由基聚合引发剂的热自由基聚合性丙烯酸酯类组合物；包含环氧化合物和热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性环氧类组合物等。也可以取代包含热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性环氧类组合物，而使用包含热阴离子聚合引发剂的热阴离子聚合性环氧类组合物。另外，特别是如果没有带来阻碍，也可以并用多种聚合性化合物。作为并用例子，可举出阳离子聚合性化合物和自由基聚合性化合物的并用等。

在此，作为（甲基）丙烯酸酯化合物，能够使用现有公知的热聚合型（甲基）丙烯酸酯单体。例如，能够使用单官能（甲基）丙烯酸酯类单体、2官能以上的多官能（甲基）丙烯酸酯类单体。

作为热自由基聚合引发剂，能够举出例如有机过氧化物、偶氮类化合物等。特别是，能够优选使用不产生成为气泡的原因的氮的有机过氧化物。

热自由基聚合引发剂的使用量，若过少则会固化不良，若过多则降低制品寿命，所以对于（甲基）丙烯酸酯化合物100质量份，优选为2～60质量份，更优选为5～40质量份。

作为环氧化合物，能够举出双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、它们的改性环氧树脂、脂环式环氧树脂等，能够并用这些的2种以上。另外，除了环氧化合物之外也可以并用氧杂环丁烷化合物。

作为热阳离子聚合引发剂，能够采用作为环氧化合物的热阳离子聚合引发剂而公知的材料，例如，能够利用因为热而产生氧的碘鎓盐、硫鎓盐、鏻鎓盐、二茂铁类等，特别是，能够优选使用对于温度显示良好的潜在性的芳香族硫鎓盐。

热阳离子聚合引发剂的使用量，过少也有成为固化不良的倾向，过多也有能使制品寿命下降的倾向，所以对于环氧化合物100质量份，优选为2～60质量份，更优选为5～40质量份。

热聚合性组合物优选含有膜形成树脂或硅烷偶联剂。作为膜形成树脂，能够举出苯氧基树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、饱和聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、丁二烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂等，能够并用这些的2种以上。这些之中，从制膜性、加工性、连接可靠性的观点来说，能够优选使用苯氧基树脂。重量平均分子量优选为10000以上。另外，作为硅烷偶联剂，能够举出环氧类硅烷偶联剂、丙烯类硅烷偶联剂等。这些硅烷偶联剂主要为烷氧基硅烷衍生物。

热聚合性组合物中，为了调整熔化粘度，也可以与上述导电粒子1区别地含有绝缘性导电粒子。这可以举出硅石粉或氧化铝粉等。绝缘性导电粒子优选粒径20～1000nm的微小的导电粒子，另外，对于环氧化合物等的热聚合性化合物（光聚合性化合物）100质量份，配合量优选为5～50质量份。

在本发明的各向异性导电膜中，也可以与上述绝缘性导电粒子区别地含有填充剂、软化剂、促进剂、防老化剂、着色剂（颜料、染料）、有机溶剂、离子捕获剂等。

（绝缘性树脂层的层厚）

在第1连接构造体40a的制造中所使用的各向异性导电膜10a中，绝缘性树脂层2的层厚根据导电粒子1的平均粒径d或第1电子部件31、第2电子部件32、及第3电子部件33的端子高度而发生变动，因此无特别限定，但是作为一个例子，在平均粒径d小于10μm的情况下，优选使绝缘性树脂层2的层厚la与导电粒子1的平均粒径d之比（la/d）为0.3以上且10以下、更优选为3以下、进一步优选为1以下。从维持绝缘性树脂层2中的导电粒子1的配置的方面来说，更优选使比（la/d）为0.4以上。另外，从抑制各向异性导电连接时的过度的树脂流动及实现低压安装的方面来说，更优选为1以下。进而，从使导电粒子1容易从绝缘性树脂层2露出，且更容易进行低压安装的方面来说，优选使该比（la/d）为小于1、更优选为小于0.6、进一步优选为0.5以下。此外，在设比（la/d）为3以下的情况下，有时优选设置最低熔化粘度比绝缘性树脂层2低的第2绝缘性树脂层4。

另一方面，在平均粒径d为10μm以上的情况下，la/d关于上限为3.5以下，优选为2.5以下，更优选为2以下，而关于下限为0.8以上，优选为1以上，更优选为大于1.3。

另外，与平均粒径d的大小无关地，如果绝缘性树脂层2的层厚la过大而该比（la/d）过度变大，则在各向异性导电连接时导电粒子1会难以被端子按到，并且导电粒子会容易因树脂流动而流动。因此导电粒子容易位置偏移，使端子中的导电粒子的捕获性下降。另外，为了将导电粒子按到端子，按压夹具所需要的推力也增大，会妨碍低压安装。相反，如果绝缘性树脂层2的层厚la过小而该比过度变小，则难以通过绝缘性树脂层2将导电粒子1维持在既定配置。

（第2绝缘性树脂层）

各向异性导电膜10a中，也可以在绝缘性树脂层2层叠最低熔化粘度比该绝缘性树脂层2低的第2绝缘性树脂层4（图10～图12）。该第2绝缘性树脂层4填充各向异性导电连接时由电子部件的凸点等的端子而形成的空间，从而能够提高对置的电子部件彼此的粘接性。即，为了使利用各向异性导电膜的电子部件的低压安装成为可能，且抑制各向异性导电连接时的绝缘性树脂层2的树脂流动而提高导电粒子1的粒子捕获性，最好提高绝缘性树脂层2的粘度，并且在不引起导电粒子1位置偏移的范围内减薄绝缘性树脂层2的厚度，但是，如果绝缘性树脂层2的厚度过度变薄，则招致粘接对置的电子部件彼此的树脂量的不足，因此担心会降低粘接性。相对于此，通过设置各向异性导电连接时粘度比绝缘性树脂层2低的第2绝缘性树脂层4，还能够提高电子部件彼此的粘接性，且因为第2绝缘性树脂层4的流动性较高而能够使得难以阻碍端子的导电粒子的夹持或压入。

在导电粒子分散层3层叠第2绝缘性树脂层4的情况下，无论第2绝缘性树脂层4是否在凹部2b的形成面上，都优选使第2绝缘性树脂层4粘贴到以工具加压的电子部件（使得绝缘性树脂层2粘贴到承载于工作台的电子部件）。通过这样构成，能够避免导电粒子的无用移动，并能提高捕获性。

绝缘性树脂层2与第2绝缘性树脂层4的最低熔化粘度比，越有差距，由电子部件的电极或凸点形成的空间就会越容易被第2绝缘性树脂层4填充，能够提高电子部件彼此的粘接性。另外，越有该差距，导电粒子分散层3中存在的绝缘性树脂层2的移动量就越相对变少，端子间的导电粒子1会难以因树脂流动而流动，从而提高端子中的导电粒子1的捕获性，因此是优选的。在实际使用上，绝缘性树脂层2与第2绝缘性树脂层4的最低熔化粘度比，优选为2以上，更优选为5以上，进一步优选为8以上。另一方面，如果该比过大则在将长条的各向异性导电膜做成卷装体的情况下，会担心树脂的挤出或阻塞，所以在实际使用上优选为15以下。第2绝缘性树脂层4的优选最低熔化粘度，更具体而言满足上述比，且为3000pa・s以下，更优选为2000pa・s以下，特别是优选为100～2000pa・s。

此外，第2绝缘性树脂层4能够通过在与绝缘性树脂层2同样的树脂组合物中调整粘度而形成。

另外，第2绝缘性树脂层4的层厚优选为4～20μm。或者，相对于导电粒径、具体而言其平均粒径，优选为1～8倍。

另外，绝缘性树脂层2和第2绝缘性树脂层4合在一起后的各向异性导电膜整体的最低熔化粘度，在实际使用上为8000pa・s以下，优选为200～7000pa・s，特别优选为200～4000pa・s。

作为第2绝缘性树脂层4的具体层叠方案，例如，如图10所示能够在导电粒子分散层3的一个面层叠第2绝缘性树脂层4。在该情况下，导电粒子1的平均粒径d与绝缘性树脂层2的层厚la的关系，如前述将la/d设为0.3以上且10以下。

如图11所示，在导电粒子1从绝缘性树脂层2的一个面突出的情况下，也可以对该突出的面层叠第2绝缘性树脂层4，使导电粒子1陷入第2绝缘性树脂层4。在导电粒子1的埋入率为0.95以下的情况下，优选这样层叠第2绝缘性树脂层4，在0.9以下的情况下更加优选这样处理。

如图12所示，也可以在与埋入导电粒子1的绝缘性树脂层2的面相反侧的面层叠第2绝缘性树脂层4。

（第3绝缘性树脂层）

也可以与第2绝缘性树脂层4夹着绝缘性树脂层2而在相反侧设置第3绝缘性树脂层。能够使第3绝缘性树脂层作为胶粘层发挥功能。与第2绝缘性树脂层4同样，也可以为了填充由电子部件的电极或凸点形成的空间而设置。

第3绝缘性树脂层的树脂组成、粘度及厚度，既可以与第2绝缘性树脂层同样，也可以不同。使绝缘性树脂层2和第2绝缘性树脂层4和第3绝缘性树脂层合在一起后的各向异性导电膜的最低熔化粘度无特别限制，但是可为200～4000pa・s。

（各向异性导电膜10a的制造方法）

作为各向异性导电膜10a的制造方法，例如，在绝缘性树脂层2的表面以既定的规则排列保持导电粒子1，用平板或滚筒向绝缘性树脂层2压入该导电粒子1。

在此，绝缘性树脂层2中的导电粒子1的埋入量lb，能够根据压入导电粒子1时的按压力、温度等进行调整，另外，凹部2b、2c的有无、形状及深度，能够根据压入时的绝缘性树脂层2的粘度、压入速度、温度等进行调整。

另外，作为在绝缘性树脂层2保持导电粒子1的手法，没有特别限定，例如，使用转印模而在绝缘性树脂层2保持导电粒子1。作为转印模，例如能够使用通过光刻法等公知的开口形成方法，对于硅、各种陶瓷、玻璃、不锈钢等的金属等的无机材料、或各种树脂等的有机材料的转印模材料，形成开口的模具。此外，转印模能够采取板状、滚筒状等的形状。

要利用各向异性导电膜经济地进行电子部件的连接，优选各向异性导电膜为某个程度的长条。因此各向异性导电膜长度制造成优选为5m以上，更优选为10m以上，进一步优选为25m以上。另一方面，若使各向异性导电膜过度长，则将无法使用于利用各向异性导电膜进行电子部件的制造时所使用的以前的连接装置，且操作性也差。因此，各向异性导电膜将长度制造为优选5000m以下、更优选为1000m以下、进一步优选为500m以下。各向异性导电膜的这样的长条体，从操作性优异的方面来说，优选做成为在卷芯卷绕的卷装体。

（第1连接构造体的制造方法）

作为第1连接构造体40a的制造方法，在各向异性导电膜10a由导电粒子分散层3的单层构成的情况下，能够通过对于各种基板等的第3电子部件33，从各向异性导电膜的导电粒子1埋入表面的一侧临时粘贴而临时压接，在临时压接的各向异性导电膜的在表面没有埋入导电粒子1的一侧合上ic芯片等的第1电子部件31，进行热压接，并且合上fpc等的第2电子部件32，进行热压接而制造。在该情况下，既可以从第1电子部件31和第2电子部件32的一侧以加压工具同时压接第1电子部件31和第2电子部件32，也可以用加压工具分开压接它们。

此外，在各向异性导电膜的绝缘性树脂层中不仅包含热聚合引发剂和热聚合性化合物，还包含光聚合引发剂和光聚合性化合物（也可以与热聚合性化合物相同）的情况下，也可为并用光和热的压接方法来取代热压接。这样处理，就能将导电粒子的无用移动抑制在最小限度。另外，也可以将没有埋入导电粒子的一侧临时粘贴在第3电子部件33而使用。也可以向第1电子部件及第2电子部件临时粘贴各向异性导电膜，而不是向第3电子部件临时粘贴各向异性导电膜。

另外，在各向异性导电膜10a由导电粒子分散层3和第2绝缘性树脂层4的层叠体形成的情况下，将导电粒子分散层3临时粘贴在各种基板等的第3电子部件33而进行临时压接，在临时压接后的各向异性导电膜的第2绝缘性树脂层4侧对准ic芯片等的第1电子部件31或fpc等的第2电子部件32而承载，并热压接。也可以将各向异性导电膜10a的第2绝缘性树脂层4侧临时粘贴在第1电子部件31或第2电子部件32。另外，也可以将导电粒子分散层3侧临时粘贴在第1电子部件31或第2电子部件32而加以使用。

[第2连接构造体]

（整体结构）

图4a是本发明的连接构造体的方案之中第2连接构造体40b的示意平面图，图4b、图4c、图4d、图4e为第2连接构造体40b的各向异性导电膜部分的示意截面图的例子。在该第2连接构造体40b中，具有第1端子图案的第1电子部件31、和具有端子的大小及间距与第1端子图案不同的第2端子图案的第2电子部件32，也通过各向异性导电膜10b而与具有跟第1端子图案和第2端子图案各自对应的端子图案的第3电子部件33各向异性导电连接，但是该第2连接构造体40b中，作为在第2连接构造体40b的制造中所使用的各向异性导电膜10b，与第1连接构造体40a不同的是使用具有导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域10p、10q的各向异性导电膜这一点。由此，可对第1电子部件31及第2电子部件32各自进行比第1连接构造体40a更加适合的连接，并能进一步减少无用导电粒子。

在第2连接构造体40b中，也与对于第1连接构造体40a所示的图2、图3同样，对于向第3电子部件33连接的第1电子部件31或第2电子部件32的个数或配置没有特别限定。

在第2连接构造体40b中，各向异性导电膜10b所具有的、导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的区域10p、10q，既可以如图4a所示那样互相邻接，也可以如图5a所示那样区域10p和区域10q隔着不存在导电粒子的区域10r而配置。图5b、图5c是图5a所示的第2连接构造体40b的各向异性导电膜部分的示意截面图的例子。如图6a所示，区域10p和区域10q也可以隔着导电粒子的个数密度比这些高的区域10s而配置。图6b是图6a所示的第2连接构造体40b的各向异性导电膜部分的示意截面图的例子。另外，导电粒子的个数密度、粒径及硬度的至少一种不同的多个区域，既可以如上述图4a等所示那样沿膜的短边方向排列，也可以沿长边方向排列。在该情况下，各向异性导电膜优选具有：绝缘性树脂层的厚度方向上的导电粒子的位置在绝缘性树脂层的一个表面或其附近对齐的区域、和在一个表面或其附近以及在另一个表面或其附近的双方对齐的区域。

（第2连接构造体中的各向异性导电膜）

作为在第2连接构造体的制造中所使用的各向异性导电膜10b的更具体的结构，例如，在将第1电子部件31和第3电子部件33进行cog连接的情况下，在各向异性导电膜10b的区域10p中使导电粒子的个数密度为7000个/mm²以上且35000个/mm²以下，或者使导电粒子的粒径为2μm以上且9μm以下，或者，作为导电粒子的硬度，使20％压缩弹性率（20％k值）为4000n/mm²以上且28000n/mm²以下，优选为4000n/mm²以上且20000n/mm²以下。另一方面，在将第2电子部件32和第3电子部件33进行fog连接的情况下，在各向异性导电膜10b的区域10q中使导电粒子的个数密度为50个/mm²以上且10000个/mm²以下，或者使导电粒子的粒径为2μm以上且30μm以下，或者，作为导电粒子的硬度，使20％压缩弹性率（20％k值）为2000n/mm²以上且18000n/mm²以下。

此外，在上述第1电子部件31与第3电子部件33的连接区域和第2电子部件32与第3电子部件33的连接区域中的各种数值有重复，但是在各个部分中以使上述的范围内数值不重复的方式进行设计而利用。例如，如果将第1电子部件31和第3电子部件33进行cog连接的区域的导电粒子的个数密度为8000个/mm²，则将第2电子部件32和第3电子部件33进行fog连接的区域的导电粒子的个数密度小于8000个/mm²，优选的是为了容易识别而设定20％以上差距，设为6000个/mm²以下即可。关于其他参数也是同样的。

在此，作为20％压缩弹性率，利用微小压缩试验机（例如，fischer公司制，fischerscopeh－100）来测定向导电粒子施加压缩负荷时的导电粒子的压缩变量，能够使用通过下式算出的k值：

20％压缩弹性率（k）（n/mm²）＝（3/2^1/2）・f・s^－3/2・r^－1/2

式中，

f：当导电粒子压缩变形20％时的负荷值（n）

s：导电粒子压缩变形20％时的压缩位移（mm）

r：导电粒子的半径（mm）。

在区域10p和区域10q中，使导电粒子的个数密度、粒径及硬度的哪一个不同是根据所连接的第1电子部件31和第2电子部件32而适当决定的，但是优选由个数密度决定。如果利用相同导电粒子，能够避免设计上的混合（无意间混入其它种类的导电粒子），因此从质量管理上是优选的。因而，存在于至少一个面侧的导电粒子，优选粒径相同，更优选粒径和硬度相同。

另外，例如在使区域10p和区域10q中导电粒子的个数密度不同的情况下，既可以如图4b所示，通过使绝缘性树脂层2的一个面附近的导电粒子1的个数密度不同而形成区域10p和区域10q，也可以如图4c、图4d、图4e所示，使绝缘性树脂层2的表背两面的导电粒子1合在一起而形成导电粒子的个数密度不同的区域10p和区域10q。在该情况下，也可以如图4d所示，俯视观察下绝缘性树脂层2的表面和背面的导电粒子1重合而形成导电粒子单元1u，且使该导电粒子单元规则排列。

在第2连接构造体40b的制造中所使用的各向异性导电膜10b中，导电粒子自身的结构、绝缘性树脂层2的结构、第2绝缘性树脂层4的结构等，能够与在第1连接构造体40a的制造中所使用的各向异性导电膜10a同样。

关于在第2连接构造体40b的制造中所使用的各向异性导电膜10b的制造方法，也能根据在第1连接构造体40a的制造中所使用的各向异性导电膜10a进行制造。例如，在绝缘性树脂层2的一个面保持形成区域10p的导电粒子1，用平板或滚筒向绝缘性树脂层2压入该导电粒子1（第1压入工序），接着，在先前压入了导电粒子的绝缘性树脂层2的一个面或其相反面，保持形成区域10p、或区域10p及区域10q的导电粒子1，用平板或滚筒向绝缘性树脂层压入该导电粒子（第2压入工序）。在该情况下，既可以使在第2压入工序中压入的导电粒子1，在俯视观察下，成为在第1压入工序中压入导电粒子1的区域的一部分（图4c、图4d），也可以包括在第1压入工序中压入导电粒子1的整个区域（图4e），还可以与在第1压入工序中压入导电粒子1的区域局部重复（图6b）。根据导电粒子1的粒子配置，也可以将在第1压入工序中为了向绝缘性树脂层2附着导电粒子1而使用的转印模，在第2压入工序中也为了向绝缘性树脂层2附着导电粒子1而使用（图5c）。由此，能减少各向异性导电膜的制造成本而是优选的。在该情况下，能够使导电粒子1附着到绝缘性树脂层2的一个表面或另一个表面。

在第1压入工序中压入的导电粒子、和在第2压入工序中压入的导电粒子的粒径或硬度，根据需要既可以相同，也可以不同。另外，既可以使在第1压入工序中压入的导电粒子的排列和在第2压入工序中压入的导电粒子的排列不同，也可以使在第1压入工序中压入的导电粒子的个数密度和在第2压入工序中压入的导电粒子的个数密度不同。

此外，一般在将各向异性导电膜制造为卷装体的情况下，将大宽度的各向异性导电膜按照既定宽度分切而为带状，并将它卷绕在卷芯，但是，例如能够在图4e所示的各向异性导电膜10b中，先使绝缘性树脂层2的表背两面附近的导电粒子的个数密度分别以不同的个数密度均匀地形成，并在虚线的位置对其进行分切而为带状的各向异性导电膜，其上形成区域10p和区域10q。由此，能够简便地形成个数密度不同的区域10p和区域10q。

基于上述同样的理由，优选在与膜的长边方向正交（直交）的方向上，使导电粒子的个数密度在一侧和相反侧不同。另外从制造上的理由来说，优选导电粒子的个数密度、粒径及硬度在膜的一个面和相反面不同。此时，更优选在膜的一个面和相反面的任意一个面上，导电粒子的粒子间距离不同。

实施例

以下，基于实施例，对本发明具体地进行说明。

实施例1～7、比较例1、2

（1）各向异性导电膜的制造

按照表1所示的配合，分别调制了形成导电粒子分散层的绝缘性树脂层形成用树脂组合物、以及第2绝缘性树脂层形成用树脂组合物。绝缘性树脂层的最低熔化粘度为3000pa・s以上，该绝缘性树脂层的最低熔化粘度和第2绝缘性树脂层的最低熔化粘度之比为2以上。

用棒涂机将形成绝缘性树脂层（高粘度树脂层）的树脂组合物涂敷在膜厚度50μm的pet膜上，在80℃的烤箱中干燥5分钟，在pet膜上形成了表2所示的厚度的绝缘性树脂层。同样地，将第2绝缘性树脂层按照表2所示的厚度形成在pet膜上。

[表1]

另一方面，以使导电粒子（平均粒径3μm或4μm）在俯视观察下成为六方格子排列，且导电粒子在俯视观察下的个数密度（面密度）成为表2所示的数值的方式制作模具。此外，表2中fog侧和cog侧导电粒子的面密度不同，在一个模具形成面密度不同的两个区域。使公知的透明性树脂的颗粒以熔化的状态流入该模具中，经冷却固化，从而形成凹部为六方格子排列图案的树脂模。

向该树脂模的凹部，填充表2所示的平均粒径的导电粒子（平均粒径3μm：积水化学工业（株）制，aul703，及平均粒径4μm：积水化学工业（株）制，aul704），其上覆盖上述绝缘性树脂层，在60℃、0.5mpa下进行按压而粘贴。而且，从模剥离绝缘性树脂层，将绝缘性树脂层上的导电粒子在（按压条件：60～70℃，0.5mpa）下压入该绝缘性树脂层内，形成了导电粒子分散层（实施例1～7）。

比较例1、2中向形成表1所示的绝缘性树脂层的树脂组合物混合导电粒子，形成了导电粒子以单层随机分散的导电粒子分散层。

进而，通过在导电粒子分散层的表面层叠第2绝缘性树脂层而制作了2层类型的各向异性导电膜（实施例1～7，比较例1、2）。

此外，利用微小压缩试验机（例如，fischer公司制，fischerscopeh－100）测定了所使用的导电粒子的20％压缩弹性率（20％k值）。将结果示于表2。

（2）评价

将由（1）制作的实施例及比较例的各向异性导电膜，按充分的面积裁断，以能够适用于以下的评价用连接物的制作，将裁断的各向异性导电膜的一部分配置在以下所示的评价用ic与玻璃基板之间，按照180℃、60mpa、5秒钟的条件进行加热加压而各向异性导电连接，接着，对该玻璃基板，使用相同的各向异性导电膜的其他区域，对评价用fpc按照工具宽度1.5mm、200℃、5mpa、5秒种的条件进行加热加压而连接，从而得到了通过一块各向异性导电膜使评价用ic和评价用fpc各向异性导电连接到玻璃基板的评价用连接物。

评价用ic：

外形1.8×30mm

厚度0.5mm

凸点规格尺寸30×85μm、凸点间距离10μm、凸点高度15μm、端子个数820个。

评价用fpc：

端子间距20μm

端子宽度：端子间空间＝1：1

聚酰亚胺膜厚/铜箔厚（pi/cu）＝38/8、镀锡（snplating）。

玻璃基板：

（cog侧）

玻璃材质corning公司制1737f

电极ito布线

布线厚度0.5mm

（fog侧）

电极ito布线

布线厚度0.7mm。

对于这样得到的评价用连接物，如以下那样测定（a）导通电阻、（b）导通可靠性、（c）最低捕获数、（d）短路率，并进行了评价。将结果示于表2。

（a）导通电阻

用4端子法测定了评价用连接物的cog侧连接部和fog侧连接部中的导通电阻。实际使用上优选2ω以下。

（b）导通可靠性

将评价用连接物置于温度85℃、湿度85％rh的恒温槽中500小时，与初始导通电阻同样地测定了其后的cog侧连接部和fog侧连接部的导通电阻。实际使用上优选5ω以下。

（c）最低捕获数

对于评价用连接物的cog侧连接部和fog侧连接部各自100个端子计测导电粒子的捕获数，求出最低捕获数，并按照以下基准进行了评价。实际使用上，b评价以上为优选。

最低捕获数评价基准

a：10个以上

b：5个以上且小于10个

c：3个以上且小于5个

d：小于3个。

（d）短路率

关于评价用连接物的cog侧连接部和fog侧连接部各自，按照以下的手法计测各自的短路数，求出计测的短路数相对于端子数的比例作为短路率，并按照以下的基准进行了评价。实际使用上b评价以上为优选。

cog侧连接部中的短路率

使用以下的短路率的评价用ic，按照与上述同样的连接条件得到cog侧的评价用连接物，计测所得到的评价用连接物的短路数，求出计测的短路数相对于评价用ic的端子数的比例作为短路率。

短路率的评价用ic（7.5μm空间的梳齿teg（testelementgroup））：

外形15×13mm

厚度0.5mm

凸点规格尺寸25×140μm，凸点间距离7.5μm，凸点高度15μm。

fog侧连接部中的短路率

将与（a）导通电阻的试验的评价用连接物的制作中使用的评价用fpc相同的fpc，按照同样的连接条件连接到无碱玻璃基板（厚度0.7mm），从而得到fog侧的评价用连接物，计测所得到的评价用连接物的短路数，由计测的短路数和评价用连接物的间隙数求出短路率。

短路率评价基准

a：小于50ppm

b：50ppm以上且小于100ppm

c：100ppm以上且小于200ppm

d：200ppm以上。

[表2]

根据表2，由于实施例4、5、6、7中fog侧连接部和cog侧连接部上导电粒子的面密度、粒径、硬度全都不变，但是导电粒子规则排列，因此成为导通电阻、导通可靠性、捕获数、短路率全都能实际使用的结果。另外，可知实施例1、2、3中，fog侧连接部和cog侧连接部上导电粒子的面密度、粒径、硬度不同，而fog侧或cog侧连接部的导通可靠性比实施例4、5、6、7得到提高。相对于此，比较例1、2由于fog侧连接部和cog侧连接部上导电粒子的面密度、粒径、硬度不变，且导电粒子随机分散，所以在导电粒子的个数密度高的比较例1中fog侧连接部的导通电阻和导通可靠性差，而在导电粒子的个数密度低的比较例2中cog侧连接部的导通电阻和导通可靠性差。

标号说明

1导电粒子；2绝缘性树脂层；2b凹部（倾斜）；2c凹部（起伏）；3导电粒子分散层；4第2绝缘性树脂层；10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g各向异性导电膜；10p、10q、10r、10s各向异性导电膜的区域；31第1电子部件；32第2电子部件；33第3电子部件；40a第1连接构造体；40b第2连接构造体；d导电粒子的平均粒径；la绝缘性树脂层的层厚；lb邻接的导电粒子间的中央部的切平面与导电粒子最深部的距离；lc倾斜或起伏中的导电粒子的露出（正上方）部分的直径；ld导电粒子的周围或正上方的绝缘性树脂层的倾斜或起伏的最大直径；le导电粒子的周围的绝缘性树脂层中的倾斜的最大深度；lf导电粒子的正上方的绝缘性树脂层中的起伏的最大深度。