碳化硅肖特基二极管的制作方法

技术特征：

技术总结
一种碳化硅肖特基二极管，包括N型SiC层和P型SiC层，该P型SiC层与该N型SiC层接触形成P‑N结。阳极与N型SiC层和P型SiC层都接触，在阳极与N型SiC层和P型SiC层之间都形成肖特基接触。P型SiC层的边缘具有电活性，并且包括P‑N结处的锥形负电荷密度，可以通过P型SiC层的锥形或倾斜边缘实现。

技术研发人员：S·迪米特里杰夫;J·韩
受保护的技术使用者：格里菲斯大学
技术研发日：2017.12.13
技术公布日：2019.09.27