技术总结
本发明提出一种LED外延片衬底结构及制造方法，其特征在于，包括：带有凸状图形的图形化衬底、生长在所述凸状图形上部的保护层、以及生长在图形化衬底和保护层上的AlN缓冲层。本发明及优选技术方案相对于现有技术的有益效果在于：通过图形化衬底、保护层和AlN缓冲层的结合，不仅很好地解决了LED出光发生全反射和逸出到衬底的问题，同时，保护层和AlN缓冲层的结合构成的折射率阶变的层次结构进一步提升了出光效率，且能够使生长在缓冲层之上的GaN的结晶质量得以提升，对GaN基LED带来的增益尤为明显。 1
技术研发人员：吴琼;
受保护的技术使用者：福建兆元光电有限公司;
技术研发日：2018.01.09
技术公布日：2018.06.15