技术特征：
技术总结
本发明提供了一种闪存单元、闪存整列及其操作方法，所述闪存单元包含：衬底内形成有第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的导电类型相反；形成在所述衬底上的存储位，并位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的区域，所述存储位包括一浮栅和一控制栅。本发明提供的闪存单元，采用了隧穿场效应晶体管(TFET)，利用带带隧穿原理实现沟道的导通及闪存单元的编程，从而抑制了短沟道的穿通效应、提高了编程效率并且降低了整体功耗；此外，本发明所提供的闪存单元有利于尺寸的缩减，对今后闪存存储器的存储面积的减小及存储容量的提升具有推动作用。
技术研发人员：徐涛
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.03.14
技术公布日：2018.08.17