技术总结
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：形成第一材料层，所述第一材料层包含多个氢键；在第一材料层上形成第二材料层，第二材料层的致密度大于第一材料层，其中，在形成第一材料层之后、并且在形成第二材料层之前进一步包括，执行退火以减少所述多个氢键。依照本发明的半导体器件制造方法，形成硬掩模之前对介质层退火以完全去除氢键缺陷，提高了器件的抗漏电能力。
技术研发人员：詹昶;万先进;张高升;刘力挽;胡淼龙;蒋志超;涂飞飞
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.03.19
技术公布日：2018.09.18