技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠设置在衬底上的复合缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，复合缓冲层包括N个周期的超晶格结构，每个周期的超晶格结构包括层叠设置在衬底上的第一子层和第二子层，第一子层为AlN层，第二子层为Al2O3层，复合缓冲层的厚度为10～50nm。与现有的缓冲层的厚度相同，本发明减薄了AlN层的总厚度，同时在每层AlN层上均设有Al2O3层，Al2O3材料的透光性优于AlN材料，减少了复合缓冲层的吸光，从而提高了LED芯片底部的出光效率。
技术研发人员：丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.03.29
技术公布日：2018.10.09