技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体集成电路装置。标准单元(1)具有沿第一方向延伸的鳍片(11)。由沿垂直于第一方向的第二方向延伸且被设置在鳍片(11)上的栅极布线(12)、以及鳍片(11)构成有源晶体管(N1)。由鳍片(11)和与栅极布线(12)并列设置的虚拟栅极布线(14)构成虚拟晶体管(D1)，所述虚拟晶体管(D1)与有源晶体管(N1)共用源极的节点和漏极的节点中的一节点。
技术研发人员：新保宏幸
受保护的技术使用者：株式会社索思未来
技术研发日：2014.04.21
技术公布日：2018.10.09