技术特征：
技术总结
一种半导体器件可以包括多个导电图案和绝缘图案。多个导电图案可以形成在衬底上。多个导电图案可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开。多个导电图案中的每一个可以具有延伸部分和台阶部分。台阶部分可以设置在对应导电图案的边缘处。绝缘图案可以在竖直方向上形成在多个导电图案之间。多个导电图案中的每一个的台阶部分的下表面和上表面可以向上弯曲。
技术研发人员：金成吉;金智美;金泓奭;南泌旭;安宰永;崔至薰
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.07.02
技术公布日：2019.01.15