1.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：衬底、衬底下方的漏极电极以及远离所述衬底的方向依次垂直置于所述衬底上方的n+型SiC、n-型SiC、P-型SiC以及n+型SiC；所述晶体管上方具有预设倾斜角度的倒梯形沟槽，所述倒梯形沟槽的窄底处于所述n-型SiC所在的区域；所述倒梯形沟槽上沉积有SixNy-SiO2双层结构，所述SixNy-SiO2双层结构上具有栅极电极，所述晶体管上方且位于所述倒梯形沟槽宽底两侧的位置烧结有源极接触电极。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述预设倾斜角的角度包括45°、60°、75°中的一种。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述衬底的材料包括蓝宝石或碳化硅。
4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管上远离所述衬底的方向的n+型SiC、n-型SiC、P-型SiC以及n+型SiC的厚度分别为：400nm，800nm，400nm，400nm；载流子浓度分别为：2x1018cm-3，1x1017cm-3，2x1017cm-3，3x1018cm-3。
5.如权利要求1-4任一项所述的晶体管，其特征在于，所述SixNy-SiO2双层结构中的SixNy、SiO2的厚度分别为2nm、98nm；所述漏极电极为厚度为240nm的Al；
所述栅极电极为Ni、Au材料的组合，所述Ni、Au材料的厚度分别为10nm、130nm；
所述源极接触电极为Ti、Al材料的组合构成，所述Ti、Al材料的厚度分别为12nm、260nm。
6.一种半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
利用垂直热壁CVD法在双面抛光的衬底上依次生长n+型SiC、n-型SiC、P-型SiC以及n+型SiC得到晶体管半成品；
采用Cl2或SiCl4材料在所述晶体管半成品上进行干法刻蚀，形成具有预设倾斜角的倒梯形沟槽；所述倒梯形沟槽的窄底处于所述n-型SiC所在的区域；
采用电子回旋共振法在所述倒梯形沟槽上沉积SixNy-SiO2双层结构，并在所述SixNy-SiO2双层结构上设置栅极电极；
使用剥离脱离工艺在所述晶体管半成品上方且位于所述倒梯形沟槽宽底两侧的位置烧结源极接触电极，并在所述衬底下方设置漏极电极。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述预设倾斜角的角度包括45°、60°、75°中的一种。
8.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述衬底的材料包括蓝宝石或碳化硅。
9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述n+型SiC、n-型SiC、P-型SiC以及n+型SiC的厚度分别为：400nm，800nm，400nm，400nm；载流子浓度分别为：2x1018cm-3，1x1017cm-3，2x1017cm-3，3x1018cm-3。
10.如权利要求6-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述SixNy-SiO2双层结构中的SixNy、SiO2的厚度分别为2nm、98nm；所述漏极电极为厚度为240nm的Al；
所述栅极电极为Ni、Au材料的组合，所述Ni、Au材料的厚度分别为10nm、130nm；
所述源极接触电极为Ti、Al材料的组合构成，所述Ti、Al材料的厚度分别为12nm、260nm。