一种p型背接触太阳电池及其制备方法与流程

文档序号:15676813发布日期:2018-10-16 20:08阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种p型背接触太阳电池及其制备方法,自上而下依次包括:正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极;电池电极包括正极和负极,正极包括正极细栅线和正极连接电极,所述负极包括负极细栅线和负极连接电极;正极细栅线置于本征膜层范围内,且穿过背面钝化膜、本征膜层及钝化隧穿层后与p型硅基底形成接触;负极细栅线穿过背面钝化膜与n型掺杂膜层形成接触;正极细栅线与正极连接电极连接,并通过正极连接电极导出电流,负极细栅线与负极连接电极连接,并通过负极连接电极导出电流。使用了本征膜层进行了隔离,在空间的横向和纵向方向上都没有接触,大大较少了漏电流的产生,提高了可靠性和电池性能表现。

技术研发人员:李华;鲁伟明;李中兰;靳玉鹏
受保护的技术使用者:泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
技术研发日:2018.07.11
技术公布日:2018.10.16
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