技术特征：
技术总结
本发明公开了一种自对准金属硅化物的制造方法，包括步骤：步骤一、在衬底表面依次形成由材料不同的第一介质层和第二介质层叠加而成的双层金属硅化物阻挡层；步骤二、形成光刻胶图形打开需要形成自对准金属硅化物的区域；步骤三、进行第一次干法刻蚀工艺将打开区域中的第二介质层去除；步骤四、去除光刻胶图形；步骤五、以第二介质层为掩膜并进行第二次湿法刻蚀工艺将打开区域中的第一介质层完全去除。本发明能避免金属硅化物阻挡层对应的湿法刻蚀机台对光刻胶产生去除作用，从而避免光刻胶对湿法刻蚀机台产生不利影响。
技术研发人员：李镇全
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.07.13
技术公布日：2018.12.28