技术特征：
技术总结
本发明公开一种薄膜晶体管及其制作方法。该方法包括：在基板上沉积第一金属层；在第一金属层上沉积半导体材料层，利用第一道光刻工艺对半导体材料层进行图案化处理，形成半导体有源层；在第一金属层及半导体有源层上沉积第二金属层，采用第二道光刻工艺对第一金属层及第二金属层进行图案化处理，得到第一电极、第二电极和第三电极，第一电极与第二电极间隔设置，第一电极设置在基板上，第二电极设置在基板与半导体有源层之间，第三电极设置在半导体有源层之上，第二电极与第三电极在水平面的投影重叠，第一电极由第一金属层和第二金属层构成。通过两道光刻工艺即可完成第一电极、第二电极、第三电极以及有源层的制作，减少工艺步骤，降低成本。
技术研发人员：夏慧;谭志威
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2018.07.20
技术公布日：2019.01.01