技术特征：
技术总结
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅沟槽MOS器件。本发明主要特征在于：采用T字形槽栅结构，辅助耗尽漂移区，提高漂移区浓度，减小导通电阻，同时提高击穿电压；采用P型埋层作为缓冲层，降低饱和电流，提高抗短路能力。相比于传统的碳化硅沟槽MOS器件，本发明不仅具有更低的导通电阻、更高的击穿电压，而且具有更好的抗短路能力。
技术研发人员：罗小蓉;何清源;廖天;张科;方健;杨霏
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.08.29
技术公布日：2019.01.01