技术特征：
技术总结
本发明公开了一种耗尽型场效应管的制作方法，涉及半导体技术领域，该方法在外延层上依次制作块状分立的厚氧化层、栅氧化层以及分立的台阶型的多晶硅栅极，然后制作体区，利用局部厚氧化层和多晶硅栅极形成的阶梯台阶进行离子的注入，由于离子注入穿透不同厚度的阻挡物的能力有差异，使得在离子注入过程中可以同时形成沟道区的离子掺杂和源漏区的离子掺杂，且可以满足沟道区和源区对离子浓度的不同要求，节约了光刻层次，简化了制作步骤；另外，由于沟道区的掺杂是在体区驱入之后制作的，所以体区的驱入热过程不会影响到沟道区的离子掺杂分布，可以确保制作得到的场效应管的阈值电压的稳定性。
技术研发人员：范捷;万立宏;王绍荣
受保护的技术使用者：江苏丽隽功率半导体有限公司
技术研发日：2018.08.31
技术公布日：2019.01.11