1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构定义出有源区；以及，
栅电极，形成于所述有源区上并延伸至所述沟槽隔离结构，其中，所述栅电极在所述有源区及所述沟槽隔离结构的交界处具有横向凸出的凸出部，所述凸出部的横向凸出方向垂直于所述栅电极的延伸方向，以使所述栅电极在所述交界处的横向宽度尺寸大于所述栅电极位于所述有源区中间区域的横向宽度尺寸，且所述凸出部的横向宽度尺寸从所述交界处往所述有源区中心的方向逐渐减小。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区中形成有源区和漏区，并且所述源区和所述漏区在平行于所述栅电极的延伸方向上均扩展至所述有源区的边界，所述栅电极位于所述源区和所述漏区之间以构成一晶体管，所述晶体管在所述有源区靠近所述交界处的沟道区域的长度大于所述晶体管在所述有源区中间区域的沟道区域的长度，且所述晶体管在所述有源区靠近所述交界处的沟道区域的长度从所述交界处往有源区中心的方向逐渐减小。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凸出部在所述交界处还分别往所述有源区中和所述沟槽隔离结构中延伸，以使所述凸出部部分位于所述有源区上，另一部分位于所述沟槽隔离结构上。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凸出部的侧壁呈倾斜状或台阶状。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述凸出部的侧壁形成2-5级台阶。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凸出部在平行于所述栅电极的延伸方向上的宽度尺寸介于30nm-140nm。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述凸出部的横向宽度尺寸介于20nm-100nm。
8.如权利要求1-7中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件应用于集成电路存储器中，所述集成电路存储器包括若干晶体管。