技术特征：
技术总结
本发明提供一种功率器件及其制备方法，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底上表面的第一导电类型的第一外延层；源区和体区；形成于所述体区两侧的第一导电类型的第三外延层；与所述体区共同包裹所述第三外延层的第二导电类型的第二外延层；第三沟槽；第一导电类型的第四外延层；氧化硅层；形成于所述氧化硅层上表面的多晶硅层；第四沟槽；形成于所述多晶硅层和所述第四沟槽内的介质层；形成于所述介质层上方的第一金属层；形成于所述介质层上方的第二金属层；形成于所述衬底下表面的第三金属层。该结构设置既增大了器件的击穿电压，同时降低了器件的导通电阻，提高了VDMOS器件的性能。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市心版图科技有限公司
技术研发日：2018.09.14
技术公布日：2019.01.11