技术特征：
技术总结
本发明公开了一种太阳能电池片扩散工艺,其特征在于，包括步骤：将硅片进行清洗、制绒处理，再放入扩散炉；将扩散炉温度加热至设定的第一温度，稳定后通入氧气，进行第一次氧化反应；温度加热至设定的第二温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，进行第一次扩散反应；温度加热至设定的第三温度，稳定后进行第二次扩散反应；温度加热至设定的第四温度，稳定后进行第二次氧化反应；温度进行冷却至第五温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，保持设定的第五时间；停止通入三氯氧磷，继续通入氧气，将扩散炉降温退火，退火后取出硅片即可。本发明在扩散工艺中，杂质P的扩散深度较浅，使硅表面形成重掺杂N+区域，增大电池片短路电流，提高电池转换效率。
技术研发人员：李涛
受保护的技术使用者：苏州惠捷迦装备科技有限公司
技术研发日：2018.09.19
技术公布日：2019.02.05