技术总结
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。此装置包括具有高压阱的半导体基板、位于上述半导体基板上的栅极介电层、位于上述栅极介电层上的T型栅极，上述T型栅极具有延伸超出T型栅极的颈部的多个突出结构、设置在上述T型栅极的多个突出结构下方的介电颈部支撑件、设置在上述介电颈部支撑件下方的刻蚀终止部件、设置在上述T型栅极两侧的高压阱中的一对漂移区、以及位于该对漂移区内的一对源极/漏极区。该半导体装置可提升其击穿电压。
技术研发人员：林志威;邱柏豪
受保护的技术使用者：世界先进积体电路股份有限公司
技术研发日：2018.09.27
技术公布日：2020.04.03