1.一种薄膜电容器，其特征在于，包括电介质薄膜和电极层，所述电介质薄膜包括金属衬底以及依次形成于所述金属衬底上的第一金属层、第二金属层、第二金属氧化物层和第二金属氧化物薄膜，所述电极层形成于所述第二金属氧化物薄膜上；
其中，所述第一金属层的材料与所述金属衬底的材料相同；
所述第一金属层的表面还设有所述第二金属层中的第二金属与第一金属层中的第一金属结合而形成的合金层。
2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，采用磁过滤多弧离子镀方法沉积形成所述第一金属层和所述第二金属层，在采用磁过滤多弧离子镀方法沉积形成所述第二金属层时，所述第一金属层中第一金属与所述第二金属层中的第二金属形成所述合金层。
3.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，所述金属衬底的表面粗糙度为10nm～400nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，所述金属衬底的厚度为6μm～18μm；及/或
所述金属衬底的表面张力≥60达因。
5.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，所述第一金属层的厚度为20nm～40nm。
6.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，所述第二金属层的厚度为30nm～60nm。
7.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，所述合金层的厚度为5nm～10nm。
8.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，所述第二金属氧化物层的厚度为5nm～10nm。
9.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，所述第二金属氧化物薄膜的厚度为25nm～1.99μm，所述第二金属氧化物薄膜的晶粒大小为30nm～300nm。
10.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其特征在于，所述金属衬底包括铜箔，所述第一金属层包括铜层，所述合金层包括铜钛合金层，所述第二金属层包括钛层，所述第二金属氧化物层包括二氧化钛层，所述第二金属氧化物薄膜包括二氧化钛薄膜。