技术特征：
技术总结
在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。该集成芯片具有布置在衬底内的隔离结构。该隔离结构具有限定一个或多个凹陷的内表面和限定暴露衬底的开口的侧壁，该一个或多个凹陷凹进至低于隔离结构的最上表面。源极区域设置在开口内。漏极区域设置在开口内并且沿着第一方向通过沟道区域与源极区域分隔开。栅极结构在沟道区域上方延伸。该栅极结构包括具有一种或多种材料的第一组成的第一栅电极区域和设置在一个或多个凹陷上方并且具有与一种或多种材料的第一组成不同的一种或多种材料的第二组成的第二栅电极区域。本发明的实施例还涉及用于改进扭结效应的金属栅极调制。
技术研发人员：林孟汉;邱德馨;吴伟成
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.10.16
技术公布日：2019.05.21