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用于超高密度第一级互连的双焊接方法与流程
文档序号:18005419
发布日期:2019-06-25 23:18
阅读:
来源:国知局
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用于超高密度第一级互连的双焊接方法与流程
技术特征:
技术总结
一种装置,包括具有至少一个焊料接合焊盘的集成电路(IC)封装;具有至少一个焊料接合焊盘的管芯,其中该管芯通过管芯的至少一个焊料接合焊盘与IC封装的至少一个焊料接合焊盘之间的至少一个焊点接合到IC封装;以及IC封装与管芯之间的底部填充剂材料,其中该至少一个焊点嵌入在底部填充剂材料中,并且其中该至少一个焊点包括第一冶金和第二冶金。
技术研发人员:
C.苏布拉马尼
受保护的技术使用者:
英特尔公司
技术研发日:
2018.11.16
技术公布日:
2019.06.25
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