等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法与流程

本发明涉及等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法。

背景技术：

聚焦环在等离子体蚀刻装置的处理室内配置在载置台上的晶圆的周边部，用于使等离子体朝向晶圆w的表面聚敛。在等离子体处理中，聚焦环暴露在等离子体中而消耗。

其结果是，在晶圆的边缘部，鞘层产生高度差，离子的照射角度偏斜，蚀刻形状发生倾斜(tilting)。另外，晶圆的边缘部的蚀刻率发生变动，晶圆w的面内的蚀刻率变得不均匀。因此，在聚焦环产生了规定以上的消耗时更换为新的聚焦环。然而，此时产生的更换时间成为导致生产率降低的一个主要原因。

对此，例如专利文献1中公开了一种通过利用直流电源向聚焦环施加直流电压来控制蚀刻率的面内分布的技术。引用文献2中公开了一种根据聚焦环的温度的随时间的变动来测量聚焦环的消耗程度的技术。引用文献3中公开了一种测定聚焦环的厚度且根据测定结果来控制聚焦环的直流电压的技术。

专利文献1：日本专利第5281309号公报

专利文献2：日本专利第6027492号公报

专利文献3：日本特开2005-203489号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，向聚焦环施加的直流电压的适当值根据聚焦环的消耗量和工艺条件而发生变动。由此，在专利文献1、2的技术中，难以根据聚焦环的消耗量等适当地控制向聚焦环施加的直流电压。

另外，在专利文献3的技术中，根据聚焦环的厚度来控制直流电压，但是聚焦环不仅在厚度方向上产生消耗，也在宽度方向上产生消耗，因此利用专利文献3的技术也难以根据聚焦环的消耗量等来适当地控制向聚焦环施加的直流电压。另外，在专利文献3的技术中，在构造上来讲，难以直接测定设置在等离子体蚀刻装置内的聚焦环的厚度，要花费高额的成本。

针对上述问题，本发明的一个方面的目的在于提高等离子体蚀刻装置的生产率。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置具有：处理容器，其能够进行真空排气；下部电极，其在所述处理容器内载置基板；上部电极，其在所述处理容器内与所述下部电极以并行的方式相向；处理气体供给部，其向所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；高频供电部，其向所述上部电极或者所述下部电极施加用于使所述处理气体生成等离子体的高频；聚焦环，其覆盖所述基板的周边部；直流电源，其输出用于向所述聚焦环施加的直流电压；加热部，其对所述聚焦环进行加热；以及温度测定部，其测定所述聚焦环的温度。

根据其它的方式，提供一种等离子体蚀刻方法，该等离子体蚀刻方法包括使用所述等离子体蚀刻装置来对所述基板进行蚀刻的工序，在对所述基板进行蚀刻的工序中，基于由所述温度测定部测定出的所述聚焦环的温度，参照存储有表示聚焦环的升温速度与直流电压之间的关系的信息的存储部来控制向所述聚焦环施加的直流电压。

发明的效果

根据一个方面，能够提高等离子体蚀刻装置的生产率。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体蚀刻装置的一例的图。

图2是用于说明由聚焦环的消耗引起的蚀刻率和倾斜的变动的图。

图3是示出一个实施方式所涉及的聚焦环的周边构造的截面的一例的图。

图4是示出一个实施方式所涉及的升温速度与直流电压之间的关系计算处理的一例的流程图。

图5是示出一个实施方式所涉及的表示升温速度与直流电压之间的关系的对应图的一例的图。

图6是示出一个实施方式所涉及的直流电压控制处理的一例的流程图。

图7是示出一个实施方式的变形例所涉及的聚焦环的周边构造的截面的一例的图。

图8是示出一个实施方式所涉及的用于进行电压控制的系统的一例的图。

附图标记说明

1：等离子体蚀刻装置；10：处理容器；11：载置台；18：排气装置；21：第一高频电源；22：第二高频电源；25：静电卡盘；25a：吸附电极；25b：介电层；25c：基台；28：可变直流电源；29：电极；30：聚焦环；31：制冷剂室；35：传热气体供给部；40：处理气体供给部；43：控制部；51：辐射温度计；52、62：加热器；52a：绝缘构件；52a、56、62a：绝缘体。

具体实施方式

下面，参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。

[等离子体蚀刻装置]

首先，参照图1来说明本发明的一个实施方式所涉及的等离子体蚀刻装置1的一例。图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体蚀刻装置1的截面的一例的图。本实施方式所涉及的等离子体蚀刻装置1是rie(reactiveionetching：反应离子蚀刻)型的等离子体蚀刻装置。

等离子体蚀刻装置1具有能够进行真空排气的圆筒型的处理容器10。处理容器10由金属制成，例如由铝或者不锈钢等制成，处理容器10的内部形成为进行等离子体蚀刻、等离子体cvd等的等离子体处理的处理室。处理容器10接地。

在处理容器10的内部配设有圆板状的载置台11。载置台11用于载置作为被处理体的一例的半导体晶圆w(以下称为“晶圆w”)。载置台11被从处理容器10的底向垂直上方延伸的筒状支承部13经由筒状保持构件12支承，该筒状保持构件12由氧化铝(al2o3)形成。

载置台11具有静电卡盘25。静电卡盘25具有由铝形成的基台25c和基台25c上的介电层25b。在基台25c的上部外周侧，以覆盖晶圆w的周边部的方式配置有聚焦环30。基台25c和聚焦环30的外周被绝缘环32覆盖。

在介电层25b埋设有由导电膜形成的吸附电极25a。直流电源26经由开关26a而与吸附电极25a连接。通过从直流电源26对吸附电极25a施加的直流电压来产生库仑力等静电力，静电卡盘25通过该静电力来对晶圆w进行吸附保持。

聚焦环30由硅形成。在聚焦环30的下表面附近且基台25c埋设有加热器52。加热器52与交流电源58连接，当从交流电源58向加热器52施加电力时，加热器52被加热，由此聚焦环30升温。能够利用辐射温度计51来测定聚焦环30的背面的温度。

可变直流电源28经由开关28a而与电极29连接，输出从电极29向与该电极29相接触的聚焦环30施加的直流电压。通过从可变直流电源28施加的直流电压来向聚焦环30施加电压。

另外，在本实施方式中，如后文中所叙述的那样，通过将从可变直流电源28向聚焦环30施加的直流电压控制为适当值，来根据聚焦环30的消耗量对聚焦环30的整个上表面的鞘层的厚度进行控制。由此，抑制倾斜的发生，控制蚀刻率的面内分布。可变直流电源28是输出向聚焦环30施加的直流电压的直流电源的一例。

载置台11经由匹配器21a而与第一高频电源21连接。第一高频电源21向载置台11施加用于生成等离子体和用于进行rie的第一频率(例如13mhz的频率)的高频电力。另外，第二高频电源22经由匹配器22a而与载置台11连接。第二高频电源22向载置台11施加频率比第一频率低的用于施加偏压的第二频率(例如3mhz的频率)的高频电力。通过这样，载置台11也作为下部电极发挥功能。

在基台25c的内部设置有例如沿圆周方向延伸的环状的制冷剂室31。经由配管33、34从冷却单元向制冷剂室31循环供给规定温度的制冷剂、例如冷却水，来对静电卡盘25进行冷却。

另外，静电卡盘25经由气体供给管线36而与传热气体供给部35连接。传热气体供给部35经由气体供给管线36向静电卡盘25的上表面与晶圆w的背面之间的空间供给传热气体。作为传热气体，优选使用具有导热性的气体，例如he气等。

在处理容器10的侧壁与筒状支承部13之间形成有排气路径14。在排气路径14的入口处配设有环状的隔板15，并且在排气路径14的底部设置有排气口16。排气口16经由排气管17而与排气装置18连接。排气装置18具有真空泵，将处理容器10内的处理空间减压至规定的真空度。另外，排气管17具有作为可变蝶形阀的自动压力控制阀(automaticpressurecontrolvalve)(下面称为“apc”)，apc自动地进行处理容器10内的压力控制。并且，在处理容器10的侧壁安装有对晶圆w的搬入搬出口19进行开闭的闸阀20。

在处理容器10的顶部配设有气体喷淋头24。气体喷淋头24具有电极板37和将该电极板37以可装卸的方式进行支承的电极支承体38。电极板37具有多个通气孔37a。气体喷淋头24与作为下部电极发挥功能的载置台11以并行的方式相向。气体喷淋头24也作为上部电极发挥功能。

在电极支承体38的内部设置有缓冲室39，该缓冲室39的气体导入口38a经由气体供给配管41而与处理气体供给部40连接。处理气体供给部40从多个通气孔37a向气体喷淋头24与载置台11之间的处理空间供给处理气体。另外，在处理容器10的周围配置有呈环状或者同心状地延伸的磁体42。

等离子体蚀刻装置1的各构成要素与控制部43连接。控制部43控制等离子体蚀刻装置1的各构成要素。作为各构成要素，例如列举排气装置18、匹配器21a、22a、第一高频电源21、第二高频电源22、开关26a、28a、直流电源26、可变直流电源28、传热气体供给部35以及处理气体供给部40等。

控制部43是具备cpu43a和存储器43b的计算机。cpu43a读出存储器43b中存储的等离子体蚀刻装置1的控制程序和处理制程并执行，由此控制等离子体蚀刻装置1的蚀刻处理的执行。

另外，控制部43将具有在后述的聚焦环30的直流电压控制处理的前处理中计算出的、表示聚焦环30的升温速度与直流电压之间的关系的信息的表格存储于存储器43b。存储器43b是存储表示升温速度与直流电压之间的关系的信息的存储部的一例。

在等离子体蚀刻装置1中，例如在进行蚀刻处理时，首先打开闸阀20，将晶圆w搬入到处理容器10内，载置到静电卡盘25上。从直流电源26向吸附电极25a施加直流电压，来将晶圆w吸附于静电卡盘25。

另外，向静电卡盘25的上表面与晶圆w的背面之间供给传热气体。而且，将来自处理气体供给部40的处理气体导入处理容器10内，利用排气装置18等对处理容器10内进行减压。并且，从第一高频电源21和第二高频电源22向载置台11供给第一高频电力和第二高频电力。

在等离子体蚀刻装置1的处理容器10内，通过磁体42形成朝向一个方向的水平磁场，通过施加于载置台11的高频电力形成铅垂方向的rf电场。由此，使从气体喷淋头24导入的处理气体等离子体化，利用等离子体中的自由基、离子对晶圆w进行规定的蚀刻处理。

此外，第一高频电源21是向载置台11施加用于自处理气体生成等离子体的高频的高频供电部的一例。但是，高频供电部也可以向气体喷淋头24施加用于自处理气体生成等离子体的高频来代替向载置台11施加该高频。

加热器52是对聚焦环30进行加热的加热部的一例。此外，加热部不限于此，例如也可以是热介质等。另外，辐射温度计51是测定聚焦环的温度的温度测定部的一例。此外，温度测定部不限定于特定的温度计，例如也可以是luxtron等光学式温度计、热电偶等。

[聚焦环的消耗]

接着，参照图2来说明因聚焦环30的消耗而发生的鞘层的变化、蚀刻率的变动以及倾斜的发生。如图2的(a)所示，在聚焦环30是新品的情况下，以晶圆w的上表面与聚焦环30的上表面处于相同的高度位置的方式设计聚焦环30的厚度。此时，等离子体处理中的晶圆w上的鞘层与聚焦环30上的鞘层处于相同的高度位置。在该状态下，向晶圆w上以及聚焦环30上照射来自等离子体的离子的照射角度为垂直的。其结果是，形成在晶圆w上的孔等的蚀刻形状为垂直的，不会产生蚀刻形状偏斜的倾斜(tilting)。另外，针对晶圆w的整个面内均匀地控制蚀刻率。

然而，在等离子体处理中，聚焦环30暴露在等离子体中而消耗。于是，如图2的(b)所示，聚焦环30的厚度变薄，聚焦环30的上表面变得比晶圆w的上表面低，聚焦环30上的鞘层的高度变得比晶圆w上的鞘层的高度低。

在该鞘层的高度产生了高度差的晶圆w的边缘部处，离子的照射角度偏斜，蚀刻形状产生倾斜(tilting)。或者，晶圆w的边缘部的蚀刻率发生变动，晶圆w的面内的蚀刻率变得不均匀。

对此，在本实施方式中，通过向聚焦环30施加从可变直流电源28输出的直流电压，能够控制蚀刻率的面内分布以及倾斜。

然而，在等离子体处理期间，聚焦环30暴露在等离子体中而逐渐消耗。由此，从可变直流电源28施加的直流电压的适当值根据聚焦环30的消耗量而发生变动。另外，如图2的(b)所示，聚焦环30的消耗不仅包括聚焦环30的在厚度方向上的削减，也包括宽度的减小、材质的劣化等。由此，在根据对聚焦环30的厚度的测定来估计聚焦环30的消耗量且根据估计出的消耗量来计算从可变直流电源28施加的直流电压的情况下，消耗量的估计值与实际的消耗量之间有偏差，因而难以计算出适当的直流电压。

因此，在本实施方式中，根据热容量来计算聚焦环30的消耗量，根据计算出的热容量来控制向聚焦环30施加的直流电压。而且，在本实施方式中，作为热容量，测量聚焦环30的升温速度，根据升温速度来预测聚焦环30的消耗量，控制直流电压的施加。但是，所述热容量不仅包括聚焦环30的热容量，也包括聚焦环30的周边的构件的热容量。即，与聚焦环30的升温速度对应的热容量不仅包括聚焦环30的热容量，也包括聚焦环30的周边的构件的热容量。

[聚焦环的周边构造]

为了根据聚焦环30的升温速度来预测聚焦环30的消耗量进而控制向聚焦环30施加的适当的直流电压，首先，计算表示升温速度与直流电压的适当值之间的相关关系的信息。在此，参照图3来说明用于测定聚焦环30的温度以计算表示所述相关关系的信息的聚焦环30的周边构造。图3是示出一个实施方式所涉及的聚焦环的周边构造的截面的一例的图。

聚焦环30呈环状地配置于静电卡盘25的基台25c上部的外周侧。在聚焦环30的下表面附近且基台25c设置有埋设于绝缘体52a的加热器52。当从交流电源58向加热器52施加电力时，加热器52被加热，由此聚焦环30升温。辐射温度计51测定聚焦环30的背面的温度。辐射温度计51的前端靠近被实施了防反射处理的ge等材质的玻璃54。从辐射温度计51的前端射出红外线或者可见光。射出的红外线或者可见光通过绝缘体56内的空洞而到达聚焦环30的下表面并且进行反射。在本实施方式中，通过测定反射后的红外线或者可见光的强度，来测定聚焦环30的温度。o型环54对处理容器10内的真空空间进行密封使之相对于绝缘体56内的大气空间闭塞。可变直流电源28与设置在绝缘体29a内的电极29连接。从可变直流电源28向电极29施加与聚焦环30的消耗量相应的直流电压。此时，控制部43使用由辐射温度计51测定出的聚焦环30的温度，基于表示聚焦环30的升温速度与直流电压的适当值之间的相关关系的信息向聚焦环30施加最佳值的直流电压。

[直流电压控制处理的前处理]

接着，参照图4和图5来说明用于获取表示聚焦环30的升温速度与直流电压之间的相关关系的信息的处理。图4是示出本实施方式所涉及的升温速度与直流电压之间的相关关系计算处理(以下也称为“计算处理”)的一例的流程图。图5是示出本实施方式所涉及的表示升温速度与直流电压之间的相关关系的对应图的一例的图。作为用于向聚焦环30施加最佳值的直流电压的直流电压控制处理的前处理，进行本处理。

当开始图4的计算处理时，控制部43使用新的聚焦环30，以使从交流电源58向加热器52施加的电力固定(例如100w)的方式进行热输入，测定与时间(升温时间)相应的聚焦环30的背面的温度(步骤s10)。

接着，每隔聚焦环30的使用时间(例如聚焦环30每使用100h)，控制部43以使加热器52的电力固定(例如100w)的方式进行热输入，测定升温时间和聚焦环30的温度(步骤s12)。

图5的(a)示出执行步骤s10和步骤s12后的结果的一例。图5的(a)的横轴表示升温时间，纵轴表示与升温时间相应的聚焦环30的温度。图5的(a)的结果示出在聚焦环30为新品且经过100h后、经过200h后、经过300h后、经过400h后、经过500h后的经过各时间的情况下的升温时间与聚焦环30的温度之间的关系。在该例中，可知，聚焦环30的使用时间越多，则聚焦环30暴露在等离子体中而产生的消耗量越多，针对升温时间的聚焦环30的温度上升得越高。

返回到图4，接着，每隔聚焦环30的使用时间(例如聚焦环30每使用100h)，控制部43使向聚焦环30施加的直流电压最佳化(步骤s14)。

接着，每隔聚焦环30的使用时间，控制部43计算使加热器52的电力固定时的、聚焦环30的升温速度与向聚焦环30施加的直流电压的适当值之间的相关关系(步骤s16)。接着，控制部43记录直流电压的适当值与聚焦环30的升温速度之间的相关关系(步骤s18)，结束本处理。

图5的(b)中示出将表示执行所述计算处理所得到的结果的升温速度与直流电压之间的相关关系的信息以曲线图表示的一例。聚焦环30的使用时间表示聚焦环30的消耗时间。当聚焦环30消耗时，热容量变小，升温速度变快。因而，通过如图5的(b)所示那样计算与升温速度相应的直流电压的适当值，来模拟地计算与聚焦环30的消耗量相应的直流电压。而且，能够基于计算出的表示升温速度与直流电压之间相关关系的信息，来进行向聚焦环30施加与聚焦环30的消耗量相应的适当值的直流电压的控制。下面，参照图6来说明向聚焦环30施加与聚焦环30的消耗量相应的适当值的直流电压的、本实施方式所涉及的直流电压控制处理。图6是示出本实施方式所涉及的直流电压控制处理的一例的流程图。

[直流电压控制处理]

在本处理中，以使设置在聚焦环30的正下方的加热器52的电力固定(例如，100w)的方式进行热输入，一边使聚焦环30升温一边测定聚焦环30的温度，由此测定聚焦环30的升温速度。在从以使加热器52的电力固定的方式进行热输入时起经过规定时间之后，开始进行本处理。另外，在除了对晶圆w进行蚀刻处理期间的定时之外的定时开始进行本处理。

当开始进行本处理时，控制部43判定是否处理了特定张数的晶圆w(步骤s20)。特定张数的晶圆w既可以是一张晶圆w，也可以是一组(例如25张)晶圆w。另外，在步骤s20中，判定晶圆w的处理张数，但是不限于此，例如也可以进行以下控制：判定聚焦环30的施加时间是否经过了规定时间，如果经过了规定时间则进入步骤s22。

控制部43在步骤s20中重复本处理，直到判定为处理了特定张数的晶圆w为止，控制部43在判定为处理了特定张数的晶圆w后，测定聚焦环30的升温速度(步骤s22)。能够根据在以使加热器52的电力固定的方式进行热输入之后由辐射温度计51测定出的温度的测定结果来计算升温速度。

接着，控制部43参照存储有在直流电压控制处理的前处理中计算出的表示升温速度与直流电压之间的相关关系的信息的表格，来确定与升温速度相应的直流电压的适当值(步骤s24)。例如，在图5的(b)的例子的情况下，根据测定出的升温速度，唯一地确定出直流电压。

返回到图6，接着，控制部43控制可变直流电源28的输出，使得向聚焦环30施加确定出的直流电压(步骤s26)，结束本处理。

根据本实施方式所涉及的直流电压控制处理，通过计算与升温速度相应的直流电压的适当值，来模拟地计算与聚焦环30的消耗量相应的直流电压。然后，向聚焦环30施加所计算出的、与聚焦环30的消耗量相应的适当值的直流电压，由此能够使聚焦环30的上方的鞘层与晶圆w的上方的鞘层的高度齐平。由此，能够抑制倾斜的产生和蚀刻率的变动中的至少一方。例如，在所计算出的直流电压的适当值为100v的情况下，向聚焦环30施加100v的直流电压，由此即使聚焦环30逐渐消耗也能够恢复为聚焦环30为新品时的倾斜和蚀刻率。

由此，即使聚焦环30消耗也能够通过控制直流电压来使聚焦环30的更换时间延迟。更换聚焦环30所需要的时间例如包含：打开处理容器10来更换聚焦环30的时间；以及进行更换后关闭处理容器10且对处理容器内进行清洁、干燥来调整处理容器10内的气氛的时间。由此，通过使聚焦环30的更换时间延迟，能够实现生产率的提高。

[变形例]

接着，参照图7来说明用于测定聚焦环30的温度的、聚焦环30的周边构造的变形例。图7是示出本实施方式的变形例所涉及的聚焦环的周边构造的截面的一例的图。

在图3的例子中，辐射温度计51以测定聚焦环30的背面的外周侧的温度的方式配置。与此相对，在图7的变形例中，辐射温度计51以测定聚焦环30的背面的中央的温度的方式配置。因此，在图7的变形例中，埋设于绝缘体52a的加热器52以及埋设于绝缘体62a的加热器62配置在聚焦环30的背面的内周侧和外周侧。

根据所述结构，本变形例所涉及的辐射温度计51进行温度测定的位置比本实施方式所涉及的辐射温度计51进行温度测定的位置更靠近加热器52、62，另外，对聚焦环30的背面的中央的温度进行测定。然而，加热器52、62与辐射温度计51之间的位置关系既可以近也可以远。例如，辐射温度计51的位置不限于外周侧或者中央，也可以配置在聚焦环30的背面的内周侧来测定聚焦环30的背面的内周侧的温度。在任一种配置下，均在前处理中计算表示聚焦环30的升温速度与直流电压之间的相对关系的信息，由此能够向聚焦环30施加最佳值的直流电压。

最后，参照图8来说明在控制部43使用存储器43b中存储的表示升温速度与直流电压之间的相对关系的信息对系统中的服务器2进行的控制的一例。图8是示出本实施方式所涉及的用于进行直流电压控制的系统的一例的图。

本系统中示出控制等离子体蚀刻装置a(下面也称为“装置a”)的控制部1a～1c和控制等离子体蚀刻装置b(下面也称为“装置b”)的控制部2a～2c这两种控制部经由网络而与服务器2连接的例子。

例如，作为装置a，列举等离子体蚀刻装置1a、1b、1c作为一例，但不限于此。等离子体蚀刻装置1a、1b、1c由控制部1a、1b、1c分别进行控制。

例如，作为装置b，列举等离子体蚀刻装置2a、2b、2c作为一例，但不限于此。等离子体蚀刻装置2a、2b、2c由控制部2a、2b、2c分别进行控制。

控制部1a～1c和控制部2a～2c将各自的存储器(存储部)中存储的表示升温速度与直流电压之间的相对关系的信息发送到服务器2。服务器2从控制装置a的控制部1a、1b、1c接收表示升温速度与直流电压之间的相对关系的信息3a、3b、3c。另外，服务器2从控制装置b的控制部2a、2b、2c接收表示升温速度与直流电压之间的相对关系的信息4a、4b、4c。在图8中，为了简便而用曲线图的形式示出表示升温速度与直流电压之间的相对关系的信息。

服务器2将与装置a相关的表示升温速度与直流电压之间的相对关系的信息3a、3b、3c……以及与装置b相关的表示升温速度与直流电压之间的相对关系的信息4a、4b、4c……分类为各自不同的类别。

服务器2基于被分类为与装置a相关的类别的信息3a、3b、3c……，来计算针对装置a的升温速度的直流电压的最佳值。例如可以是，基于信息3a、3b、3c……，将针对装置a的升温速度的直流电压的平均值设为最佳值，也可以是将针对装置a的升温速度的直流电压的中间值设为最佳值。另外，例如也可以是，基于信息3a、3b、3c……，将针对装置a的升温速度的直流电压的最小值或者最大值设为最佳值。除此以外，服务器2能够基于信息3a、3b、3c……计算直流电压的特定的值，来作为针对装置a的升温速度的直流电压的最佳值。

同样地，基于被分类为与装置b相关的类别的信息4a、4b、4c……，来计算针对装置b的升温速度的直流电压的最佳值。例如可以是，基于信息4a、4b、4c……，将针对装置a的升温速度的直流电压的平均值、中间值、最小值或者最大值设为最佳值。除此以外，服务器2能够基于信息4a、4b、4c……计算直流电压的特定的值，来作为针对装置b的升温速度的直流电压的最佳值。

服务器2针对每个不同的蚀刻装置计算针对所收集的升温速度的直流电压的最佳值，将计算出的针对升温速度的直流电压的最佳值的信息反馈到控制部1a～2c。由此，控制部1a～2c能够使用包含其它蚀刻装置的信息在内的信息得到的、与聚焦环30的消耗量相应的直流电压的适当值，来控制向聚焦环30施加的直流电压。

据此，能够利用服务器2收集使用同一类别所包含的更多的等离子体蚀刻装置测定出的、针对升温速度的直流电压的信息。因此，能够基于所收集到的针对所述升温速度的直流电压的信息，更加无偏差地计算针对升温速度的直流电压的最佳值。由此，能够更加无偏差且精度良好地进行向聚焦环30施加与聚焦环30的消耗量相应的适当值的直流电压的控制。此外，服务器2也可以由云计算机来实现。

如以上所说明的那样，根据本实施方式，通过向聚焦环30施加与聚焦环30的消耗量相应的适当值的直流电压，能够抑制倾斜的产生和蚀刻率的变动中的至少一方。由此，能够使基于聚焦环30的消耗量决定的更换时期延迟。由此，能够提高等离子体蚀刻装置的生产率。

以上，基于所述实施方式说明了等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法，但本发明所涉及的等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法不限定于所述实施方式，在本发明的范围内能够进行各种变形以及改进。所述多个实施方式所记载的事项能够在不矛盾的范围内进行组合。

本发明所涉及的基板处理装置也能够应用于capacitivelycoupledplasma(电容耦合等离子体，ccp)、inductivelycoupledplasma(感应耦合等离子体，icp)、radiallineslotantenna(径向线缝隙天线)、electroncyclotronresonanceplasma(电子回旋共振等离子体，ecr)、heliconwaveplasma(螺旋波等离子体，hwp)等类型。

在本说明书中，作为基板的一例，列举半导体晶圆w进行了说明。但是，基板不限于此，也可以是lcd(liquidcrystaldisplay：液晶显示器)、fpd(flatpaneldisplay：平板显示器)所使用的各种基板、cd基板、印刷电路板等。