正入射式共面电极光电芯片及其制备方法与流程

文档序号:17475648发布日期:2019-04-20 06:06阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法;一种正入射式共面电极光电芯片,芯片上开设主光槽,主光槽向芯片的任一表面方向开口并贯穿芯片的吸收层;芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极,第一电极位于收光区的外侧,第一电极和第二电极相互绝缘设置;以芯片的正面为入光侧,主光槽用于入射光的一部分射出,入射光的另一部分从收光区进入到吸收层内进行光电转换;故本发明提供的正入射式共面电极光电芯片既能够分光,又能够对入射光的光功率进行监控;进而使用本发明提供的芯片的光路系统,无须使用光分路器进行分光,减少了系统体积,也降低了成本。

技术研发人员:杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜
受保护的技术使用者:深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
技术研发日:2018.12.25
技术公布日:2019.04.19
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