技术特征：
技术总结
本发明公开一种通孔下MTM反熔丝的制备方法，属于半导体制造技术领域。首先在衬底材料上依次形成金属间介质层和下极板导电层，在所述下极板导电层表面淀积下极板阻挡层，在下极板阻挡层上形成凹槽窗口；然后在形成凹槽窗口的下极板阻挡层的表面淀积反熔丝膜层，在所述反熔丝膜层的表面淀积上极板阻挡层；刻蚀所述上极板阻挡层和所述反熔丝膜层；刻蚀所述下极板阻挡层和所述下极板导电层；通过钨塞填充通孔，再进行上极板导电层溅射。本发明基于通孔下反熔丝单元结构，工艺简单，成本低，工艺可靠性高，反熔丝单元编程击穿区域限制在凹槽窗口的台阶处，编程电流密度大，有利于编程后反熔丝单元工作可靠性。
技术研发人员：郑若成;王印权;吴素贞;刘佰清;郑良晨;洪根深
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十八研究所
技术研发日：2018.12.26
技术公布日：2019.05.07