技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。本发明的课题为提高设置于衬底的表面的凹部内的、利用膜的填埋特性。半导体器件的制造方法包括：工序(a)，对设为第1温度的衬底供给含硅气体和含锗气体，以对形成于衬底的表面的凹部内进行填埋的方式形成无定形状态的硅锗膜；工序(b)，将衬底的温度从第1温度升温至高于第1温度的第2温度；和工序(c)，对设为第2温度的衬底供给含硅气体，在硅锗膜上形成硅膜，其中，在(c)中，一边形成硅膜，一边使作为其基底的硅锗膜结晶化。
技术研发人员：前田喜世彦;寺崎昌人;女川靖浩;宫仓敬弘;平野晃人;中川崇
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2018.12.26
技术公布日：2019.07.09