技术总结
本实用新型提出一种带有GaAs面掺杂平滑层的GaAs基PHEMT外延材料结构，该材料结构包括GaAs半绝缘衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlGaAs下势垒层、第一GaAs平滑层、下平面掺杂层、第二GaAs平滑层、AlGaAs下空间隔离层、InGaAs沟道层、AlGaAs上空间隔离层、第三GaAs平滑层、上平面掺杂层、第四GaAs平滑层，AlGaAs上势垒层、AlAs腐蚀阻断层和GaAs重掺杂帽层；在GaAs半绝缘衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlGaAs下势垒层、第一GaAs平滑层、下平面掺杂层、第二GaAs平滑层、AlGaAs下空间隔离层、InGaAs沟道层、AlGaAs上空间隔离层、第三GaAs平滑层、上平面掺杂层、第四GaAs平滑层、AlGaAs上势垒层、AlAs腐蚀阻断层、GaAs重掺杂帽层。提高势垒层中Si面掺杂的掺杂效率，有利于改善PHEMT器件的跨导和击穿电压。
技术研发人员：蒋建
受保护的技术使用者：新磊半导体科技（苏州）有限公司
技术研发日：2018.04.10
技术公布日：2019.04.12