技术总结
本实用新型公开了一种提高光提取效率的深紫外发光二极管芯片，包括n型半导体层、锥形坑准备层、有源层、p型半导体层、p型电极、反射层、键合层、n型电极、基板；其中：锥形坑准备层位于n型半导体层之上，有源层位于锥形坑准备层之上，p型半导体层位于有源层之上，n型半导体层上形成有n型电极，p型半导体层上形成有p型电极，p型电极和基板之间依序形成有反射层和键合层，所述有源层中形成六方多面结构的锥形坑。本实用新型的优点在于：通过在有源层中形成六方多面的锥形坑，改变有源层中TM模偏振光的出光方向，使TM模偏振光不需在接近有源层附近进行长路径传播，进而提高深紫外发光二极管的光提取效率。
技术研发人员：武良文
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：2018.07.12
技术公布日：2019.06.04