技术总结
本实用新型涉及绝缘栅双极晶体管(IGBT)设备。所述IGBT设备可包括有源区，无源区，以及沿着所述有源区中的纵向轴线延伸的沟槽。所述IGBT还可包括第一台面和第二台面，所述第一台面限定所述沟槽的第一侧壁并且与所述沟槽平行，所述第二台面限定所述沟槽的第二侧壁并且与所述沟槽平行。所述第一台面的至少一部分可包括所述IGBT设备的有源区段，并且所述第二台面的至少一部分可包括所述IGBT设备的无源区段。
技术研发人员：李孟家;拉尔夫·N·沃尔;刘明焦;沙姆斯·阿列芬·卡恩;戈登·M·格里芙尼亚
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
技术研发日：2018.07.23
技术公布日：2019.02.19