1.一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，包括PCB板(1)以及设置在PCB板(1)上的功率半导体器件(2)、散热器(3)和温度传感器(4)，所述温度传感器(4)通过导热垫(5)粘贴在所述功率半导体器件(2)的下表面，所述散热器(3)与所述功率半导体器件(2)的上表面连接。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述散热器(3)包括光滑的导热面和带有散热鳍片的散热面，所述散热面朝上设置，所述导热面朝下设置并与所述功率半导体器件(2)的上表面连接。
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述散热器(3)通过支撑杆(6)与所述PCB板(1)连接，所述PCB板(1)上设置有供所述支撑杆(6)连接的安装孔(14)。
4.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述安装孔(14)设置有四个。
5.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述温度传感器(4)为热敏电阻或热电偶。
6.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述PCB板(1)上设置有用于焊接所述功率半导体器件(2)的第一电镀通孔(11)，所述第一电镀通孔(11)设置有两个或者三个。
7.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述PCB板(1)上设置有用于焊接所述温度传感器(4)的第二电镀通孔(12)，所述第二电镀通孔(12)设置有两个。
8.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述PCB板(1)上还设置有MCU芯片(7)，所述温度传感器(4)通过PCB板(1)上的印刷电路连接至所述MCU芯片(7)。
9.根据权利要求8所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述PCB板(1)上设置有用于焊接所述MCU芯片(7)的第三电镀通孔(13)。
10.根据权利要求1－9任一所述的一种功率半导体器件保护装置，其特征在于，所述功率半导体器件(2)为功率二极管、功率晶闸管、功率BJT、功率MOSFET或者功率IGBT。